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1995年  第17卷  第3期

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論文
多層前饋網(wǎng)絡(luò)在圖象分割中的應(yīng)用
吳小培, 柴曉冬, 張德龍
1995, 17(3): 225-231.
摘要:
本文提出用多層前饋網(wǎng)絡(luò)進行基于邊緣信息的圖象分割,討論了學(xué)習(xí)樣本的提取步驟和網(wǎng)絡(luò)學(xué)習(xí)的速度改進方法。實驗表明,用多層前饋網(wǎng)絡(luò)進行圖象分割能獲得良好的結(jié)果。
Hopfield優(yōu)化網(wǎng)絡(luò)用于DOA估計存在的問題
林盛, 殷勤業(yè)
1995, 17(3): 232-237.
摘要:
本文討論了用Hopfield優(yōu)化網(wǎng)絡(luò)解決DOA估計問題方法的有效性和正確性。雖然這種方法可以避免特征分解和譜峰搜索運算,但在不限制網(wǎng)絡(luò)中輸出為1的神經(jīng)元個數(shù)的條件下,方法中代價函數(shù)的構(gòu)造是不正確的。理論分析和仿真實驗都證實了上述結(jié)論。
非重復(fù)跳頻序列族的理論限制
梅文華
1995, 17(3): 238-242.
摘要:
本文討論跳頻多址組網(wǎng)用的非重復(fù)序列族的理論限制,得到了限定漢明相關(guān)條件下非重復(fù)序列族中序列數(shù)目和序列長度的理論限,列舉了幾種達(dá)到了理論限的非重復(fù)跳頻序列族。
基于四階累積量特征分解的空間譜估計測向方法
魏平, 肖先賜, 李樂民
1995, 17(3): 243-249.
摘要:
傳統(tǒng)的空間譜估計測向方法大都是在二階統(tǒng)計基礎(chǔ)上提出的。而高階累積量(cumulant)及其對應(yīng)的高階譜具有更加豐富的信息,而且對任何譜特性的高斯噪聲都有很好的抑制能力。本文研究了基于四階累積量特征結(jié)構(gòu)分析的譜估計測向方法。從累積量的基本定義和性質(zhì)出發(fā),導(dǎo)出了基于特征分解的測向算法,并給出了模擬實驗和測向系統(tǒng)外場實驗結(jié)果。實驗結(jié)果顯示,基于四階累積量方法的性能優(yōu)于傳統(tǒng)譜估計測向方法,特別是對于未知譜特性的色高斯噪聲的情況。
信號極點估計的矩陣預(yù)測方法的研究
王衛(wèi)東, 柯有安
1995, 17(3): 250-255.
摘要:
本文深入系統(tǒng)地研究了信號極點估計的矩陣預(yù)測方法的基本理論,并給出了信號極點估計的后向矩陣預(yù)測方法和估計正弦信號頻率的前后向矩陣預(yù)測方法,以及矩陣預(yù)測法與線性預(yù)測法之間的關(guān)系。文中的數(shù)值舉例說明了本文理論的正確性。
Chirp Scaling SAR成象算法及其實現(xiàn)
吳一戎, 胡東輝, 彭海良
1995, 17(3): 256-260.
摘要:
本文完善了Chirp Scaling(CS)SAR成象算法的數(shù)學(xué)模型,獲得了雷達(dá)點目標(biāo)二維頻域的精確解析式,并進一步得到該算法存在的殘余相差。通過分析CS算法的特點,提出實現(xiàn)該算法的一種硬件結(jié)構(gòu)。
一種計算圖象處理速度的新方法
孔俊寶, 劉夢周
1995, 17(3): 261-267.
摘要:
本文描述的是一種用于計算圖象處理速度的新技術(shù)。如果圖象面積已知,那么利用一組相互正交的延遲線就可以分析計算出圖象處理速度矢量的兩個垂直分量;而計算一個未知圖象面積的處理速度,則需要以兩組相互正交的延遲線輔助之。該方法適用于作處理模擬大規(guī)模集成電路的工具。
通道響應(yīng)失配對DBF天線旁瓣電平的影響
張林讓, 保錚, 張玉洪
1995, 17(3): 268-275.
摘要:
本文研究了通道響應(yīng)失配對數(shù)字波束形成(DBF)天線旁瓣電平的影響,然后分析了通道頻率響應(yīng)失配與脈沖響應(yīng)失配的關(guān)系,進而得到通道間頻率響應(yīng)失配對天線旁瓣電平的影響。結(jié)果表明,用DBF技術(shù)實現(xiàn)超低旁瓣天線對通道頻率匹配的要求相當(dāng)高。最后計算機模擬驗證了理論分析結(jié)果。
部分填充雙各向異性介質(zhì)的圓柱形波導(dǎo)中混合模特性研究
尹文言, 汪文秉
1995, 17(3): 276-282.
摘要:
本文首先引入一種新型雙各向異性波導(dǎo)結(jié)構(gòu);給出了這類復(fù)雜波導(dǎo)中橫向場分量的縱向場表示式以及縱向場分量滿足的一組耦合模方程;重點分析了具有不同電磁參數(shù)的雙各向異性介質(zhì)中心加載時,金屬圓柱形波導(dǎo)中混合模的分裂效應(yīng),色散特性和場分布。結(jié)果表明,由于多個電磁參數(shù)的引入,雙各向異性波導(dǎo)具有一般各向異性和雙各向同性波導(dǎo)結(jié)構(gòu)所沒有的新奇特性。
結(jié)合保角變換的優(yōu)化模擬鏡象法解多種截面形狀同軸線的特性阻抗
佘顯燁, 方漢平
1995, 17(3): 283-290.
摘要:
介紹一種計算多種截面形狀同軸線的新方法結(jié)合保角變換的優(yōu)化模擬鏡象法。此法計算量小、精確度高,并能進行誤差范圍計算。列出對內(nèi)圓外方、偏心內(nèi)圓外方和內(nèi)帶形外圓等九種同軸線特性阻抗的計算結(jié)果并與其它文獻(xiàn)結(jié)果進行了比較。
寬帶雙路轉(zhuǎn)動接頭的研究
殷連生, 華光, 殷峻峮
1995, 17(3): 291-297.
摘要:
本文介紹一種寬帶雙路轉(zhuǎn)動接頭,兩路設(shè)計在同一工作頻段,在0.7GHz~1.4GHz頻帶內(nèi)電壓駐波比小于1.3,插入損耗小于0.5dB,兩路之間的隔離大于40dB。轉(zhuǎn)動接頭采用兩點對稱激勵,套筒式結(jié)構(gòu),其長度短于/4。該轉(zhuǎn)動接頭的結(jié)構(gòu)新穎而簡單,加工和調(diào)試方便,具有體積小,重量輕的特點,滿足了特定的小尺寸要求。
掃描電子束在絕緣襯底上生長單晶硅薄膜(SOI)的實驗研究
林世昌, 張燕生, 張國炳, 王陽元
1995, 17(3): 298-303.
摘要:
在絕緣襯底上生長單晶硅薄膜,即SOI技術(shù),是近年發(fā)展起來研制三維集成電路的一項新技術(shù)。本文討論了利用掃描電子束對淀積在SiO2上的多晶硅薄膜進行改性的實驗。采用籽晶液相外延形成單晶硅薄膜。本實驗的重點在于摸索電子束的功率密度、掃描速度、襯底的溫度和樣品結(jié)構(gòu)等因素對形成單晶硅薄膜質(zhì)量的影響。實驗取得了較好的結(jié)果,獲得了20025m2的單晶區(qū)。
研究簡報
平行多視點算法實時求取深度信息
王新成, 朱維樂, 顧德仁
1995, 17(3): 304-310.
摘要:
引入了平行多視點的概念,從平行多視點獲取的多幅圖象中可以求得深度信息。通過利用圖象的FFT變換,將時域中很難解決的問題變換到頻域中來解決,避免了復(fù)雜的匹配運算,極大地簡化了求取圖象點、面深度信息的問題,并且提高了深度求取的實時性、全面性和準(zhǔn)確性。介紹了算法原理及特點,并給出了實驗結(jié)果及分析。
Ka波段鎖相系統(tǒng)研究
鮑景富, 朱君范, 陳玉生
1995, 17(3): 311-314.
摘要:
利用多環(huán)方案,研制了八毫米波鎖相源系統(tǒng)。實驗表明,34.7GHz頻率點輸出的相位噪聲指標(biāo)(傅氏頻率為1kHz時)為-78dBc/Hz,雜散優(yōu)于-60dBc,輸出功率大于40mW。
電磁波在對流層中傳播的拋物化方程的有限差分解法
方劍, 林為干, 趙愉深
1995, 17(3): 315-320.
摘要:
本文用箱式格式的有限差分法求解了電磁波在對流層中傳播的拋物化波動方程。文中給出了該隱式格式的相容性、穩(wěn)定性以及收斂性的證明和算例。典型算例表明,本文的方法可準(zhǔn)確計算大氣波導(dǎo)沿高度和距離方向變化的影響,較之目前普遍使用的傅立葉分裂步方法具有準(zhǔn)確和處理邊界條件方便之優(yōu)點。
運動的非線性光波導(dǎo)傳播特性研究
余保龍, 王惠民, 胡南琦
1995, 17(3): 321-323.
摘要:
本文利用電磁場相對論變換方法,對運動的非線性平板光波導(dǎo)TE模的傳播特性進行了研究,并將運動參照系與實驗室參照系中的結(jié)果進行了比較。
布爾函數(shù)的線性結(jié)構(gòu)的特征
馮登國, 肖國鎮(zhèn)
1995, 17(3): 324-328.
摘要:
本文首先利用布爾函數(shù)的特征集合對布爾函數(shù)的線性結(jié)構(gòu)進行了刻劃,給出了尋找布爾函數(shù)的線性結(jié)構(gòu)的一種方法。其次引入了布爾函數(shù)的r型線性結(jié)構(gòu)的概念,并對其進行了研究,同時還指出了布爾函數(shù)的r型線性結(jié)構(gòu)的密碼學(xué)意義。
側(cè)風(fēng)效應(yīng)和SG方法
滕志猛, 何野, 童勤義
1995, 17(3): 329-333.
摘要:
本文分析了SG方法存在側(cè)風(fēng)效應(yīng)的起因及其對SG方法的影響,為SG方法的應(yīng)用提供了依據(jù)。
電子輻照微氮直拉硅單晶的深能級的研究
丁扣寶, 張秀淼, 石國華, 孫勤生, 施建青
1995, 17(3): 334-336.
摘要:
本文研究了電子輻照在氮保護氣氛中生長的直拉硅單晶中引入的深能級。沒有發(fā)現(xiàn)可檢測的與氮有關(guān)的深能級。