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電子輻照微氮直拉硅單晶的深能級(jí)的研究

丁扣寶,  張秀淼,  石國華,  孫勤生,  施建青

丁扣寶, 張秀淼, 石國華, 孫勤生, 施建青. 電子輻照微氮直拉硅單晶的深能級(jí)的研究[J]. 電子與信息學(xué)報(bào), 1995, 17(3): 334-336.
引用本文: 丁扣寶, 張秀淼, 石國華, 孫勤生, 施建青. 電子輻照微氮直拉硅單晶的深能級(jí)的研究[J]. 電子與信息學(xué)報(bào), 1995, 17(3): 334-336.
Ding Koubao, Zhang Xiumiao, Shi Guohua, Sun Qinsheng, Shi Jianqing. STUDY OF THE DEEP LEVELS IN ELECTRON IRRADIATED CZ-S1 SLIGHTLY DOPED WITH NITROGEN[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1995, 17(3): 334-336.
Citation: Ding Koubao, Zhang Xiumiao, Shi Guohua, Sun Qinsheng, Shi Jianqing. STUDY OF THE DEEP LEVELS IN ELECTRON IRRADIATED CZ-S1 SLIGHTLY DOPED WITH NITROGEN[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1995, 17(3): 334-336.

電子輻照微氮直拉硅單晶的深能級(jí)的研究

STUDY OF THE DEEP LEVELS IN ELECTRON IRRADIATED CZ-S1 SLIGHTLY DOPED WITH NITROGEN

  • 摘要: 本文研究了電子輻照在氮保護(hù)氣氛中生長的直拉硅單晶中引入的深能級(jí)。沒有發(fā)現(xiàn)可檢測的與氮有關(guān)的深能級(jí)。
    Abstract: The deep levels in electron irradiated CZ silicon single crystal grown in pure nitrogen protective atmosphere has been studied. It is pointed out that there is no measurable deep level related to nitrogen.
    • HTML全文
  • Evwarage A O, Baliga B J. J. Electrochem. Soc., 1977, 124(6): 913-916.[2]Brotherton S D, Bradley P. J. Appl. Phys., 1982, 53(8): 5720-5731.[3]闕端麟,李立本,林玉瓶.中國專利,CN8500295, 1985.[4]Lang D V. J. Appl. Phys., 1974, 45(7): 3014-3022.[5]Watkins G D, Corbett J W, Walker R M. J. Appl. Phys., 1959, 30(8): 1198-1203.
  • 加載中
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出版歷程
  • 收稿日期:  1993-12-03
  • 修回日期:  1994-05-03
  • 刊出日期:  1995-05-19

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