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側(cè)風(fēng)效應(yīng)和SG方法

滕志猛 何野 童勤義

滕志猛, 何野, 童勤義. 側(cè)風(fēng)效應(yīng)和SG方法[J]. 電子與信息學(xué)報(bào), 1995, 17(3): 329-333.
引用本文: 滕志猛, 何野, 童勤義. 側(cè)風(fēng)效應(yīng)和SG方法[J]. 電子與信息學(xué)報(bào), 1995, 17(3): 329-333.
Teng Zhimeng, He Ye, Tong Qinyi. THE CROSSWIND EFFECT AND THE SG SCHEME[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1995, 17(3): 329-333.
Citation: Teng Zhimeng, He Ye, Tong Qinyi. THE CROSSWIND EFFECT AND THE SG SCHEME[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1995, 17(3): 329-333.

側(cè)風(fēng)效應(yīng)和SG方法

THE CROSSWIND EFFECT AND THE SG SCHEME

  • 摘要: 本文分析了SG方法存在側(cè)風(fēng)效應(yīng)的起因及其對(duì)SG方法的影響,為SG方法的應(yīng)用提供了依據(jù)。
  • Bank R E, Coughran J W M, Mirtner W. et al, IEEE Trans. on ED, 1985, ED-32(12): 1992-2007.[2]Bank R E, Rose D J, Fitchner W. IEEE Trans. on ED, 1983, ED-30(9): 1031-1041.[3]He Y, Cao G. IEEE Trans. on CAD, 1991, CAD-10(12): 1579-1582.[4]Chou T Y. Cendes Z J. IEEE Trans. on CAD, 1991, CAD-10(10): 1193-1200.[5]Polak S J, Heifer C D, Schilders W H A. Int[J].J. Numer. Meth. Eng.1987, 24(5):763-838[6]Brooks A N, Hughes T J R. Comput[J].Meth. Appl. Mech. Eng.1982, 32(2):199-259[7]集成電路工藝及器件的模型和模擬實(shí)驗(yàn)室.短溝道MOSFET的熱電子效應(yīng)模型和數(shù)值模擬上海:復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)研究所,1990.
  • 加載中
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出版歷程
  • 收稿日期:  1993-05-24
  • 修回日期:  1994-12-15
  • 刊出日期:  1995-05-19

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