1991, 13(1): 65-70.
摘要:
用DLTS法對(duì)經(jīng)兩步快速熱退火(RTA)后的注硅不摻雜SI-GaAs中的缺陷進(jìn)行了研究。確定了激活層中存在著兩個(gè)電子陷阱組(以主能級(jí)ET1、ET2標(biāo)記)及其電學(xué)參數(shù)的深度分布。在體內(nèi),ET1=Ec0.53eV,n=2.310-16cm2;ET2=Ec0.81eV,m=9.710-13cm2;密度典型值為NT1=8.01016cm-3,NT2=3.81016cm-3;表面附近,ET1=Ec0.45eV,NT1=1.91016cm-3;ET2=Ec0.71eV,NT2=1.21016cm-3,分別以[AsiVAs,AsGa]和[VAsAsiVGaAsGa]等作為ET1和ET2的缺陷構(gòu)型解釋了它們?cè)赗TA過(guò)程中的行為。