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1984年 第6卷 第3期
1984, 6(3): 181-188.
摘要:
本文首先將矢量空間的概念推廣到并矢,建立了求解并矢格林函數(shù)的算子法,然后用分布論嚴格地導出了磁型并矢波動方程的一種新的表達式。文末以廣義柱形波導為例,具體闡述本文方法的運用。
本文首先將矢量空間的概念推廣到并矢,建立了求解并矢格林函數(shù)的算子法,然后用分布論嚴格地導出了磁型并矢波動方程的一種新的表達式。文末以廣義柱形波導為例,具體闡述本文方法的運用。
1984, 6(3): 189-199.
摘要:
本文介紹用傳遞矩陣分析微波四端口線性電路的基本方法,并給出若干基本電路元件的數(shù)學模型和四端口電路網(wǎng)絡(luò)函數(shù)的表達式。此外,還介紹一個小型通用程序,它能對一些定向耦合器、平衡晶體管放大器以及電調(diào)衰減器等進行分析和優(yōu)化設(shè)計。
本文介紹用傳遞矩陣分析微波四端口線性電路的基本方法,并給出若干基本電路元件的數(shù)學模型和四端口電路網(wǎng)絡(luò)函數(shù)的表達式。此外,還介紹一個小型通用程序,它能對一些定向耦合器、平衡晶體管放大器以及電調(diào)衰減器等進行分析和優(yōu)化設(shè)計。
1984, 6(3): 200-205.
摘要:
本文在理論上分析了CCD的轉(zhuǎn)移噪聲對CCD相關(guān)器輸出信噪比的影響;指出了CCD多路并聯(lián)應(yīng)用的有效性。最后給出了CCD雙路并聯(lián)應(yīng)用的實驗結(jié)果,并對單路與雙路CCD在CCD相關(guān)器中的實驗結(jié)果進行了比較,表明了這一方法的可行性。
本文在理論上分析了CCD的轉(zhuǎn)移噪聲對CCD相關(guān)器輸出信噪比的影響;指出了CCD多路并聯(lián)應(yīng)用的有效性。最后給出了CCD雙路并聯(lián)應(yīng)用的實驗結(jié)果,并對單路與雙路CCD在CCD相關(guān)器中的實驗結(jié)果進行了比較,表明了這一方法的可行性。
1984, 6(3): 206-213.
摘要:
本文介紹了大面積鍺光電接收器的光譜響應(yīng)、量子效率、頻率特性和I-V特性的測量方法。在波長為1.3m處,響應(yīng)度為0.47 A/W,量子效率為45％,頻率響應(yīng)為100kHz。在反向偏壓為 5V,溫度為12℃時,反向漏電流(以電流密度表示)為 2310-6A/cm2(直徑為 7.5mm)。在1060℃變溫范圍內(nèi),測定了接收器的I-V溫度特性和暗電流與溫度的關(guān)系。最后對測試系統(tǒng)和實驗現(xiàn)象進行了初步討論。
本文介紹了大面積鍺光電接收器的光譜響應(yīng)、量子效率、頻率特性和I-V特性的測量方法。在波長為1.3m處,響應(yīng)度為0.47 A/W,量子效率為45％,頻率響應(yīng)為100kHz。在反向偏壓為 5V,溫度為12℃時,反向漏電流(以電流密度表示)為 2310-6A/cm2(直徑為 7.5mm)。在1060℃變溫范圍內(nèi),測定了接收器的I-V溫度特性和暗電流與溫度的關(guān)系。最后對測試系統(tǒng)和實驗現(xiàn)象進行了初步討論。
1984, 6(3): 214-219.
摘要:
本文分析了相對論電子束的能量單色性對自由電子激光器小信號增益的影響,對給定的泵浦場,存在臨界能量分散度,超過它之后小信號增益將變?yōu)樨撝?波長越短,放大長度越長的激光放大器,對能量單色性的要求越高;激光振蕩器對能量單色性的要求則比激光放大器低得多。
本文分析了相對論電子束的能量單色性對自由電子激光器小信號增益的影響,對給定的泵浦場,存在臨界能量分散度,超過它之后小信號增益將變?yōu)樨撝?波長越短,放大長度越長的激光放大器,對能量單色性的要求越高;激光振蕩器對能量單色性的要求則比激光放大器低得多。
1984, 6(3): 220-225.
摘要:
本文給出了一種無截獲柵糊控電子槍模型。陰影柵被直接嵌鑲在陰極面上,陰影柵采用環(huán)形椰網(wǎng),在計算機輔助設(shè)計中提出了簡化二維數(shù)學模型并建立了計算程序。通過對計算機計算結(jié)果的分析,提出了設(shè)計這種槍的方法。并通過設(shè)計一個導流系數(shù)為0.9P的柵控槍進行了實驗驗證。初步結(jié)果表明建立的計算機程序完全可以滿足這一類無截獲柵柵控電子槍的工程設(shè)計要求。
本文給出了一種無截獲柵糊控電子槍模型。陰影柵被直接嵌鑲在陰極面上,陰影柵采用環(huán)形椰網(wǎng),在計算機輔助設(shè)計中提出了簡化二維數(shù)學模型并建立了計算程序。通過對計算機計算結(jié)果的分析,提出了設(shè)計這種槍的方法。并通過設(shè)計一個導流系數(shù)為0.9P的柵控槍進行了實驗驗證。初步結(jié)果表明建立的計算機程序完全可以滿足這一類無截獲柵柵控電子槍的工程設(shè)計要求。
1984, 6(3): 226-234.
摘要:
本文利用先加速后減速的拒斥場法研究了兩種實用熱陰極的電子初速分布,并用動態(tài)表面發(fā)射中心理論解釋了氧化物陰極電子初速分布在脈沖強場下分成譜的現(xiàn)象。
本文利用先加速后減速的拒斥場法研究了兩種實用熱陰極的電子初速分布,并用動態(tài)表面發(fā)射中心理論解釋了氧化物陰極電子初速分布在脈沖強場下分成譜的現(xiàn)象。
1984, 6(3): 235-241.
摘要:
正 (一)引言 在各種軍用和民用雷達中,廣泛使用各種型式的端饋陣列天線。這種天線在脈沖信號激勵時產(chǎn)生的瞬變過程會影響雷達系統(tǒng)的角分辨力、測角精度、雜亂回波電平、探測距離和距離分辨力。由于分析天線瞬變過程的有效工具是天線的沖激響應(yīng),因而它在雷達檢測理論中是一個重要的特性函數(shù)。 但是,端饋陣列天線的沖激響應(yīng)問題在現(xiàn)有文獻中尚未得到系統(tǒng)的研究。文獻[1]對
正 (一)引言 在各種軍用和民用雷達中,廣泛使用各種型式的端饋陣列天線。這種天線在脈沖信號激勵時產(chǎn)生的瞬變過程會影響雷達系統(tǒng)的角分辨力、測角精度、雜亂回波電平、探測距離和距離分辨力。由于分析天線瞬變過程的有效工具是天線的沖激響應(yīng),因而它在雷達檢測理論中是一個重要的特性函數(shù)。 但是,端饋陣列天線的沖激響應(yīng)問題在現(xiàn)有文獻中尚未得到系統(tǒng)的研究。文獻[1]對
1984, 6(3): 242-246.
摘要:
正 (一)引言 近年來國內(nèi)外對行波型場效應(yīng)器件已開始注意研究,其原因是采用行波相互作用形式能使微波場效應(yīng)管的性能有較大的改進。迄今國外的研究偏重于低電平超寬頻帶放大器的機理探討,并在微波單片集成方面作了有成效的工作。然而應(yīng)用行波作用原理來獲得大功率輸出方面,到目前還未見專文討論。本工作主要根據(jù)行波互作用原理(見文獻[4])設(shè)計了一個功率型行波場效應(yīng)器件模型,并對此進行研究測試,取得一些
正 (一)引言 近年來國內(nèi)外對行波型場效應(yīng)器件已開始注意研究,其原因是采用行波相互作用形式能使微波場效應(yīng)管的性能有較大的改進。迄今國外的研究偏重于低電平超寬頻帶放大器的機理探討,并在微波單片集成方面作了有成效的工作。然而應(yīng)用行波作用原理來獲得大功率輸出方面,到目前還未見專文討論。本工作主要根據(jù)行波互作用原理(見文獻[4])設(shè)計了一個功率型行波場效應(yīng)器件模型,并對此進行研究測試,取得一些
1984, 6(3): 247-249.
摘要:
正 (一)引言 非晶硅少子擴散長度對非晶硅太陽電池的性能有重要影響,它是表征非晶硅材料質(zhì)量的重要參數(shù)。最近Dresner和Moore分別用表面光電壓法(SPV法)測量非晶硅少于擴散長度獲得成功。但前者需要超高真空系統(tǒng),樣品表面要經(jīng)過濺射和退火,后者使用非晶硅液體肖特基勢壘,裝置較煩。我們試用頂層淀積了金屬鎳的非晶硅薄膜作樣品,利用鎳和非晶硅膜構(gòu)成的金屬肖特基勢壘進行表面光電壓測量,獲得成功。這樣
正 (一)引言 非晶硅少子擴散長度對非晶硅太陽電池的性能有重要影響,它是表征非晶硅材料質(zhì)量的重要參數(shù)。最近Dresner和Moore分別用表面光電壓法(SPV法)測量非晶硅少于擴散長度獲得成功。但前者需要超高真空系統(tǒng),樣品表面要經(jīng)過濺射和退火,后者使用非晶硅液體肖特基勢壘,裝置較煩。我們試用頂層淀積了金屬鎳的非晶硅薄膜作樣品,利用鎳和非晶硅膜構(gòu)成的金屬肖特基勢壘進行表面光電壓測量,獲得成功。這樣
1984, 6(3): 250-254.
摘要:
正 (一)引言 增透膜廣泛應(yīng)用于激光系統(tǒng)中,用以提高激光工作物質(zhì)的自振閾值,提高輸出功率,減小光學零件的插入損耗。由于激光功率不斷提高,對涂層抗激光性能提出了越來越高的要求。涂層的破壞閾值也成為工作在強流脈沖高功率CO2激光下的涂層的主要設(shè)計參數(shù)。 70年代以來,美國國家標準局創(chuàng)辦?？?報道各種光學材料的激光感應(yīng)破壞。美國
正 (一)引言 增透膜廣泛應(yīng)用于激光系統(tǒng)中,用以提高激光工作物質(zhì)的自振閾值,提高輸出功率,減小光學零件的插入損耗。由于激光功率不斷提高,對涂層抗激光性能提出了越來越高的要求。涂層的破壞閾值也成為工作在強流脈沖高功率CO2激光下的涂層的主要設(shè)計參數(shù)。 70年代以來,美國國家標準局創(chuàng)辦?？?報道各種光學材料的激光感應(yīng)破壞。美國
1984, 6(3): 255-258.
摘要:
正 (一)引言 本文介紹3cm波段速調(diào)管上使用的均勻場聚焦釤鐠鈷(Sm Pr Co)永磁迴路。它的磁間隙長度Lg=67.3mm,間隙處均勻區(qū)最強場強Bmax=2700 Gs,均勻區(qū)的場強波動為4％。SmPrCo磁鋼重5kg,磁系統(tǒng)總重量為8.6kg,用于峰值功率為50kw的速調(diào)管,獲得了滿意的結(jié)果。電子束通過率達9899％。(二)磁迴路的設(shè)計和結(jié)果 聚焦磁場決定于電子槍的光學系統(tǒng)、高頻互作用區(qū)和進入
正 (一)引言 本文介紹3cm波段速調(diào)管上使用的均勻場聚焦釤鐠鈷(Sm Pr Co)永磁迴路。它的磁間隙長度Lg=67.3mm,間隙處均勻區(qū)最強場強Bmax=2700 Gs,均勻區(qū)的場強波動為4％。SmPrCo磁鋼重5kg,磁系統(tǒng)總重量為8.6kg,用于峰值功率為50kw的速調(diào)管,獲得了滿意的結(jié)果。電子束通過率達9899％。(二)磁迴路的設(shè)計和結(jié)果 聚焦磁場決定于電子槍的光學系統(tǒng)、高頻互作用區(qū)和進入
1984, 6(3): 259-261.
摘要:
正 (一)引言 磁控管在8mm波段究竟能否實現(xiàn)同軸結(jié)構(gòu),一度曾有兩種意見:一種認為進入8mm波段只能采用反同軸結(jié)構(gòu);另一種則認為在8mm波段還是能夠?qū)崿F(xiàn)同軸結(jié)構(gòu)的,只不過極靴應(yīng)選用高導磁材料,內(nèi)諧振腔應(yīng)采用高強度無氧銅,并采用線切割方法加工。 目前要得到真空氣密的高導磁材料尚有困難。而線切割加工方法尚多用于科研,用
正 (一)引言 磁控管在8mm波段究竟能否實現(xiàn)同軸結(jié)構(gòu),一度曾有兩種意見:一種認為進入8mm波段只能采用反同軸結(jié)構(gòu);另一種則認為在8mm波段還是能夠?qū)崿F(xiàn)同軸結(jié)構(gòu)的,只不過極靴應(yīng)選用高導磁材料,內(nèi)諧振腔應(yīng)采用高強度無氧銅,并采用線切割方法加工。 目前要得到真空氣密的高導磁材料尚有困難。而線切割加工方法尚多用于科研,用
