郵件訂閱
1984年 第6卷 第2期
顯示方式:
1984, 6(2): 89-95.
摘要:
通過(guò)對(duì)文獻(xiàn)中提出的有關(guān)鋇系統(tǒng)熱陰極的數(shù)據(jù),特別是用近代表面分析儀器所獲得的數(shù)據(jù)的綜合和分析,我們得到一個(gè)統(tǒng)一的理論,即動(dòng)態(tài)表面發(fā)射中心模型。在氧化物陰極中,鋇吸附在堿土金屬氧化物上;在鋇鎢陰極中,鋇吸附在鋁酸鹽或鎢酸鹽等上都可以形成發(fā)射中心。發(fā)射中心應(yīng)該大到足以屏蔽基金屬所產(chǎn)生的勢(shì)場(chǎng),但又應(yīng)小到有利于電子從基金屬到中心的傳遞,最后對(duì)表面發(fā)射中心的組成和動(dòng)態(tài)性質(zhì)也進(jìn)行了討論。
通過(guò)對(duì)文獻(xiàn)中提出的有關(guān)鋇系統(tǒng)熱陰極的數(shù)據(jù),特別是用近代表面分析儀器所獲得的數(shù)據(jù)的綜合和分析,我們得到一個(gè)統(tǒng)一的理論,即動(dòng)態(tài)表面發(fā)射中心模型。在氧化物陰極中,鋇吸附在堿土金屬氧化物上;在鋇鎢陰極中,鋇吸附在鋁酸鹽或鎢酸鹽等上都可以形成發(fā)射中心。發(fā)射中心應(yīng)該大到足以屏蔽基金屬所產(chǎn)生的勢(shì)場(chǎng),但又應(yīng)小到有利于電子從基金屬到中心的傳遞,最后對(duì)表面發(fā)射中心的組成和動(dòng)態(tài)性質(zhì)也進(jìn)行了討論。
1984, 6(2): 166-171.
摘要:
正 (一)引言 用晶體振蕩法測(cè)量陰極蒸發(fā)率,一般是把陰極當(dāng)作點(diǎn)蒸發(fā)源。這可能是為了便于計(jì)算蒸發(fā)率。在其它報(bào)道,例如文獻(xiàn)[3]中,陰極則被當(dāng)作是平面元蒸發(fā)源,蒸發(fā)物接受器被當(dāng)作是陰極面法向上某處的一個(gè)平面元。 本文采取有效措施克服了晶體因溫度變化引起的振蕩頻率漂移(晶體諧振頻率漂移)對(duì)測(cè)量蒸發(fā)率的影響。這不僅提高了測(cè)量蒸發(fā)物引起的振蕩頻率變化(晶體諧振頻率變
正 (一)引言 用晶體振蕩法測(cè)量陰極蒸發(fā)率,一般是把陰極當(dāng)作點(diǎn)蒸發(fā)源。這可能是為了便于計(jì)算蒸發(fā)率。在其它報(bào)道,例如文獻(xiàn)[3]中,陰極則被當(dāng)作是平面元蒸發(fā)源,蒸發(fā)物接受器被當(dāng)作是陰極面法向上某處的一個(gè)平面元。 本文采取有效措施克服了晶體因溫度變化引起的振蕩頻率漂移(晶體諧振頻率漂移)對(duì)測(cè)量蒸發(fā)率的影響。這不僅提高了測(cè)量蒸發(fā)物引起的振蕩頻率變化(晶體諧振頻率變
1984, 6(2): 172-175.
摘要:
正 (一)引言 近年來(lái)InP在光電和微波器件中的應(yīng)用已引起廣泛重視。對(duì)InP的歐姆接觸和肖特基勢(shì)壘已有報(bào)道,這些結(jié)果表明,Bp較Bn大,n-InP的比接觸電阻較p-lnP的低。以InP為襯底的多層結(jié)構(gòu)器件中,表面層有時(shí)是p-InP,因此研究p-InP與接觸金屬界面上的冶金行為和電學(xué)特性,對(duì)改善器件參數(shù)和提高器件的可靠性有實(shí)際意義。對(duì)p-InP與接觸金屬Pd,Mg/Ag,Au-Zn,Mg/Au,Pd/Ag的界面特性,已有用俄歇電子能譜(AES)和電子探針(EP)進(jìn)行的研究結(jié)果
正 (一)引言 近年來(lái)InP在光電和微波器件中的應(yīng)用已引起廣泛重視。對(duì)InP的歐姆接觸和肖特基勢(shì)壘已有報(bào)道,這些結(jié)果表明,Bp較Bn大,n-InP的比接觸電阻較p-lnP的低。以InP為襯底的多層結(jié)構(gòu)器件中,表面層有時(shí)是p-InP,因此研究p-InP與接觸金屬界面上的冶金行為和電學(xué)特性,對(duì)改善器件參數(shù)和提高器件的可靠性有實(shí)際意義。對(duì)p-InP與接觸金屬Pd,Mg/Ag,Au-Zn,Mg/Au,Pd/Ag的界面特性,已有用俄歇電子能譜(AES)和電子探針(EP)進(jìn)行的研究結(jié)果
1984, 6(2): 176-180.
摘要:
正 (一)引言 開(kāi)關(guān)電容(SC)濾波器在1977年被重新提出后,受到了極大的注意。最近,一些作者又利用開(kāi)關(guān)電容方法來(lái)實(shí)現(xiàn)別的模擬電路,如正弦波振蕩器、過(guò)零檢波器和峰值檢波器、跟蹤濾波器、鎖相環(huán)和平衡解調(diào)器、壓控張弛振蕩器,以及模擬延遲線等。 本文描述一種采用感性開(kāi)關(guān)電容的正弦波振蕩器。與文獻(xiàn)[3]中采用并聯(lián)開(kāi)關(guān)電容的方案相比,由于感性開(kāi)關(guān)電容在一個(gè)時(shí)鐘周期Tc內(nèi),完成兩次信息傳輸,因而預(yù)期
正 (一)引言 開(kāi)關(guān)電容(SC)濾波器在1977年被重新提出后,受到了極大的注意。最近,一些作者又利用開(kāi)關(guān)電容方法來(lái)實(shí)現(xiàn)別的模擬電路,如正弦波振蕩器、過(guò)零檢波器和峰值檢波器、跟蹤濾波器、鎖相環(huán)和平衡解調(diào)器、壓控張弛振蕩器,以及模擬延遲線等。 本文描述一種采用感性開(kāi)關(guān)電容的正弦波振蕩器。與文獻(xiàn)[3]中采用并聯(lián)開(kāi)關(guān)電容的方案相比,由于感性開(kāi)關(guān)電容在一個(gè)時(shí)鐘周期Tc內(nèi),完成兩次信息傳輸,因而預(yù)期
1984, 6(2): 96-106.
摘要:
本文簡(jiǎn)要地回顧了傳統(tǒng)上對(duì)天線的要求,并以實(shí)例說(shuō)明隨著近代科學(xué)技術(shù)發(fā)展的需要,天線波束的相位特性應(yīng)該引起重視和研究,在此背景下本文試圖將天線波束相位和孔徑電流分布等有關(guān)問(wèn)題系統(tǒng)化,在前人工作的基礎(chǔ)上,總結(jié)并討論了關(guān)于相位參考點(diǎn)、不同相位參考點(diǎn)的天線方向圖的變換關(guān)系、方向圖的零點(diǎn)電平和相鄰波束間的相位差,線陣電流分布的分解;提出并從理論上證明了天線同相波束的普遍條件和連續(xù)線陣的對(duì)稱波束條件。歸納為幾個(gè)定理,并將這些論述統(tǒng)稱為天線波束相位理論。
本文簡(jiǎn)要地回顧了傳統(tǒng)上對(duì)天線的要求,并以實(shí)例說(shuō)明隨著近代科學(xué)技術(shù)發(fā)展的需要,天線波束的相位特性應(yīng)該引起重視和研究,在此背景下本文試圖將天線波束相位和孔徑電流分布等有關(guān)問(wèn)題系統(tǒng)化,在前人工作的基礎(chǔ)上,總結(jié)并討論了關(guān)于相位參考點(diǎn)、不同相位參考點(diǎn)的天線方向圖的變換關(guān)系、方向圖的零點(diǎn)電平和相鄰波束間的相位差,線陣電流分布的分解;提出并從理論上證明了天線同相波束的普遍條件和連續(xù)線陣的對(duì)稱波束條件。歸納為幾個(gè)定理,并將這些論述統(tǒng)稱為天線波束相位理論。
1984, 6(2): 107-116.
摘要:
天線陣輻射圖型強(qiáng)制零點(diǎn)控制,由于對(duì)定向干擾抑制的有效性,已成為天線陣輻射圖型綜合理論中心課題之一。本文圍繞著這個(gè)課題,對(duì)三維天線陣輻射圈的零點(diǎn)控制進(jìn)行了研究,它包括:用矢量空間方法,分析了多重零點(diǎn)控制的基本關(guān)系;根據(jù)零點(diǎn)本身的擴(kuò)展性,引入了零域的概念,提出了多重強(qiáng)制零域的生成方法;導(dǎo)出了多重零點(diǎn)控制輻射圖型的分解公式;揭示了由主波束和多個(gè)零點(diǎn)強(qiáng)制波束合成多重強(qiáng)制零點(diǎn)輻射圖型的基本規(guī)律;給出了數(shù)值結(jié)果并進(jìn)行了討論;把這一分解原理與自適應(yīng)成零天線陣輻射圖型進(jìn)行了類比。
天線陣輻射圖型強(qiáng)制零點(diǎn)控制,由于對(duì)定向干擾抑制的有效性,已成為天線陣輻射圖型綜合理論中心課題之一。本文圍繞著這個(gè)課題,對(duì)三維天線陣輻射圈的零點(diǎn)控制進(jìn)行了研究,它包括:用矢量空間方法,分析了多重零點(diǎn)控制的基本關(guān)系;根據(jù)零點(diǎn)本身的擴(kuò)展性,引入了零域的概念,提出了多重強(qiáng)制零域的生成方法;導(dǎo)出了多重零點(diǎn)控制輻射圖型的分解公式;揭示了由主波束和多個(gè)零點(diǎn)強(qiáng)制波束合成多重強(qiáng)制零點(diǎn)輻射圖型的基本規(guī)律;給出了數(shù)值結(jié)果并進(jìn)行了討論;把這一分解原理與自適應(yīng)成零天線陣輻射圖型進(jìn)行了類比。
1984, 6(2): 117-124.
摘要:
本文用等效介電常數(shù)法及表面阻抗匹配法分析了耦合陷波鏡象波導(dǎo)的奇偶模傳播特性,進(jìn)而分析了耦合陷波鏡象線耦合器的理論特性,為實(shí)際耦合器的設(shè)計(jì)提供了理論依據(jù)。
本文用等效介電常數(shù)法及表面阻抗匹配法分析了耦合陷波鏡象波導(dǎo)的奇偶模傳播特性,進(jìn)而分析了耦合陷波鏡象線耦合器的理論特性,為實(shí)際耦合器的設(shè)計(jì)提供了理論依據(jù)。
1984, 6(2): 125-136.
摘要:
釔鐵石榴石(YIG)振蕩器具有調(diào)諧范圍寬、調(diào)諧線性好、噪聲低等優(yōu)點(diǎn),在部分覆蓋式微波頻率綜合實(shí)驗(yàn)中,用它作壓控振蕩器(VCO),在 24 GHz 頻段內(nèi),成功地綜合出上萬(wàn)個(gè)具有高穩(wěn)石英晶振穩(wěn)定度和準(zhǔn)確度的微波頻率。本文從理論上研究了磁場(chǎng)滯后效應(yīng)對(duì)此實(shí)驗(yàn)中的YIG鎖相環(huán)非線性性能的影響。用解析近似法推導(dǎo)出存在磁場(chǎng)滯后效應(yīng)的YIG鎖相環(huán)的三個(gè)公式,即平均頻差公式、捕捉時(shí)間公式和捕捉帶公式,公式具有明確的物理意義。實(shí)驗(yàn)表明,捕捉帶公式與實(shí)際測(cè)量結(jié)果有較好的一致性。
釔鐵石榴石(YIG)振蕩器具有調(diào)諧范圍寬、調(diào)諧線性好、噪聲低等優(yōu)點(diǎn),在部分覆蓋式微波頻率綜合實(shí)驗(yàn)中,用它作壓控振蕩器(VCO),在 24 GHz 頻段內(nèi),成功地綜合出上萬(wàn)個(gè)具有高穩(wěn)石英晶振穩(wěn)定度和準(zhǔn)確度的微波頻率。本文從理論上研究了磁場(chǎng)滯后效應(yīng)對(duì)此實(shí)驗(yàn)中的YIG鎖相環(huán)非線性性能的影響。用解析近似法推導(dǎo)出存在磁場(chǎng)滯后效應(yīng)的YIG鎖相環(huán)的三個(gè)公式,即平均頻差公式、捕捉時(shí)間公式和捕捉帶公式,公式具有明確的物理意義。實(shí)驗(yàn)表明,捕捉帶公式與實(shí)際測(cè)量結(jié)果有較好的一致性。
1984, 6(2): 137-146.
摘要:
本文利用電抗補(bǔ)償?shù)母拍顚?duì)集成串聯(lián)體效應(yīng)振蕩器進(jìn)行電抗補(bǔ)償,使調(diào)諧帶寬增加。在C波段,相對(duì)調(diào)諧帶寬達(dá)10％以上;輸出功率大于30毫瓦;起伏小于3dB。給出了調(diào)諧帶寬的解析表達(dá)式和振蕩器電路的設(shè)計(jì)。 這種寬帶集成體效應(yīng)振蕩器采用微帶和同軸相結(jié)合的結(jié)構(gòu)。變并聯(lián)諧振為串聯(lián)諧振,頻率調(diào)整比較方便,在雷達(dá)和通信上得到了廣泛的應(yīng)用。
本文利用電抗補(bǔ)償?shù)母拍顚?duì)集成串聯(lián)體效應(yīng)振蕩器進(jìn)行電抗補(bǔ)償,使調(diào)諧帶寬增加。在C波段,相對(duì)調(diào)諧帶寬達(dá)10％以上;輸出功率大于30毫瓦;起伏小于3dB。給出了調(diào)諧帶寬的解析表達(dá)式和振蕩器電路的設(shè)計(jì)。 這種寬帶集成體效應(yīng)振蕩器采用微帶和同軸相結(jié)合的結(jié)構(gòu)。變并聯(lián)諧振為串聯(lián)諧振,頻率調(diào)整比較方便,在雷達(dá)和通信上得到了廣泛的應(yīng)用。
1984, 6(2): 147-155.
摘要:
本文研究了耦合腔內(nèi)場(chǎng)的相位分布函數(shù)對(duì)駐波場(chǎng)形和耦合阻抗計(jì)算的影響。計(jì)算表明,在不同的相位分布的假定下,負(fù)一次諧波耦合阻抗的計(jì)算值可以相差一倍。
本文研究了耦合腔內(nèi)場(chǎng)的相位分布函數(shù)對(duì)駐波場(chǎng)形和耦合阻抗計(jì)算的影響。計(jì)算表明,在不同的相位分布的假定下,負(fù)一次諧波耦合阻抗的計(jì)算值可以相差一倍。
1984, 6(2): 156-165.
摘要:
本文評(píng)述并探討了-Si:H薄膜在電子學(xué)領(lǐng)域的種種應(yīng)用。-Si:H太陽(yáng)電池是非晶硅薄膜的最重要的器件,目前的主要研究課題仍是改進(jìn)材料性質(zhì)和器件參數(shù),以提高電池的能量轉(zhuǎn)換效率。利用-Si:H靈敏的光敏效應(yīng)記錄圖象信息,可能有廣闊的應(yīng)用前景(如用于攝象管和靜電復(fù)印等)。以-Si:H場(chǎng)效應(yīng)管為基礎(chǔ)的集成電路,易于實(shí)現(xiàn)大面積和結(jié)構(gòu)的立體化,因此有很大吸引力。-Si:H FET驅(qū)動(dòng)的液晶大面積顯示和材料本身的場(chǎng)致發(fā)光在大面積平面顯示中直接應(yīng)用的可能性亦引人注目。以整流、檢測(cè)等為目的的其它-Si:H二極管也都具有相當(dāng)?shù)膬r(jià)值。
本文評(píng)述并探討了-Si:H薄膜在電子學(xué)領(lǐng)域的種種應(yīng)用。-Si:H太陽(yáng)電池是非晶硅薄膜的最重要的器件,目前的主要研究課題仍是改進(jìn)材料性質(zhì)和器件參數(shù),以提高電池的能量轉(zhuǎn)換效率。利用-Si:H靈敏的光敏效應(yīng)記錄圖象信息,可能有廣闊的應(yīng)用前景(如用于攝象管和靜電復(fù)印等)。以-Si:H場(chǎng)效應(yīng)管為基礎(chǔ)的集成電路,易于實(shí)現(xiàn)大面積和結(jié)構(gòu)的立體化,因此有很大吸引力。-Si:H FET驅(qū)動(dòng)的液晶大面積顯示和材料本身的場(chǎng)致發(fā)光在大面積平面顯示中直接應(yīng)用的可能性亦引人注目。以整流、檢測(cè)等為目的的其它-Si:H二極管也都具有相當(dāng)?shù)膬r(jià)值。
