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非晶硅少子擴(kuò)散長(zhǎng)度的測(cè)量

徐樂(lè) 劉啟一

徐樂(lè), 劉啟一. 非晶硅少子擴(kuò)散長(zhǎng)度的測(cè)量[J]. 電子與信息學(xué)報(bào), 1984, 6(3): 247-249.
引用本文: 徐樂(lè), 劉啟一. 非晶硅少子擴(kuò)散長(zhǎng)度的測(cè)量[J]. 電子與信息學(xué)報(bào), 1984, 6(3): 247-249.
Xu Le, Liu Qi-Yi. MEASUREMENT OF DIFFUSION LENGTH OF HOLES IN a-Si:H[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1984, 6(3): 247-249.
Citation: Xu Le, Liu Qi-Yi. MEASUREMENT OF DIFFUSION LENGTH OF HOLES IN a-Si:H[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1984, 6(3): 247-249.

非晶硅少子擴(kuò)散長(zhǎng)度的測(cè)量

MEASUREMENT OF DIFFUSION LENGTH OF HOLES IN a-Si:H

  • 摘要: 正 (一)引言 非晶硅少子擴(kuò)散長(zhǎng)度對(duì)非晶硅太陽(yáng)電池的性能有重要影響,它是表征非晶硅材料質(zhì)量的重要參數(shù)。最近Dresner和Moore分別用表面光電壓法(SPV法)測(cè)量非晶硅少于擴(kuò)散長(zhǎng)度獲得成功。但前者需要超高真空系統(tǒng),樣品表面要經(jīng)過(guò)濺射和退火,后者使用非晶硅液體肖特基勢(shì)壘,裝置較煩。我們?cè)囉庙攲拥矸e了金屬鎳的非晶硅薄膜作樣品,利用鎳和非晶硅膜構(gòu)成的金屬肖特基勢(shì)壘進(jìn)行表面光電壓測(cè)量,獲得成功。這樣
      關(guān)鍵詞:
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  • J. Dresner, D. J. Szostak and B. Goldstein, Appl. Phys. Lett., 38(1981), 998.[3]A. R. Moore, Appl. Phys. Lett., 40(1982), 403.[7]R. O. Bell, Appl. Phys. Lett., 36(1980), 936.
  • 加載中
計(jì)量
  • 文章訪(fǎng)問(wèn)數(shù):  2141
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  • 被引次數(shù): 0
出版歷程
  • 收稿日期:  1983-11-11
  • 刊出日期:  1984-05-19

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