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1988年 第10卷 第3期
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1988, 10(3): 193-201.
摘要:
格型濾波器在數(shù)值計(jì)算性能和結(jié)構(gòu)的模塊化等方面都優(yōu)于直接型,但實(shí)現(xiàn)起來(lái)較復(fù)雜。本文提出一種實(shí)現(xiàn)PIR數(shù)字濾波器的簡(jiǎn)化格型結(jié)構(gòu),它所需的硬件設(shè)備量只有常規(guī)格型實(shí)現(xiàn)時(shí)的一半,與直接型實(shí)現(xiàn)時(shí)相當(dāng)。文中給出了從直接型到簡(jiǎn)化格型的綜合算法。并對(duì)線性相位FIR數(shù)字濾波器的格型綜合算法作了簡(jiǎn)化。用實(shí)例演示了本文的主要結(jié)論。
格型濾波器在數(shù)值計(jì)算性能和結(jié)構(gòu)的模塊化等方面都優(yōu)于直接型,但實(shí)現(xiàn)起來(lái)較復(fù)雜。本文提出一種實(shí)現(xiàn)PIR數(shù)字濾波器的簡(jiǎn)化格型結(jié)構(gòu),它所需的硬件設(shè)備量只有常規(guī)格型實(shí)現(xiàn)時(shí)的一半,與直接型實(shí)現(xiàn)時(shí)相當(dāng)。文中給出了從直接型到簡(jiǎn)化格型的綜合算法。并對(duì)線性相位FIR數(shù)字濾波器的格型綜合算法作了簡(jiǎn)化。用實(shí)例演示了本文的主要結(jié)論。
1988, 10(3): 202-209.
摘要:
本文以梯形網(wǎng)絡(luò)為討論對(duì)象,提出可約分的獨(dú)立割集和可約分的獨(dú)立回路的概念。從而導(dǎo)出結(jié)構(gòu)分析法,解決了常規(guī)網(wǎng)絡(luò)分析法中某些研究得尚不透徹的問(wèn)題。結(jié)構(gòu)分析的結(jié)果與狀態(tài)空間分析法所得結(jié)果完全一致,而且使用簡(jiǎn)便。最后給出了實(shí)例。
本文以梯形網(wǎng)絡(luò)為討論對(duì)象,提出可約分的獨(dú)立割集和可約分的獨(dú)立回路的概念。從而導(dǎo)出結(jié)構(gòu)分析法,解決了常規(guī)網(wǎng)絡(luò)分析法中某些研究得尚不透徹的問(wèn)題。結(jié)構(gòu)分析的結(jié)果與狀態(tài)空間分析法所得結(jié)果完全一致,而且使用簡(jiǎn)便。最后給出了實(shí)例。
1988, 10(3): 210-217.
摘要:
本文提出了分析計(jì)算內(nèi)導(dǎo)體偏置的矩形屏蔽帶狀線電容的部分模擬電荷法。電容計(jì)算值和實(shí)驗(yàn)結(jié)果吻合較好。此方法可通過(guò)增大級(jí)數(shù)項(xiàng)數(shù)來(lái)提高計(jì)算精度。
本文提出了分析計(jì)算內(nèi)導(dǎo)體偏置的矩形屏蔽帶狀線電容的部分模擬電荷法。電容計(jì)算值和實(shí)驗(yàn)結(jié)果吻合較好。此方法可通過(guò)增大級(jí)數(shù)項(xiàng)數(shù)來(lái)提高計(jì)算精度。
1988, 10(3): 218-227.
摘要:
本文將耦合波理論和變分原理用于探求鐵氧體變極化效應(yīng)的最佳磁化場(chǎng),并用計(jì)算機(jī)進(jìn)行了數(shù)值計(jì)算,畫(huà)出了幾種情況的最佳磁力線形狀,理論計(jì)算與實(shí)驗(yàn)結(jié)果基本相符。
本文將耦合波理論和變分原理用于探求鐵氧體變極化效應(yīng)的最佳磁化場(chǎng),并用計(jì)算機(jī)進(jìn)行了數(shù)值計(jì)算,畫(huà)出了幾種情況的最佳磁力線形狀,理論計(jì)算與實(shí)驗(yàn)結(jié)果基本相符。
1988, 10(3): 228-237.
摘要:
本文應(yīng)用規(guī)范型分段線性法進(jìn)行了非線性直流故障電路的分析,求解了預(yù)先選為測(cè)試端口的端口電壓值。該法需要的貯存量少,經(jīng)有限步即可得到解答,計(jì)算效率高,并且適用于含有多端口非線性元件的電路,是一個(gè)故障診斷測(cè)試前模擬法,是分析測(cè)試前故障電路的好方法。
本文應(yīng)用規(guī)范型分段線性法進(jìn)行了非線性直流故障電路的分析,求解了預(yù)先選為測(cè)試端口的端口電壓值。該法需要的貯存量少,經(jīng)有限步即可得到解答,計(jì)算效率高,并且適用于含有多端口非線性元件的電路,是一個(gè)故障診斷測(cè)試前模擬法,是分析測(cè)試前故障電路的好方法。
1988, 10(3): 238-243.
摘要:
本文提出了通過(guò)優(yōu)化副反射面使同一焦距不同口徑的主反射面共用一套加工模具的雙反射面天線主面面板模具共享技術(shù)。提出了一種快速收斂?jī)?yōu)化方法,并將其應(yīng)用于主面共享設(shè)計(jì),取得了較為滿意的結(jié)果。
本文提出了通過(guò)優(yōu)化副反射面使同一焦距不同口徑的主反射面共用一套加工模具的雙反射面天線主面面板模具共享技術(shù)。提出了一種快速收斂?jī)?yōu)化方法,并將其應(yīng)用于主面共享設(shè)計(jì),取得了較為滿意的結(jié)果。
1988, 10(3): 244-251.
摘要:
激光微波管(lasertron)是80年代發(fā)展的超大功率微波源,目前尚處在研究的初期階段。本文介紹了激光微波管的基本原理,并進(jìn)行了一維分析。計(jì)算模型比較簡(jiǎn)單,但已經(jīng)可以看出與常規(guī)微波管不同的許多特點(diǎn)。數(shù)值計(jì)算結(jié)果顯示出了空間電荷影響的嚴(yán)重性。文中最后指出研究激光微波管遇到的一些關(guān)鍵技術(shù)問(wèn)題。
激光微波管(lasertron)是80年代發(fā)展的超大功率微波源,目前尚處在研究的初期階段。本文介紹了激光微波管的基本原理,并進(jìn)行了一維分析。計(jì)算模型比較簡(jiǎn)單,但已經(jīng)可以看出與常規(guī)微波管不同的許多特點(diǎn)。數(shù)值計(jì)算結(jié)果顯示出了空間電荷影響的嚴(yán)重性。文中最后指出研究激光微波管遇到的一些關(guān)鍵技術(shù)問(wèn)題。
1988, 10(3): 252-257.
摘要:
在迴旋管中圓截面諧振腔與圓環(huán)電子束相互作用是最合理的。但在這種腔中有與主模諧振頻率極接近的雜模存在,本文探討在相互作用區(qū)仍用圓截面諧振腔,而在互作用區(qū)外加進(jìn)一段特殊設(shè)計(jì)的緩變橢圓過(guò)渡段用來(lái)抑制雜模的可能性。我們這樣設(shè)計(jì),其雜模場(chǎng)強(qiáng)能夠延伸進(jìn)過(guò)渡段而主模場(chǎng)強(qiáng)則不行;再在過(guò)渡段中加載,使其起到抑制雜模而保存主模(cTE0n和sTE1n)的作用。
在迴旋管中圓截面諧振腔與圓環(huán)電子束相互作用是最合理的。但在這種腔中有與主模諧振頻率極接近的雜模存在,本文探討在相互作用區(qū)仍用圓截面諧振腔,而在互作用區(qū)外加進(jìn)一段特殊設(shè)計(jì)的緩變橢圓過(guò)渡段用來(lái)抑制雜模的可能性。我們這樣設(shè)計(jì),其雜模場(chǎng)強(qiáng)能夠延伸進(jìn)過(guò)渡段而主模場(chǎng)強(qiáng)則不行;再在過(guò)渡段中加載,使其起到抑制雜模而保存主模(cTE0n和sTE1n)的作用。
1988, 10(3): 258-262.
摘要:
本文提出了一種新的由兩個(gè)運(yùn)放、五個(gè)電容組成的有源C帶阻濾波器,該濾波器能實(shí)現(xiàn)低通、低通帶阻、帶通、對(duì)稱帶阻網(wǎng)絡(luò)功能,其極點(diǎn)參數(shù)0和Q可以獨(dú)立調(diào)整。文中不但給出了實(shí)驗(yàn)結(jié)果和計(jì)算實(shí)例,還分析了在0點(diǎn)衰減為有限值的原因。
本文提出了一種新的由兩個(gè)運(yùn)放、五個(gè)電容組成的有源C帶阻濾波器,該濾波器能實(shí)現(xiàn)低通、低通帶阻、帶通、對(duì)稱帶阻網(wǎng)絡(luò)功能,其極點(diǎn)參數(shù)0和Q可以獨(dú)立調(diào)整。文中不但給出了實(shí)驗(yàn)結(jié)果和計(jì)算實(shí)例,還分析了在0點(diǎn)衰減為有限值的原因。
1988, 10(3): 263-268.
摘要:
本文導(dǎo)出了兩層介質(zhì)填充的矩型波導(dǎo)的色散方程的解析表達(dá)式,討論了填充多層介質(zhì)的矩型波導(dǎo)的色散方程的有趣特點(diǎn),計(jì)算了有效介電常數(shù),對(duì)工程應(yīng)用有參考意義。
本文導(dǎo)出了兩層介質(zhì)填充的矩型波導(dǎo)的色散方程的解析表達(dá)式,討論了填充多層介質(zhì)的矩型波導(dǎo)的色散方程的有趣特點(diǎn),計(jì)算了有效介電常數(shù),對(duì)工程應(yīng)用有參考意義。
1988, 10(3): 269-272.
摘要:
本文提出用Lorentz變換的方法來(lái)解決運(yùn)動(dòng)光波導(dǎo)的傳播問(wèn)題。且在實(shí)驗(yàn)室參照系中得出TE模的傳播特性。
本文提出用Lorentz變換的方法來(lái)解決運(yùn)動(dòng)光波導(dǎo)的傳播問(wèn)題。且在實(shí)驗(yàn)室參照系中得出TE模的傳播特性。
1988, 10(3): 273-278.
摘要:
本文在運(yùn)用Babinet原理分析邊緣等效電路的基礎(chǔ)上根據(jù)橫向諧振關(guān)系建立色散方程。首次獲得了由于輻射引起的衰減常數(shù);解釋了漏波場(chǎng)。所得結(jié)果與實(shí)驗(yàn)吻合較好。
本文在運(yùn)用Babinet原理分析邊緣等效電路的基礎(chǔ)上根據(jù)橫向諧振關(guān)系建立色散方程。首次獲得了由于輻射引起的衰減常數(shù);解釋了漏波場(chǎng)。所得結(jié)果與實(shí)驗(yàn)吻合較好。
1988, 10(3): 279-284.
摘要:
襯底硅中缺陷的控制和利用對(duì)半導(dǎo)體器件,尤其是LSI、VLSI電路極為重要。本文報(bào)道了有關(guān)這方面研究的一些實(shí)驗(yàn)結(jié)果。與未經(jīng)處理的硅片相比,用IG法處理過(guò)的硅片,其n+p結(jié)的漏電流和MOS產(chǎn)生壽命可分別改善13和12個(gè)數(shù)量級(jí),而用CCG法處理過(guò)的二極管的合格率可提高將近2倍。為了滿足LSI、VLSI電路對(duì)襯底質(zhì)量提出日益苛刻的要求,作者認(rèn)為應(yīng)聯(lián)合實(shí)行兩種或多種缺陷控制方法。
襯底硅中缺陷的控制和利用對(duì)半導(dǎo)體器件,尤其是LSI、VLSI電路極為重要。本文報(bào)道了有關(guān)這方面研究的一些實(shí)驗(yàn)結(jié)果。與未經(jīng)處理的硅片相比,用IG法處理過(guò)的硅片,其n+p結(jié)的漏電流和MOS產(chǎn)生壽命可分別改善13和12個(gè)數(shù)量級(jí),而用CCG法處理過(guò)的二極管的合格率可提高將近2倍。為了滿足LSI、VLSI電路對(duì)襯底質(zhì)量提出日益苛刻的要求,作者認(rèn)為應(yīng)聯(lián)合實(shí)行兩種或多種缺陷控制方法。
1988, 10(3): 285-288.
摘要:
本文描述一種用LPCVD方法淀積Si3N4形成太陽(yáng)電池減反射膜(AR)同時(shí)又制得高效率硅太陽(yáng)電池鋁合金高低結(jié)背面場(chǎng)(BSF)的新工藝。該工藝不僅簡(jiǎn)化了太陽(yáng)電池的制作過(guò)程,即電池的AR和BSY一次形成,而且由于系統(tǒng)處于高真空,電池處在N2和H2的氣氛中,所以改善了太陽(yáng)電池發(fā)射區(qū)的表面特性。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明:為獲得較好的電池性能,在完成電池的AR和BSF時(shí),厚的鋁膜,較高的淀積Si3N4溫度以及在電池發(fā)射區(qū)表面生長(zhǎng)80100的SiO2層是必要的。
本文描述一種用LPCVD方法淀積Si3N4形成太陽(yáng)電池減反射膜(AR)同時(shí)又制得高效率硅太陽(yáng)電池鋁合金高低結(jié)背面場(chǎng)(BSF)的新工藝。該工藝不僅簡(jiǎn)化了太陽(yáng)電池的制作過(guò)程,即電池的AR和BSY一次形成,而且由于系統(tǒng)處于高真空,電池處在N2和H2的氣氛中,所以改善了太陽(yáng)電池發(fā)射區(qū)的表面特性。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明:為獲得較好的電池性能,在完成電池的AR和BSF時(shí),厚的鋁膜,較高的淀積Si3N4溫度以及在電池發(fā)射區(qū)表面生長(zhǎng)80100的SiO2層是必要的。
