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內導體偏置對矩形帶狀線電容影響的分析

馬西奎

馬西奎. 內導體偏置對矩形帶狀線電容影響的分析[J]. 電子與信息學報, 1988, 10(3): 210-217.
引用本文: 馬西奎. 內導體偏置對矩形帶狀線電容影響的分析[J]. 電子與信息學報, 1988, 10(3): 210-217.
Ma Xikui. ANALYSIS OF EFFECT ON THE CAPACITANCE OF RECTANGULAR COAXIAL LINE WITH OFFSET INNER CONDUCTOR[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1988, 10(3): 210-217.
Citation: Ma Xikui. ANALYSIS OF EFFECT ON THE CAPACITANCE OF RECTANGULAR COAXIAL LINE WITH OFFSET INNER CONDUCTOR[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1988, 10(3): 210-217.

內導體偏置對矩形帶狀線電容影響的分析

ANALYSIS OF EFFECT ON THE CAPACITANCE OF RECTANGULAR COAXIAL LINE WITH OFFSET INNER CONDUCTOR

  • 摘要: 本文提出了分析計算內導體偏置的矩形屏蔽帶狀線電容的部分模擬電荷法。電容計算值和實驗結果吻合較好。此方法可通過增大級數(shù)項數(shù)來提高計算精度。
  • S. B. Chon, IRE Trans on MTT, MTT-3(1955), 29-38.[2]J. C. Tippet, D. C. Chang, IEEE Trans. on MTT, MTT-26(1978), 876-883.[3]G. M. Anderson, AIEE Trans., 69(1950), 728-731.[4]H. Shibata, IEEE Trans on MTT, MTT-31(1983), 385-391.[5]H. J. Riblet, IEEE Trans on MTT, MTT-27(1979), 294-298.[6]H. Shibata, IEEE Trans on MTT, MTT-30(1982), 1264-1267.[7]馬西奎,電子科學學刊,8(1986), 309-316.[8]T. Chen, IRE Trans on MTT, MTT-8(1960), 510-519.[9]寧超, 電工基礎實驗指導書, 高等教育出版社, 1986,第99頁.[10]周文表, 電子科學學刊, 8(1986), 389-396.[11]潘生根, 中國科學(A輯),1986年,第9期,第999頁.[12]W. Lin, IEEE Trans on MTT, MTT-30(1984), 1981-1988.[13]曾令儒, 中國科學(A輯), 1983年, 第4期, 第357頁.
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出版歷程
  • 收稿日期:  1986-08-16
  • 修回日期:  1987-09-28
  • 刊出日期:  1988-05-19

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