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硅襯底中缺陷的控制和利用

許康,  王為林,  史遵蘭

許康, 王為林, 史遵蘭. 硅襯底中缺陷的控制和利用[J]. 電子與信息學報, 1988, 10(3): 279-284.
引用本文: 許康, 王為林, 史遵蘭. 硅襯底中缺陷的控制和利用[J]. 電子與信息學報, 1988, 10(3): 279-284.
Shi Zunlan Luo Guichang, He Dezhan, Shao Haiwen. CONTROL AND UTILIZATION OF DEFECTS IN SILICON SUBSTRATES[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1988, 10(3): 279-284.
Citation: Shi Zunlan Luo Guichang, He Dezhan, Shao Haiwen. CONTROL AND UTILIZATION OF DEFECTS IN SILICON SUBSTRATES[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1988, 10(3): 279-284.

硅襯底中缺陷的控制和利用

CONTROL AND UTILIZATION OF DEFECTS IN SILICON SUBSTRATES

  • 摘要: 襯底硅中缺陷的控制和利用對半導體器件,尤其是LSI、VLSI電路極為重要。本文報道了有關這方面研究的一些實驗結果。與未經(jīng)處理的硅片相比,用IG法處理過的硅片,其n+p結的漏電流和MOS產生壽命可分別改善13和12個數(shù)量級,而用CCG法處理過的二極管的合格率可提高將近2倍。為了滿足LSI、VLSI電路對襯底質量提出日益苛刻的要求,作者認為應聯(lián)合實行兩種或多種缺陷控制方法。
    Abstract: Some experimental results are reported and discussed. The n+p junction leakage currents and the MOS generation lifetimes of wafers pretreated by the 1G method can be improved by 1-3 and 1-2 orders of magnetitute respectively, while the yields of diodes mode from silicon wafers pretreated by the chlorine oxidation gettring are approximately 3 times of those untreated. It is suggested that a combination of 2 or more defect control methods are necessary to meet the increasingly stringent demands of silicon substrates quality required for LSI, VLSI circuits.
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  • S. M. Hu, J. Vac. Sci. Technol., 14(1977), 17.[2]I. Jastraebesk, IEEE Trans. on SC, SC-17(1982), 105.[3]許康,半導體雜志,1983年,第4期,第12頁;第5期,第21頁.[4]J. E. Lawrence, H. R. Huff, in VLSI Electronic Microstructure Science,N G. Eingspruch ed., Vol.5, Academic Press, N. Y. (1982), p. 51.[5]H. R. Huff, Solid Stute Technol.,26(1983), 2, 89; 26(1983) 4, 211.[6]T. Hattorl, Electrochem Soc., 125(1976), 945; Solid State Technol.,22(1979) 11, 85.[7]S. Kishino, Appl. Phys. Lett, 32(1978), 11.[8]許康等,科技通訊,1983年,第2期,第23頁.[9]T. Y. Dan, et al.,Appl. Phys. Lett, 30(1977), 175.[10]許康等,CIE 第3屆全國半導體IC及Si材料學術會論文集,1983年,第93頁.[11]C. Cleeys, et al., Semiconductor Silicon, Princeton, N. J., Electrochem. Soc., (1981), 730.[12]S. M. Hu, J. Appl, Phys., 52(1981), 3974.[13]C.W. Perce, et al., J. Appl. Phys., 11(1981), 705.[14]L. E. Katz, et al., J. Electrochem. Soc.,128(1981), 620.[15]許康,物理,14(1985),535.[16]C. R. Reed, K. M. Mar. J. Electrochem. So.c, 127(1980), 2085.[17]Chang Ou-Lee, P. J. Tobin, J. Electrochem. Soc., 133(1986). 2147.
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出版歷程
  • 收稿日期:  1986-04-14
  • 修回日期:  1987-04-13
  • 刊出日期:  1988-05-19

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