郵件訂閱
1983年 第5卷 第1期
1983, 5(1): 1-5.
摘要:
作者曾提出利用王氏代數(shù)產(chǎn)生圖的全部哈密頓圈,本文繼續(xù)研究了這種算法。為了簡化計(jì)算,給出一個(gè)關(guān)于王積度數(shù)約束的定理,為了避免算法中的不必要的重復(fù),提出一種改進(jìn)的方法。 最后討論了本算法在布線設(shè)計(jì)中的應(yīng)用等。
作者曾提出利用王氏代數(shù)產(chǎn)生圖的全部哈密頓圈,本文繼續(xù)研究了這種算法。為了簡化計(jì)算,給出一個(gè)關(guān)于王積度數(shù)約束的定理,為了避免算法中的不必要的重復(fù),提出一種改進(jìn)的方法。 最后討論了本算法在布線設(shè)計(jì)中的應(yīng)用等。
1983, 5(1): 6-15.
摘要:
本文討論了用有限元法求解非均勻介質(zhì)填充波導(dǎo)本征值問題的具體過程。給出了有關(guān)的計(jì)算公式和程序。作為例子,對(duì)條形介質(zhì)填充矩形波導(dǎo)主模場(chǎng)結(jié)構(gòu)的分析和色散特性的計(jì)算,獲得了與解析解十分一致的結(jié)果,從而證實(shí)了所述程序的可靠性。
本文討論了用有限元法求解非均勻介質(zhì)填充波導(dǎo)本征值問題的具體過程。給出了有關(guān)的計(jì)算公式和程序。作為例子,對(duì)條形介質(zhì)填充矩形波導(dǎo)主模場(chǎng)結(jié)構(gòu)的分析和色散特性的計(jì)算,獲得了與解析解十分一致的結(jié)果,從而證實(shí)了所述程序的可靠性。
1983, 5(1): 24-31.
摘要:
本文用磁流體力學(xué)方程組推導(dǎo)了縱向磁化迴旋漂移相對(duì)論電子束的介電張量,然后將迴旋行波管作為部分填充各向異性介質(zhì)的波導(dǎo),計(jì)算了各本征模之間的耦合系數(shù)。計(jì)算結(jié)果表明,只有角向變化次數(shù)相同的模才發(fā)生耦合。本文對(duì)工作在非基模的迴旋脈塞器件估計(jì)模式純度有一定實(shí)用價(jià)值。
本文用磁流體力學(xué)方程組推導(dǎo)了縱向磁化迴旋漂移相對(duì)論電子束的介電張量,然后將迴旋行波管作為部分填充各向異性介質(zhì)的波導(dǎo),計(jì)算了各本征模之間的耦合系數(shù)。計(jì)算結(jié)果表明,只有角向變化次數(shù)相同的模才發(fā)生耦合。本文對(duì)工作在非基模的迴旋脈塞器件估計(jì)模式純度有一定實(shí)用價(jià)值。
1983, 5(1): 32-37.
摘要:
本文敘述了適用于軸對(duì)稱強(qiáng)流電子光學(xué)系統(tǒng)各種磁結(jié)構(gòu)的部分屏蔽流過渡區(qū)的設(shè)計(jì)方法。通過綜合選取磁系統(tǒng)和電子槍參數(shù),實(shí)現(xiàn)了磁系統(tǒng)與電子槍的最佳匹配,獲得了屏蔽系數(shù)大于0.8,波動(dòng)小于1％的電子注。
本文敘述了適用于軸對(duì)稱強(qiáng)流電子光學(xué)系統(tǒng)各種磁結(jié)構(gòu)的部分屏蔽流過渡區(qū)的設(shè)計(jì)方法。通過綜合選取磁系統(tǒng)和電子槍參數(shù),實(shí)現(xiàn)了磁系統(tǒng)與電子槍的最佳匹配,獲得了屏蔽系數(shù)大于0.8,波動(dòng)小于1％的電子注。
1983, 5(1): 38-48.
摘要:
電視攝象管用于脈沖曝光時(shí),會(huì)顯出靈敏度下降和圖象質(zhì)量變壞。為了克服這些缺點(diǎn),可以用在陰極上加適當(dāng)?shù)钠珘好}沖,并延遲讀出的方法?？紤]到隔行掃描的電子束在靶面上部分地相互重疊所造成的靶面的復(fù)雜情況,可把靶面上的掃描光柵分為兩部分,然后分別分析這兩部分脈沖曝光后的訊號(hào)電流。 導(dǎo)出的公式可以計(jì)算訊號(hào)電流特性,這些公式在設(shè)計(jì)攝象機(jī)中的r校正器時(shí)是有用的。 為了表明陰極偏壓的作用,計(jì)算了某些情況下的訊號(hào)電流特性。對(duì)于實(shí)際應(yīng)用,加適當(dāng)?shù)年帢O偏壓是有實(shí)際意義的。最后,本文指出什么樣的攝象管適用于脈沖攝象。
電視攝象管用于脈沖曝光時(shí),會(huì)顯出靈敏度下降和圖象質(zhì)量變壞。為了克服這些缺點(diǎn),可以用在陰極上加適當(dāng)?shù)钠珘好}沖,并延遲讀出的方法?？紤]到隔行掃描的電子束在靶面上部分地相互重疊所造成的靶面的復(fù)雜情況,可把靶面上的掃描光柵分為兩部分,然后分別分析這兩部分脈沖曝光后的訊號(hào)電流。 導(dǎo)出的公式可以計(jì)算訊號(hào)電流特性,這些公式在設(shè)計(jì)攝象機(jī)中的r校正器時(shí)是有用的。 為了表明陰極偏壓的作用,計(jì)算了某些情況下的訊號(hào)電流特性。對(duì)于實(shí)際應(yīng)用,加適當(dāng)?shù)年帢O偏壓是有實(shí)際意義的。最后,本文指出什么樣的攝象管適用于脈沖攝象。
1983, 5(1): 49-53.
摘要:
本文敘述了無鏡遠(yuǎn)紅外激光器的結(jié)構(gòu)及其實(shí)驗(yàn)結(jié)果。用可調(diào)諧TEA CO2激光器作為泵浦源,其輸出能量在9P(20),9R(22)線上均可達(dá)1J左右。用CO29P(20)線泵浦CH3F分子,獲得了能量為0.5mJ,波長為496m的激光輸出;用9R(22)線泵浦D2O分子,獲得了能量為1mJ,波長為385m的激光輸出。輸出能量和波長是分別用熱電堆和Fabry-Perot干涉儀測(cè)量的。
本文敘述了無鏡遠(yuǎn)紅外激光器的結(jié)構(gòu)及其實(shí)驗(yàn)結(jié)果。用可調(diào)諧TEA CO2激光器作為泵浦源,其輸出能量在9P(20),9R(22)線上均可達(dá)1J左右。用CO29P(20)線泵浦CH3F分子,獲得了能量為0.5mJ,波長為496m的激光輸出;用9R(22)線泵浦D2O分子,獲得了能量為1mJ,波長為385m的激光輸出。輸出能量和波長是分別用熱電堆和Fabry-Perot干涉儀測(cè)量的。
1983, 5(1): 16-23.
摘要:
本文介紹了Ga-AsCl3-H2體系,研究了氣相外延時(shí)硫的摻雜行為,討論了硫的摻雜機(jī)理和生長了亞微米薄層。制得的亞微米外延層的質(zhì)量表明,表面形貌良好,缺陷少,重復(fù)性好。典型的電學(xué)性質(zhì)為:當(dāng)厚度0.4m和濃度為121017/cm3時(shí),擊穿電壓VB=710V。在單層和多層外延結(jié)構(gòu)中,界面濃度基本是突變的,過渡區(qū)約0.1m。這些外延片已用于制備變?nèi)莨芎瓦h(yuǎn)紅外探測(cè)器等。
本文介紹了Ga-AsCl3-H2體系,研究了氣相外延時(shí)硫的摻雜行為,討論了硫的摻雜機(jī)理和生長了亞微米薄層。制得的亞微米外延層的質(zhì)量表明,表面形貌良好,缺陷少,重復(fù)性好。典型的電學(xué)性質(zhì)為:當(dāng)厚度0.4m和濃度為121017/cm3時(shí),擊穿電壓VB=710V。在單層和多層外延結(jié)構(gòu)中,界面濃度基本是突變的,過渡區(qū)約0.1m。這些外延片已用于制備變?nèi)莨芎瓦h(yuǎn)紅外探測(cè)器等。
1983, 5(1): 54-57.
摘要:
正 (一)引言 我們知道,在真空條件下可以由化學(xué)反應(yīng)產(chǎn)生氧,例如,加熱氧化亞銅、氧化錳或過氧化鋇等;也可通過真空閥門向真空室內(nèi)放入純氧;而通過加熱銀管向系統(tǒng)內(nèi)放入高純氧則是較簡便的方法,這是本文所要討論的內(nèi)容。當(dāng)然,更新的獲取高純氧的方法是用氧化鈣穩(wěn)定氧化鋯作滲透膜。 (二)實(shí)驗(yàn)技術(shù)和結(jié)果 我們的實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)如圖1所示。它包括抽速為60l/s的三極式濺射鈦離子泵(日本
正 (一)引言 我們知道,在真空條件下可以由化學(xué)反應(yīng)產(chǎn)生氧,例如,加熱氧化亞銅、氧化錳或過氧化鋇等;也可通過真空閥門向真空室內(nèi)放入純氧;而通過加熱銀管向系統(tǒng)內(nèi)放入高純氧則是較簡便的方法,這是本文所要討論的內(nèi)容。當(dāng)然,更新的獲取高純氧的方法是用氧化鈣穩(wěn)定氧化鋯作滲透膜。 (二)實(shí)驗(yàn)技術(shù)和結(jié)果 我們的實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)如圖1所示。它包括抽速為60l/s的三極式濺射鈦離子泵(日本
1983, 5(1): 58-63.
摘要:
正 單通道電子倍增器(簡稱CEM)作為輻射探測(cè)器已應(yīng)用于有關(guān)科技領(lǐng)域。本實(shí)驗(yàn)的目的在于了解在包含光電陰極和CEM的器件內(nèi),烘烤溫度和Cs蒸汽對(duì)CEM的電阻和電子增益的影響。 (一)實(shí)驗(yàn)裝置和測(cè)量方法 實(shí)驗(yàn)測(cè)量裝置原理圖如圖1所示
正 單通道電子倍增器(簡稱CEM)作為輻射探測(cè)器已應(yīng)用于有關(guān)科技領(lǐng)域。本實(shí)驗(yàn)的目的在于了解在包含光電陰極和CEM的器件內(nèi),烘烤溫度和Cs蒸汽對(duì)CEM的電阻和電子增益的影響。 (一)實(shí)驗(yàn)裝置和測(cè)量方法 實(shí)驗(yàn)測(cè)量裝置原理圖如圖1所示
1983, 5(1): 64-65.
摘要:
正 隨著各種特殊電真空器件和電子束設(shè)備的發(fā)展,要求陰極能適應(yīng)相應(yīng)的環(huán)境。如密封油膜光閥管,就需要能抵抗油蒸汽中毒的陰極。國外使用一種含釷的儲(chǔ)備式陰極,但釷有放射性污染。我們研制了一種沒有放射性污染的鑭鎢陰極。Albert等人曾發(fā)表過這類陰極的發(fā)射數(shù)據(jù)。Gallagher報(bào)道過這類陰極抗氧中毒的性能。但迄今,尚未見到這類陰極的其他性能和運(yùn)用情況的報(bào)道。 幾年來,我們對(duì)鑭鎢陰極進(jìn)行了研究,選擇了一種新配方,做出了以WC,La,Pt三
正 隨著各種特殊電真空器件和電子束設(shè)備的發(fā)展,要求陰極能適應(yīng)相應(yīng)的環(huán)境。如密封油膜光閥管,就需要能抵抗油蒸汽中毒的陰極。國外使用一種含釷的儲(chǔ)備式陰極,但釷有放射性污染。我們研制了一種沒有放射性污染的鑭鎢陰極。Albert等人曾發(fā)表過這類陰極的發(fā)射數(shù)據(jù)。Gallagher報(bào)道過這類陰極抗氧中毒的性能。但迄今,尚未見到這類陰極的其他性能和運(yùn)用情況的報(bào)道。 幾年來,我們對(duì)鑭鎢陰極進(jìn)行了研究,選擇了一種新配方,做出了以WC,La,Pt三
1983, 5(1): 66-66.
摘要:
正 在微波器件和精密儀器中,要求所用的永磁材料在很寬的溫度范圍內(nèi)磁通基本保持不變,亦即要求所用的永磁材料具有很低的可逆溫度系數(shù)()。鋁鎳鈷、鐵氧體、鉑鈷和普通的稀土鈷永磁材料均不能滿足上述要求。我們根據(jù)輕稀土鈷和重稀土鈷化合物的磁化強(qiáng)度隨溫度變化的相反性質(zhì),即輕稀土鈷化合物的磁化強(qiáng)度隨溫度增加而降低,而重稀土鈷化合物的磁化強(qiáng)度在一定溫度范圍內(nèi)隨溫度增加而增加。通過用重稀土Gd、Er取代SmCo5中一部分Sm,并適當(dāng)調(diào)節(jié)Sm與Gd、Er之間的比例,制備成了可逆溫度系
正 在微波器件和精密儀器中,要求所用的永磁材料在很寬的溫度范圍內(nèi)磁通基本保持不變,亦即要求所用的永磁材料具有很低的可逆溫度系數(shù)()。鋁鎳鈷、鐵氧體、鉑鈷和普通的稀土鈷永磁材料均不能滿足上述要求。我們根據(jù)輕稀土鈷和重稀土鈷化合物的磁化強(qiáng)度隨溫度變化的相反性質(zhì),即輕稀土鈷化合物的磁化強(qiáng)度隨溫度增加而降低,而重稀土鈷化合物的磁化強(qiáng)度在一定溫度范圍內(nèi)隨溫度增加而增加。通過用重稀土Gd、Er取代SmCo5中一部分Sm,并適當(dāng)調(diào)節(jié)Sm與Gd、Er之間的比例,制備成了可逆溫度系
1983, 5(1): 67-68.
摘要:
正 控制柵柵網(wǎng)是柵控脈沖行波管的關(guān)鍵部件之一。這種柵網(wǎng)是由鉬片經(jīng)電火花加工制成的。制成的柵網(wǎng)的網(wǎng)絲上常常有毛刺和其它黑色附著物。這些附著物不易清除干凈并因此往往造成管子打火,柵極截獲電流偏大,從而影響管子的性能和成品率。因此,設(shè)法將柵網(wǎng)表面處理干凈是十分重要的。 清除柵網(wǎng)表面附著物目前通常用手工去除毛刺和金剛砂超聲處理,但效果較差。為了尋求一種較有效的處理工藝,我們先用離子探針和俄歇電子譜儀對(duì)網(wǎng)絲表面進(jìn)行了組
正 控制柵柵網(wǎng)是柵控脈沖行波管的關(guān)鍵部件之一。這種柵網(wǎng)是由鉬片經(jīng)電火花加工制成的。制成的柵網(wǎng)的網(wǎng)絲上常常有毛刺和其它黑色附著物。這些附著物不易清除干凈并因此往往造成管子打火,柵極截獲電流偏大,從而影響管子的性能和成品率。因此,設(shè)法將柵網(wǎng)表面處理干凈是十分重要的。 清除柵網(wǎng)表面附著物目前通常用手工去除毛刺和金剛砂超聲處理,但效果較差。為了尋求一種較有效的處理工藝,我們先用離子探針和俄歇電子譜儀對(duì)網(wǎng)絲表面進(jìn)行了組
