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1992年 第14卷 第6期
1992, 14(6): 561-566.
摘要:
本文提出了一種用我國首創(chuàng)的DYL集成線性與或門設計成的模擬延遲線。這種延遲線不僅具有電路結構簡單、信號傳遞速度快等特點,而且電路的延遲量可以用數字量直接控制。
本文提出了一種用我國首創(chuàng)的DYL集成線性與或門設計成的模擬延遲線。這種延遲線不僅具有電路結構簡單、信號傳遞速度快等特點,而且電路的延遲量可以用數字量直接控制。
1992, 14(6): 567-573.
摘要:
本文建立了二維非線性耳蝸力學模型,并提出一種有效方法偏移技術來求解該模型。模擬結果表明,該模型較好地表征了一些生理學實驗資料,如基底膜不同位置有不同的諧振頻率和一些非線性特性,如位置的頻率響應與輸入強度有關的非線性特性。
本文建立了二維非線性耳蝸力學模型,并提出一種有效方法偏移技術來求解該模型。模擬結果表明,該模型較好地表征了一些生理學實驗資料,如基底膜不同位置有不同的諧振頻率和一些非線性特性,如位置的頻率響應與輸入強度有關的非線性特性。
1992, 14(6): 574-578.
摘要:
本文根據SiO2薄膜的邊緣力集中近似模型,求出了硅MOS器件中的應力場。計算結果與K.Kobayashi(1990)進行的Raman譜測量結果吻合較好。
本文根據SiO2薄膜的邊緣力集中近似模型,求出了硅MOS器件中的應力場。計算結果與K.Kobayashi(1990)進行的Raman譜測量結果吻合較好。
1992, 14(6): 579-587.
摘要:
本文提出了一種用于液晶顯示的有源矩陣設計模型。文中討論了有源矩陣設計的總體思想、有源矩陣器件的單管性能以及單元液晶電容充放電的物理過程;還考慮了影響有源矩陣性能的因素。在具體分析中,推導出設計用的計算公式。此模型是優(yōu)化用于液晶顯示的有源矩陣設計的一種嘗試。
本文提出了一種用于液晶顯示的有源矩陣設計模型。文中討論了有源矩陣設計的總體思想、有源矩陣器件的單管性能以及單元液晶電容充放電的物理過程;還考慮了影響有源矩陣性能的因素。在具體分析中,推導出設計用的計算公式。此模型是優(yōu)化用于液晶顯示的有源矩陣設計的一種嘗試。
1992, 14(6): 588-595.
摘要:
本文首次將有限域中的置換多項式引入跳頻碼的設計之中,并給出了若干類自相關和互相關特性都很好的全頻道跳頻碼。例如文中第2類碼是目前已知的各方面綜合性能最好的全頻道跳頻碼。
本文首次將有限域中的置換多項式引入跳頻碼的設計之中,并給出了若干類自相關和互相關特性都很好的全頻道跳頻碼。例如文中第2類碼是目前已知的各方面綜合性能最好的全頻道跳頻碼。
1992, 14(6): 596-601.
摘要:
本文首次提出了并元加性群陪集劃分中的兩個新概念,給出了它們的充分必要條件,并給予證明。籍此解決了對RM碼實施的小數邏輯譯碼算法的可行性問題。
本文首次提出了并元加性群陪集劃分中的兩個新概念,給出了它們的充分必要條件,并給予證明。籍此解決了對RM碼實施的小數邏輯譯碼算法的可行性問題。
1992, 14(6): 602-610.
摘要:
本文通過建立保持Hamming距離的同構,給出了研究Justesen等(1989)所構造的代數幾何碼的一般方法,并取得一些新的結果。本文在進行譯碼研究時,首次把同類型的較小的代數幾何碼的碼字與錯誤位置多項式的值相對應,從而清晰地揭示了譯碼過程,以及糾錯能力。本文還得到一般代數幾何碼維數的上界和下界。最后給出了一個容易理解的譯碼算法。此算法類似于RS碼的Peterson譯碼算法。
本文通過建立保持Hamming距離的同構,給出了研究Justesen等(1989)所構造的代數幾何碼的一般方法,并取得一些新的結果。本文在進行譯碼研究時,首次把同類型的較小的代數幾何碼的碼字與錯誤位置多項式的值相對應,從而清晰地揭示了譯碼過程,以及糾錯能力。本文還得到一般代數幾何碼維數的上界和下界。最后給出了一個容易理解的譯碼算法。此算法類似于RS碼的Peterson譯碼算法。
1992, 14(6): 611-617.
摘要:
本文研究了在不轉換端口條件下,互易多端口網絡S參數測量的統計回歸方法。主要是逐次回歸理論和廣義Kajfez方法。文中給出了實驗數據和處理結果。
本文研究了在不轉換端口條件下,互易多端口網絡S參數測量的統計回歸方法。主要是逐次回歸理論和廣義Kajfez方法。文中給出了實驗數據和處理結果。
1992, 14(6): 618-623.
摘要:
本文介紹了一種在簡單吸波涂層Dallenbach涂層中插入頻率選擇表面而構成的新型復合吸波涂層;采用等效電路法和傳輸線理論分析了這種涂層的吸收性能,證明其性能大大優(yōu)于簡單吸波涂層。
本文介紹了一種在簡單吸波涂層Dallenbach涂層中插入頻率選擇表面而構成的新型復合吸波涂層;采用等效電路法和傳輸線理論分析了這種涂層的吸收性能,證明其性能大大優(yōu)于簡單吸波涂層。
1992, 14(6): 624-628.
摘要:
本文提出了一種新的中心設計方法。該方法將一維搜索法與隨機逼近優(yōu)化法相結合,利用二次模型對參數空間上電路的響應進行近似,采用相關抽樣和二次模型對設計參數的不同中心值進行Monte carlo分析,估計電路的成品率。實例表明,該方法收斂較快,進行優(yōu)化設計所需時間較少。
本文提出了一種新的中心設計方法。該方法將一維搜索法與隨機逼近優(yōu)化法相結合,利用二次模型對參數空間上電路的響應進行近似,采用相關抽樣和二次模型對設計參數的不同中心值進行Monte carlo分析,估計電路的成品率。實例表明,該方法收斂較快,進行優(yōu)化設計所需時間較少。
1992, 14(6): 629-632.
摘要:
本文介紹了一種具有高電子遷移率晶體管(HEMT)和砷化鎵單片微波集成電路(GaAs MMIC)的Ku波段低噪聲放大器。在11.7～12.2GHz頻率范圍內,該放大器的噪聲系數小于1.9dB,相關增益大于27dB,輸入和輸出駐波比小于1.4。放大器第一級采用了HEMT和微波串聯電感反饋技術,放大器未級采用了Ku波段GsAs MMIC。設計的關鍵是采用微波串聯電感反饋方法同時獲得最佳噪聲和最小輸入駐波匹配。放大器的輸入端和輸出端均為BJ-120波導。
本文介紹了一種具有高電子遷移率晶體管(HEMT)和砷化鎵單片微波集成電路(GaAs MMIC)的Ku波段低噪聲放大器。在11.7～12.2GHz頻率范圍內,該放大器的噪聲系數小于1.9dB,相關增益大于27dB,輸入和輸出駐波比小于1.4。放大器第一級采用了HEMT和微波串聯電感反饋技術,放大器未級采用了Ku波段GsAs MMIC。設計的關鍵是采用微波串聯電感反饋方法同時獲得最佳噪聲和最小輸入駐波匹配。放大器的輸入端和輸出端均為BJ-120波導。
1992, 14(6): 633-638.
摘要:
本文提出了一種新的有源器件開關電流運算放大器(SIOA)。新元件的引入大大減化了電路的作圖,十分便于開關電流(SI)電路的分析和綜合。以開關電容(SC)電路為原型,導出了若干新的全極點和橢圓(二階或三階)SI電路。這些電路既可作為濾波節(jié)單獨使用,也可用于級聯設計以實現高階轉移函數。為了說明設計方法,給出了一個五階SI低通濾波器設計例子。
本文提出了一種新的有源器件開關電流運算放大器(SIOA)。新元件的引入大大減化了電路的作圖,十分便于開關電流(SI)電路的分析和綜合。以開關電容(SC)電路為原型,導出了若干新的全極點和橢圓(二階或三階)SI電路。這些電路既可作為濾波節(jié)單獨使用,也可用于級聯設計以實現高階轉移函數。為了說明設計方法,給出了一個五階SI低通濾波器設計例子。
1992, 14(6): 639-642.
摘要:
本文用群論的方法研究了所有理想變壓器和所有回轉器構成的集合GIT(2)。結果表明GIT(2)構成群,且為GL(2)群的子群。GIT(2)的結構反映了回轉器與理想變壓器之間的內在聯系。最后考察了理想變壓器的直積網絡的性質。
本文用群論的方法研究了所有理想變壓器和所有回轉器構成的集合GIT(2)。結果表明GIT(2)構成群,且為GL(2)群的子群。GIT(2)的結構反映了回轉器與理想變壓器之間的內在聯系。最后考察了理想變壓器的直積網絡的性質。
1992, 14(6): 643-647.
摘要:
本文首次將基于矩陣理論的直線法推廣到曲線邊界的二維電磁場問題。本文方法具有通用性,精度高,計算量小的優(yōu)點。
本文首次將基于矩陣理論的直線法推廣到曲線邊界的二維電磁場問題。本文方法具有通用性,精度高,計算量小的優(yōu)點。
1992, 14(6): 648-651.
摘要:
本文提出了應用邊界元法求解TEM小室中高次模截止頻率的方法,求出了多個TE和TM模式的截止頻率值。對于一對稱小室,由于利用了電壁和磁壁,所以僅研究橫截面的四分之一部分就可以得到滿意的結果,并且很容易判斷其模式。文中列出了一些計算結果并與其它方法的數據進行了比較。
本文提出了應用邊界元法求解TEM小室中高次模截止頻率的方法,求出了多個TE和TM模式的截止頻率值。對于一對稱小室,由于利用了電壁和磁壁,所以僅研究橫截面的四分之一部分就可以得到滿意的結果,并且很容易判斷其模式。文中列出了一些計算結果并與其它方法的數據進行了比較。
1992, 14(6): 652-656.
摘要:
本文討論了涂覆有耗介質的矩形平板的電磁散射。涂層介質的參數可以任意。表達式中涉及的Maliuzhinets函數的計算,由于采用了多項式近似,避免了復平面內的積分,從而使計算時間大為減少。最后將理論計算結果與實驗值相比較,兩者吻合得很好。
本文討論了涂覆有耗介質的矩形平板的電磁散射。涂層介質的參數可以任意。表達式中涉及的Maliuzhinets函數的計算,由于采用了多項式近似,避免了復平面內的積分,從而使計算時間大為減少。最后將理論計算結果與實驗值相比較,兩者吻合得很好。
1992, 14(6): 661-665.
摘要:
本文應用X光電子能譜儀(XPS)和俄歇電子能譜儀(AES)研究了經燒氫還原后鉛硅酸鹽玻璃(該玻璃就是微通道板次級電子發(fā)射層材料)中各元素濃度隨深度的分布;還應用電子探針(EP)研究了體內元素分布,并討論了不同燒氫還原溫度所形成的發(fā)射層結構對微通道板電子倍增性能的影響;在此基礎上作者提出了新的微通道板次級電子發(fā)射層結構。
本文應用X光電子能譜儀(XPS)和俄歇電子能譜儀(AES)研究了經燒氫還原后鉛硅酸鹽玻璃(該玻璃就是微通道板次級電子發(fā)射層材料)中各元素濃度隨深度的分布;還應用電子探針(EP)研究了體內元素分布,并討論了不同燒氫還原溫度所形成的發(fā)射層結構對微通道板電子倍增性能的影響;在此基礎上作者提出了新的微通道板次級電子發(fā)射層結構。
