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計算MOS器件應(yīng)力的簡單方法

黃慶安,  童勤義

黃慶安, 童勤義. 計算MOS器件應(yīng)力的簡單方法[J]. 電子與信息學(xué)報, 1992, 14(6): 574-578.
引用本文: 黃慶安, 童勤義. 計算MOS器件應(yīng)力的簡單方法[J]. 電子與信息學(xué)報, 1992, 14(6): 574-578.
Huang Qinan, Tong Qinyi. A SIMPLE APPROACH TO THE CALCULATION OF THE MECHANICAL STRESS IN SILICON DEVICES[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1992, 14(6): 574-578.
Citation: Huang Qinan, Tong Qinyi. A SIMPLE APPROACH TO THE CALCULATION OF THE MECHANICAL STRESS IN SILICON DEVICES[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1992, 14(6): 574-578.

計算MOS器件應(yīng)力的簡單方法

A SIMPLE APPROACH TO THE CALCULATION OF THE MECHANICAL STRESS IN SILICON DEVICES

  • 摘要: 本文根據(jù)SiO2薄膜的邊緣力集中近似模型,求出了硅MOS器件中的應(yīng)力場。計算結(jié)果與K.Kobayashi(1990)進(jìn)行的Raman譜測量結(jié)果吻合較好。
    Abstract: The residual mechanical stress in SiO2 films results in the degradation of mobilities in MOSFETs. Based on the edge force approximation in SiO2 films, the stress field in MOS device is obtained. The results here are in agreement with those measured by the Raman spectrum method.
    • HTML全文
  • 童勤義, 超大規(guī)模集成物理學(xué)導(dǎo)論,電子工業(yè)出版社,北京,1988年.[2]A. Bohg et al., Appl. Phys. Lett., 33(1978)6, 895-897.[3]Y. Tamaki et al., J. Electrochem.Soc., 130(1983) 10, 2266-2270.[4]H. Mikoshiba, Solid State Electron., 24(1981)3, 221-225.[5]J. Mitsuhashi, Mechanical stress and hydrogen effects on hot carrier injection, Proc. IEDM, USA, (1986), pp. 386-389.[6]D. J. Chin et al., IEEE Trans. on ED, ED-30(1983)7, 744-749.[7]H. Matsumoto et al., IEEE Trans. on ED, ED-32(1985)2, 132-140.[8]D. B. Kao et al., IEEE Trans. on ED, ED-35(1988)1, 25-37.[9]K. Kobayashi .et al., J. Electrochem. Soc., 137(1990)6, 1987-1989.[10]錢偉長, 葉開源,彈性力學(xué),科學(xué)出版社,北京,1956年,第五章.[11]R. Zeyfang, Solid .State Eelctron., 14(1979)9, 1035-1039.[12]I. A. Blech et al., ASME J. Appl. Mech., 48(1981)6, 442-445.[13]H. Booyens et al., J. Appl. Phys., 54(1983)10, 5779-5784.[14]E. P. EerNisse, Appl. Phys. Lett., 35(1979)8, 8-10.[15]E. Anastassaki et al., Solid State Communication, 8(1970)2, 133-135.[16]黃慶安, 童勤義,MOSFET的機(jī)械應(yīng)力模型,第七屆全國半導(dǎo)體集成技術(shù)與硅材料學(xué)術(shù)年會,成都,1991年, 第97-98頁.
  • 加載中
計量
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  • 被引次數(shù): 0
出版歷程
  • 收稿日期:  1991-10-23
  • 修回日期:  1992-03-03
  • 刊出日期:  1992-11-19

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