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1991年 第13卷 第5期
1991, 13(5): 449-455.
摘要:
本文討論了基于傳輸函數(shù)理論的多值CMOS電路綜合技術(shù)。通過對基于傳輸函數(shù)理論的CMOS電路與T門的分析比較,指出了它們的工作原理的一致性。在此基礎(chǔ)上提出了用函數(shù)分解綜合多值多變量CMOS電路的方法。
本文討論了基于傳輸函數(shù)理論的多值CMOS電路綜合技術(shù)。通過對基于傳輸函數(shù)理論的CMOS電路與T門的分析比較,指出了它們的工作原理的一致性。在此基礎(chǔ)上提出了用函數(shù)分解綜合多值多變量CMOS電路的方法。
1991, 13(5): 456-460.
摘要:
本文介紹了適用于多值ECL電路設(shè)計的差動電流開關(guān)理論。在該理論中,分別用開關(guān)變量和四值信號變量來描寫ECL電路中差動晶體管對的開關(guān)狀態(tài)和信號,并引入此兩類變量之間的聯(lián)結(jié)運算,以描寫電路內(nèi)部開關(guān)元件與信號的相互作用過程?；谠摾碚?本文對兩種接口電路2-4編碼器和4-2譯碼器進行了設(shè)計。應(yīng)用SPICE程序?qū)υO(shè)計電路的計算機模擬表明,兩種電路均具有正確的邏輯功能、理想的DC轉(zhuǎn)移特性和瞬態(tài)特性。由于該接口電路具有與二值電路兼容的集成工藝、電源設(shè)備、邏輯級差和瞬態(tài)特性,因此它可用作現(xiàn)有二值ECL集成電路的輸入輸出接口,從而達到減少芯片的引腳數(shù)和片間連接的目的。
本文介紹了適用于多值ECL電路設(shè)計的差動電流開關(guān)理論。在該理論中,分別用開關(guān)變量和四值信號變量來描寫ECL電路中差動晶體管對的開關(guān)狀態(tài)和信號,并引入此兩類變量之間的聯(lián)結(jié)運算,以描寫電路內(nèi)部開關(guān)元件與信號的相互作用過程?；谠摾碚?本文對兩種接口電路2-4編碼器和4-2譯碼器進行了設(shè)計。應(yīng)用SPICE程序?qū)υO(shè)計電路的計算機模擬表明,兩種電路均具有正確的邏輯功能、理想的DC轉(zhuǎn)移特性和瞬態(tài)特性。由于該接口電路具有與二值電路兼容的集成工藝、電源設(shè)備、邏輯級差和瞬態(tài)特性,因此它可用作現(xiàn)有二值ECL集成電路的輸入輸出接口,從而達到減少芯片的引腳數(shù)和片間連接的目的。
1991, 13(5): 461-467.
摘要:
天線陣元位置的不確定性會嚴重影響天線的測距和測向性能。本文針對基于陣列協(xié)方差矩陣特征值分解的測向方法,在遠場情況下,提出了用三個未知精確方向的校準信號源對陣元位置進行校準的方法。文中詳細敘述了利用提取出的信號子空間來進行校準的迭代算法,證明了該算法能穩(wěn)定地收斂到全局最優(yōu)點。特別關(guān)鍵的是,文中給出了選取校準源方向的技術(shù)。模擬結(jié)果表明,本文所提出的方法是有效的,也是可行的。
天線陣元位置的不確定性會嚴重影響天線的測距和測向性能。本文針對基于陣列協(xié)方差矩陣特征值分解的測向方法,在遠場情況下,提出了用三個未知精確方向的校準信號源對陣元位置進行校準的方法。文中詳細敘述了利用提取出的信號子空間來進行校準的迭代算法,證明了該算法能穩(wěn)定地收斂到全局最優(yōu)點。特別關(guān)鍵的是,文中給出了選取校準源方向的技術(shù)。模擬結(jié)果表明,本文所提出的方法是有效的,也是可行的。
1991, 13(5): 468-474.
摘要:
本文基于比特串實現(xiàn)原理,對傳統(tǒng)的多電平-剪裁平均攄波(TMF),提出了一種新的比特串-TMF概念。要工作包括:(1)給出了比特串-TMF的定義;(2)作為示例列出了演算-TMF算法的具體過程;(3)討論了比特串-TMF的基本特性;(4)給出了用模擬和數(shù)字電路相結(jié)合實現(xiàn)的實時信號處理電路及實驗結(jié)果。
本文基于比特串實現(xiàn)原理,對傳統(tǒng)的多電平-剪裁平均攄波(TMF),提出了一種新的比特串-TMF概念。要工作包括:(1)給出了比特串-TMF的定義;(2)作為示例列出了演算-TMF算法的具體過程;(3)討論了比特串-TMF的基本特性;(4)給出了用模擬和數(shù)字電路相結(jié)合實現(xiàn)的實時信號處理電路及實驗結(jié)果。
1991, 13(5): 475-481.
摘要:
本文提出采用保角變換法求解一類TEM模傳輸線的衰減常數(shù)。通過適當?shù)谋＝亲儞Q能夠映射成(包括數(shù)值保角變換)正規(guī)圓同軸線或平板電容的情況均可采用這種方法。文中給出了解析結(jié)果和數(shù)值實例。
本文提出采用保角變換法求解一類TEM模傳輸線的衰減常數(shù)。通過適當?shù)谋＝亲儞Q能夠映射成(包括數(shù)值保角變換)正規(guī)圓同軸線或平板電容的情況均可采用這種方法。文中給出了解析結(jié)果和數(shù)值實例。
1991, 13(5): 482-488.
摘要:
本文提出了能量輸運問題的二維MOSFET的數(shù)值模擬,其中計入了產(chǎn)生、復(fù)合以及載流子的溫度梯度對器件特性的影響;還提出了改進的遷移率模型。對微米和亞微米MOSFET樣品的模擬結(jié)果表明,本文所提出的模型和方法與實驗符合得很好。
本文提出了能量輸運問題的二維MOSFET的數(shù)值模擬,其中計入了產(chǎn)生、復(fù)合以及載流子的溫度梯度對器件特性的影響;還提出了改進的遷移率模型。對微米和亞微米MOSFET樣品的模擬結(jié)果表明,本文所提出的模型和方法與實驗符合得很好。
1991, 13(5): 489-495.
摘要:
本文利用俄歇能譜和紅外吸收譜研究了硅中O+(200keV,1.81018/cm2)和N+(180keV,41017/cm2)共注入、并經(jīng)1200℃、2h退火后所形成的絕緣埋層的微觀結(jié)構(gòu)及其光學(xué)性質(zhì)。結(jié)果表明:O+和N+共注入所形成的絕緣埋層是由SiO2相和不飽和氧化硅態(tài)組成;在氧化硅埋層的兩側(cè)形成氮氧化硅薄層;表面硅-埋層的界面和埋層-體硅的界面的化學(xué)結(jié)構(gòu)無明顯差異。通過對波數(shù)范圍在5000--1700cm-1的紅外反射譜的計算機模擬,得到了該絕緣埋層的折射率、厚度等有關(guān)的參數(shù)值,這些結(jié)果與離子背散射譜的分析結(jié)果相一致。本文還討論了絕緣埋層的形成特征。
本文利用俄歇能譜和紅外吸收譜研究了硅中O+(200keV,1.81018/cm2)和N+(180keV,41017/cm2)共注入、并經(jīng)1200℃、2h退火后所形成的絕緣埋層的微觀結(jié)構(gòu)及其光學(xué)性質(zhì)。結(jié)果表明:O+和N+共注入所形成的絕緣埋層是由SiO2相和不飽和氧化硅態(tài)組成;在氧化硅埋層的兩側(cè)形成氮氧化硅薄層;表面硅-埋層的界面和埋層-體硅的界面的化學(xué)結(jié)構(gòu)無明顯差異。通過對波數(shù)范圍在5000--1700cm-1的紅外反射譜的計算機模擬,得到了該絕緣埋層的折射率、厚度等有關(guān)的參數(shù)值,這些結(jié)果與離子背散射譜的分析結(jié)果相一致。本文還討論了絕緣埋層的形成特征。
1991, 13(5): 496-501.
摘要:
本文介紹了Ku波段寬帶機械調(diào)諧耿氏振蕩器的實用電路結(jié)構(gòu)、設(shè)計原則以及運用雙金屬補償技術(shù)得到的實驗結(jié)果。振蕩器輸出功率為50120mW;機調(diào)范圍一般為10001500MHz,最寬優(yōu)于2500MHz;頻率溫度系數(shù)一般小于0.07MHz/℃,最低優(yōu)于0.01MHz/℃;功率溫度系數(shù)一般小于0.015dB/℃,最低優(yōu)于0.007dB/℃。
本文介紹了Ku波段寬帶機械調(diào)諧耿氏振蕩器的實用電路結(jié)構(gòu)、設(shè)計原則以及運用雙金屬補償技術(shù)得到的實驗結(jié)果。振蕩器輸出功率為50120mW;機調(diào)范圍一般為10001500MHz,最寬優(yōu)于2500MHz;頻率溫度系數(shù)一般小于0.07MHz/℃,最低優(yōu)于0.01MHz/℃;功率溫度系數(shù)一般小于0.015dB/℃,最低優(yōu)于0.007dB/℃。
1991, 13(5): 502-508.
摘要:
本文基于布爾序集相鄰邏輯對稱關(guān)系的二分枝樹TBOS結(jié)構(gòu)模型的研究,從中找出布爾序集相鄰邏輯對稱序列SBOS關(guān)系的內(nèi)在規(guī)律,進而提出用SBOS構(gòu)造的新方法,來實現(xiàn)N維布爾序集唯一相鄰的邏輯路徑問題。文中介紹了對跳定界搜索方法,對工程應(yīng)用有著實際意義。
本文基于布爾序集相鄰邏輯對稱關(guān)系的二分枝樹TBOS結(jié)構(gòu)模型的研究,從中找出布爾序集相鄰邏輯對稱序列SBOS關(guān)系的內(nèi)在規(guī)律,進而提出用SBOS構(gòu)造的新方法,來實現(xiàn)N維布爾序集唯一相鄰的邏輯路徑問題。文中介紹了對跳定界搜索方法,對工程應(yīng)用有著實際意義。
1991, 13(5): 509-515.
摘要:
Kriegsman等人(1987年)提出了一種計算凸體電磁散射的新技術(shù)表面輻射條件(OSRC)法。但當散射體存在奇異邊緣時,用這種新技術(shù)求得的散射場與實際相差很遠,大大地限制了OSRC法的應(yīng)用范圍。本文考慮到奇異邊緣的作用,提出了有效解決這一問題的一種奇異電流沖激法。用這一方法求解了金屬帶、多棱柱的散射,表明奇異電流的貢獻將大大改善散射場預(yù)測的精度,并得到奇異電流的影響程度是散射體不光滑點處內(nèi)角的函數(shù)。
Kriegsman等人(1987年)提出了一種計算凸體電磁散射的新技術(shù)表面輻射條件(OSRC)法。但當散射體存在奇異邊緣時,用這種新技術(shù)求得的散射場與實際相差很遠,大大地限制了OSRC法的應(yīng)用范圍。本文考慮到奇異邊緣的作用,提出了有效解決這一問題的一種奇異電流沖激法。用這一方法求解了金屬帶、多棱柱的散射,表明奇異電流的貢獻將大大改善散射場預(yù)測的精度,并得到奇異電流的影響程度是散射體不光滑點處內(nèi)角的函數(shù)。
1991, 13(5): 516-523.
摘要:
電磁場線性邊界元法被成功地用于求解半空間有損媒質(zhì)中的非對稱電偶極激勵。它將為電磁隨鉆測量的工程問題提供一種簡單實用的算法。本文對低頻極限情況下的兩種模型的計算結(jié)果都與實驗和穩(wěn)流場公式的結(jié)果進行了比較。
電磁場線性邊界元法被成功地用于求解半空間有損媒質(zhì)中的非對稱電偶極激勵。它將為電磁隨鉆測量的工程問題提供一種簡單實用的算法。本文對低頻極限情況下的兩種模型的計算結(jié)果都與實驗和穩(wěn)流場公式的結(jié)果進行了比較。
1991, 13(5): 524-527.
摘要:
背射式天線具有增益高、副瓣低和結(jié)構(gòu)緊湊的特點,但其頻帶較窄。本文得到的實驗結(jié)果表明,它適于用作L波段微波輻射計的天線,而且能提高微波遙感系統(tǒng)的性能。
背射式天線具有增益高、副瓣低和結(jié)構(gòu)緊湊的特點,但其頻帶較窄。本文得到的實驗結(jié)果表明,它適于用作L波段微波輻射計的天線,而且能提高微波遙感系統(tǒng)的性能。
1991, 13(5): 528-531.
摘要:
本文利用自行研制的數(shù)據(jù)采集和處理系統(tǒng)發(fā)展了一種以跟蹤太陽的方式研究低仰角晴空大氣湍流引起的12GHz電波強度閃爍的方法,克服了對衛(wèi)星信標的依賴性。從1989年1月至4月進行了觀測,得出了一些有價值的統(tǒng)計結(jié)果。
本文利用自行研制的數(shù)據(jù)采集和處理系統(tǒng)發(fā)展了一種以跟蹤太陽的方式研究低仰角晴空大氣湍流引起的12GHz電波強度閃爍的方法,克服了對衛(wèi)星信標的依賴性。從1989年1月至4月進行了觀測,得出了一些有價值的統(tǒng)計結(jié)果。
1991, 13(5): 532-537.
摘要:
本文對置于金屬屏蔽中介質(zhì)基片上的疊片式介質(zhì)諧振器進行了分析;給出了光控頻率調(diào)諧的線性理論公式和疊片式介質(zhì)諧振器的諧振頻率公式。這些公式可用于光控介質(zhì)諧振器振蕩器的理論計算和頻率穩(wěn)定度極高的疊片式介質(zhì)諧振器的工程設(shè)計。
本文對置于金屬屏蔽中介質(zhì)基片上的疊片式介質(zhì)諧振器進行了分析;給出了光控頻率調(diào)諧的線性理論公式和疊片式介質(zhì)諧振器的諧振頻率公式。這些公式可用于光控介質(zhì)諧振器振蕩器的理論計算和頻率穩(wěn)定度極高的疊片式介質(zhì)諧振器的工程設(shè)計。
1991, 13(5): 538-543.
摘要:
本文提出了將待卷積兩序列均進行分段的兩種分段卷積新方法,使運算等待(運算輔助)時間和運算周期減小為原值的幾分之一,從而大大減小(輸出)延遲盡快開始輸出過濾點,也使整個處理時間大大縮短;能大大節(jié)省存儲空間。上述時間和空間利用上的高效率,對于長沖激響應(yīng)(高階)濾波器過濾長信號尤顯突出。此外,不再有原重疊保留法的方法性截尾誤差。
本文提出了將待卷積兩序列均進行分段的兩種分段卷積新方法,使運算等待(運算輔助)時間和運算周期減小為原值的幾分之一,從而大大減小(輸出)延遲盡快開始輸出過濾點,也使整個處理時間大大縮短;能大大節(jié)省存儲空間。上述時間和空間利用上的高效率,對于長沖激響應(yīng)(高階)濾波器過濾長信號尤顯突出。此外,不再有原重疊保留法的方法性截尾誤差。
1991, 13(5): 544-547.
摘要:
本文介紹了基帶數(shù)字相干解調(diào)的載波恢復(fù)鎖相環(huán)的結(jié)構(gòu)原理,并對其進行了性能分析。與四倍頻方法比較,在相同條件下,前者比后者環(huán)路信噪比高5--10dB。實驗結(jié)果表明,恢復(fù)的載波穩(wěn)定性良好。
本文介紹了基帶數(shù)字相干解調(diào)的載波恢復(fù)鎖相環(huán)的結(jié)構(gòu)原理,并對其進行了性能分析。與四倍頻方法比較,在相同條件下,前者比后者環(huán)路信噪比高5--10dB。實驗結(jié)果表明,恢復(fù)的載波穩(wěn)定性良好。
1991, 13(5): 548-551.
摘要:
本文算法產(chǎn)生有源網(wǎng)絡(luò)無源樹邊的完全k樹多項式,算法時間復(fù)雜度與列寫無向圖全部樹的改進的Minty算法相同。用該算法分析有源網(wǎng)絡(luò)的符號函數(shù)可有效地減少對消冗余項數(shù),同時也避免了對無源完全樹邊的符號鑒別問題。文章討論了算法的合理性,并舉例說明了它在網(wǎng)絡(luò)分析中的應(yīng)用。
本文算法產(chǎn)生有源網(wǎng)絡(luò)無源樹邊的完全k樹多項式,算法時間復(fù)雜度與列寫無向圖全部樹的改進的Minty算法相同。用該算法分析有源網(wǎng)絡(luò)的符號函數(shù)可有效地減少對消冗余項數(shù),同時也避免了對無源完全樹邊的符號鑒別問題。文章討論了算法的合理性,并舉例說明了它在網(wǎng)絡(luò)分析中的應(yīng)用。
1991, 13(5): 552-555.
摘要:
本文敘述了一種新型的開槽耦合型H01H0n 模式變換器的設(shè)計原理、制作技術(shù)以及在8mm波段的實測結(jié)果。它顯示了寬帶特性。在32-37GHz的頻帶內(nèi),輸入駐波比低于1.1;變換損耗低于1dB;雜模H01幅度低于－15dB。
本文敘述了一種新型的開槽耦合型H01H0n 模式變換器的設(shè)計原理、制作技術(shù)以及在8mm波段的實測結(jié)果。它顯示了寬帶特性。在32-37GHz的頻帶內(nèi),輸入駐波比低于1.1;變換損耗低于1dB;雜模H01幅度低于－15dB。
1991, 13(5): 556-560.
摘要:
中子嬗變摻雜直拉硅的內(nèi)吸除機理與直拉硅不同,它是輻照缺陷與硅中氧雜質(zhì)相互作用的結(jié)果。在1100℃、熱退火4h即可完成中子嬗變摻雜直拉硅的內(nèi)吸除處理。
中子嬗變摻雜直拉硅的內(nèi)吸除機理與直拉硅不同,它是輻照缺陷與硅中氧雜質(zhì)相互作用的結(jié)果。在1100℃、熱退火4h即可完成中子嬗變摻雜直拉硅的內(nèi)吸除處理。
