1982, 4(3): 152-157.
摘要:
由材料參數(shù)測(cè)試和器件響應(yīng)率測(cè)試證實(shí),LiNbO3晶體的熱釋電響應(yīng)率優(yōu)值Mv為一般公認(rèn)值的二倍。而且當(dāng)溫度升高時(shí),Mv緩慢降低,并不出現(xiàn)某些文獻(xiàn)所預(yù)示的明顯增加。著重研究了LiNbO3探測(cè)器在高功率密度連續(xù)激光輻照下的輸出特性。研究結(jié)果表明,在相同條件下,LiNbO3探測(cè)器的輸出開始偏離線性所對(duì)應(yīng)的最大功率密度遠(yuǎn)高于LiTaO3。仔細(xì)測(cè)定了LiNbO3晶體的固有介質(zhì)損耗,并據(jù)此估計(jì)LiNbO3器件探測(cè)率的極限值。分析表明,就制備背景限探測(cè)率的器件的潛力而言,LiNbO3不低于TGS。