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1990年  第12卷  第4期

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論文
利用標準線性四元一八元樹由正交三輪廓圖識別三維客體
張?zhí)镂?/a>, 李仲榮
1990, 12(4): 337-343.
摘要:
線性八元樹提供一種非常緊湊并適于傳統(tǒng)客體處理運算的三維客體體積表示法。然而,利用體積交技術由正交三輪廓圖生成三維客體的線性八元樹表示取決于觀察點。匹配客體到模型達到識別目的需要客體表示獨立于觀察點。為了得到獨立于觀察點的表示,應通過計算慣量矩陣的特征向量確定客體的三個主軸。線性八元樹投影到三個主視(沿著主軸)的圖象平面上得到三個標準線性四元樹??腕w匹配包括兩步過程:第一步是利用對稱差的度鞋匹配待識別客體的標準線性四元樹到庫中一模型子集;第二步是生成客體和這些候選模型的標準線八元樹,然后匹配待識別客體的標準線性八元樹到具有最小對稱差的模型。
通用順序即位素因子FFT算法
王中德
1990, 12(4): 344-351.
摘要:
本文從一維到多維的下標變換出發(fā),得到了一種通用順序,即位素因子FFT算法。與現在的素因子FFT算法相比較,這種算法不僅節(jié)省了約一半內存,而且有更高的計算效率。此外,這種算法能很方便地將逆變換也包括在同一程序內。
多端口無耗網絡的廣義測量方程
邱長興, 梁昌洪, 韓毅
1990, 12(4): 352-360.
摘要:
本文提出了一種多端口無耗網絡的廣義測量方程。對二端口情況,即梁昌洪等(1988)提出的三角方程。并以H面T三端口情況為例進行了測量,給出了實驗結果。
反射器天線的單站雷達截面積
鄧書輝, 阮穎錚
1990, 12(4): 361-368.
摘要:
本文用幾何光學法計算反射器天線的鏡面場,用等效電磁流法(根據物理繞射論與與電流線積分公式導出)計算邊緣的繞射場,得到了任意旋轉反射器天線在任意極化平面波入射下的單站雷達截面積(RCS)的計算公式,并給出了一些典型的數值計算結果及相應的立體RCS圖。在水平和垂直極化入射下,本文理論值與已有的實驗結果以及與一致性繞射理論的結果吻合較好。
計算任意形狀導體表面電流分布的節(jié)點單元電流模型
戴世雄, 魯述
1990, 12(4): 369-377.
摘要:
本文提出了計算任意形狀導體表面上感應電流分布的一種新的電流模型節(jié)點單元電流模型。這種模型擺脫了在建立電流模型時傳統(tǒng)理論模式的局限,顯著地減少了計算電流分布所需未知量的個數。文中還給出了利用這種模型計算一些典型問題的結果,它們和用其它方法(包括嚴格解)得到的結果非常一致。
毫米波介質柵漏波天線的改進微擾法分析
徐善駕, 武新章
1990, 12(4): 378-384.
摘要:
本文用改進的微擾法分析了毫米波介質柵漏波天線的輻射特性。文中通過橫向諧振法確定漏波天線的相位常數,而漏波常數的計算歸結為對有源傳輸線方程的求解。所得數據和用場匹配方法得到的精確值進行了比較,結果表明,本文方法在保持相同精度的情況下,簡化了分析和計算過程。
介質諧振器與微帶線之間的耦合和計算機輔助分析
郭開周, L.A.Trinogga
1990, 12(4): 385-392.
摘要:
本文結合關于介質諧振器與微帶線之間耦合的等效集總參數分析、S參量分析和作者過去所作的有關電磁場分析,形成了一個系統(tǒng)。實驗表明,本文關于耦合的計算精度較高。本文還對光控介質諧振器振蕩器以及金屬盒子的尺寸進行了探討。
非均勻填充波導截止頻率的網絡模型分解解法
文舸一
1990, 12(4): 393-401.
摘要:
本文給出一種求解非均勻填充波導截止頻率的新方法,稱為網絡模型分解法。文中首先利用區(qū)域剖分和電磁場的微分形式理論建立了該問題的拓撲填型及其相應的網絡模型,然后利用電路理論中的網絡分解節(jié)點分析法建立了計算非均勻填充波導截止頻率的一般算法。最后將該算法應用于若干典型實例,驗證了方法的可行性和有效性。
電子束聚焦偏轉系統(tǒng)中透鏡和偏轉器不對中裝配誤差效應的數值計算
朱協(xié)卿, 劉浩寧
1990, 12(4): 402-414.
摘要:
本文討論了透鏡和偏轉器在電子束系統(tǒng)中不對中裝配造成的電子光學性質影響的數值計算問題,包括推導出不對中的透鏡和偏轉器在系統(tǒng)中的電磁場表示式,電子軌跡方程及象差積分式等。根據這些公式所編制的計算機程序已用來計算了若干個實例,從中可見不對中誤差效應的數值計算對于設計和裝配電子束聚焦偏轉系統(tǒng)起到指導性的作用。
研究簡報
超薄的金屬/LB絕緣膜/半導體結構的CV和I-V特性
鄭茳, 林慈, 孟江生, 魏同立, 韋鈺
1990, 12(4): 415-417.
摘要:
本文研究了超薄的金屬/LB絕緣膜/半導體(MLS)結構的C-V和I-V特性,理論分析與實驗結果相一致,結論如下:(1)超薄MLS結構具有正常的C-V特性和I-V特性;(2)以LB薄膜作為絕緣層可調整肖特基器件勢壘高度。
復錸膜陰極的發(fā)射和表面特性
張洪來, 由玉新, 程永吉, 王亞杰, 呂慶年
1990, 12(4): 418-423.
摘要:
本文報道了復錸膜擴散陰極的發(fā)射和表面特性的研究結果,并與S-型陰極進行了比較。實驗結果表明:S-型陰極復錸膜后,其熱電子發(fā)射明顯提高,且分布均勻。月極表面上主要元素的俄歇像顯示Ba在復錸膜陰極表面上的分布要比在S-型陰極表面上均勻得多,Ba的低能Auger譜和XPS的研究表明:與S-型陰極相比Ba在復錸膜陰極表面上呈現更強的金屬特性。這可能是S-型陰極復錸膜后發(fā)射增大的主要原因。
分段線性電阻網絡的拓撲分析法
劉波濤, 李瀚蓀
1990, 12(4): 424-430.
摘要:
本文通過引入一個參量伏安特性曲線的弧長,并吸取分段線性函數的絕對值函數表達法,建立了一種新的分段線性電阻網絡的描述法和分析法。采用此法,可避免現有方法的諸多缺陷。
一種新的圖象紋理分析快速特征濾波法
陳賀新, 戴逸松
1990, 12(4): 431-435.
摘要:
本文給出了一種新的圖象紋理分析法快速特征濾波法。在Ade特征濾波法基礎上,本文應用實對稱矩陣特征值表示特征向量相對于該矩陣的分布性質,以及卷積結合律,最終導出了快速特征濾波器。使Ade的特征濾波法中的nn個濾波器在快速特征濾波法中變?yōu)橐粋€濾波器,從而增快了計算速度和減少了存貯空間。
(n,F,k)系統(tǒng)可靠性
孫惠中, 廖炯生
1990, 12(4): 436-439.
摘要:
(n,F,k)系統(tǒng)由n個單元組成,當且僅當大于F個單元發(fā)生故障,或者k個或k個以上相鄰單元發(fā)生故障,則系統(tǒng)失效本文提出了(n,F,k)系統(tǒng)可靠性的一般計算公式,并給出該系統(tǒng)可靠性的上下界。
矩形波導中小導體異物的影響
王典成
1990, 12(4): 440-445.
摘要:
本文利用矩形諧振腔中的教擾公式結合準靜態(tài)近似,導出了矩形波導中小導體異物的等效串聯電抗和并聯電納。求出了反射系數,傳輸相移及功率容量降低的表示式.這種表示式在試驗中表明是適合的。
多孔鎢銫離子源
趙守珍, 周清, 姜永豐
1990, 12(4): 446-448.
摘要:
在光電陰極的制備及對光電陰極作表面分析中,銫離子源較中性銫源具有一定的優(yōu)點。根據表面電離的原理,銫離子源使用了多孔鎢、銫鹽及其還原劑。本文介紹了銫離子源的制備,報告了實際測量結果。