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1986年 第8卷 第4期
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1986, 8(4): 241-246.
摘要:
本文用幾何繞射理論分析計(jì)算了矩形反射柱體近旁偶極子和雙環(huán)天線的水平輻射特性。研究了到達(dá)場(chǎng)點(diǎn)的直達(dá)波、反射波和柱體稜邊各次繞射波之間的量值關(guān)系。分析了柱體邊長(zhǎng)、天線與柱體之間的相對(duì)位置和天線的饋電方式對(duì)合成場(chǎng)強(qiáng)方向圖的影響。計(jì)算結(jié)果表明,需要對(duì)天線系統(tǒng)的有關(guān)參數(shù)進(jìn)行優(yōu)化設(shè)計(jì),以得到最佳的全向輻射特性,本文的分析方法和結(jié)果為這類天線系統(tǒng)的優(yōu)化設(shè)計(jì)提供了手段和依據(jù)。
本文用幾何繞射理論分析計(jì)算了矩形反射柱體近旁偶極子和雙環(huán)天線的水平輻射特性。研究了到達(dá)場(chǎng)點(diǎn)的直達(dá)波、反射波和柱體稜邊各次繞射波之間的量值關(guān)系。分析了柱體邊長(zhǎng)、天線與柱體之間的相對(duì)位置和天線的饋電方式對(duì)合成場(chǎng)強(qiáng)方向圖的影響。計(jì)算結(jié)果表明,需要對(duì)天線系統(tǒng)的有關(guān)參數(shù)進(jìn)行優(yōu)化設(shè)計(jì),以得到最佳的全向輻射特性,本文的分析方法和結(jié)果為這類天線系統(tǒng)的優(yōu)化設(shè)計(jì)提供了手段和依據(jù)。
1986, 8(4): 247-254.
摘要:
本文應(yīng)用薩溫(Г.Н.Савин)擾動(dòng)形式的映射函數(shù)處理電磁波繞射導(dǎo)體的二維問題。提出了漸近求解這一問題的一般方法及相應(yīng)的漸近公式,特別是基于圓柱形導(dǎo)體的漸近,文中給出了0級(jí)及1級(jí)漸近解的具體算式。
本文應(yīng)用薩溫(Г.Н.Савин)擾動(dòng)形式的映射函數(shù)處理電磁波繞射導(dǎo)體的二維問題。提出了漸近求解這一問題的一般方法及相應(yīng)的漸近公式,特別是基于圓柱形導(dǎo)體的漸近,文中給出了0級(jí)及1級(jí)漸近解的具體算式。
1986, 8(4): 255-264.
摘要:
本文概述了設(shè)計(jì)二維數(shù)字濾波器的已有的幾種主要的設(shè)計(jì)方法,提出了一種簡(jiǎn)單的設(shè)計(jì)方法組合設(shè)計(jì)法。這種方法具有計(jì)算代價(jià)低、易于實(shí)現(xiàn)線性相移、便于向多維推廣等優(yōu)點(diǎn)。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明:這種方法比二維窗口法計(jì)算代價(jià)還低、設(shè)計(jì)效果更好。它不僅適于在圖像處理或其他計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中作為應(yīng)用軟件使用,也適于在涉及二維或多維數(shù)字濾波的研究工作中采用。
本文概述了設(shè)計(jì)二維數(shù)字濾波器的已有的幾種主要的設(shè)計(jì)方法,提出了一種簡(jiǎn)單的設(shè)計(jì)方法組合設(shè)計(jì)法。這種方法具有計(jì)算代價(jià)低、易于實(shí)現(xiàn)線性相移、便于向多維推廣等優(yōu)點(diǎn)。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明:這種方法比二維窗口法計(jì)算代價(jià)還低、設(shè)計(jì)效果更好。它不僅適于在圖像處理或其他計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中作為應(yīng)用軟件使用,也適于在涉及二維或多維數(shù)字濾波的研究工作中采用。
1986, 8(4): 265-271.
摘要:
本文用俄歇電子能譜和掃描電子顯微鏡等方法研究了p-InP與Au-Zn,Ti/Au,Pd/Au和Ti/Pd/Au接觸在熱處理過程中的互擴(kuò)散現(xiàn)象.結(jié)果表明:Au較Ti、Pd易向p-InP內(nèi)擴(kuò)散。研究了 p-InP/Au-Zn體系的合金化條件對(duì)比接觸電阻(c)的影響。在 450℃熱處理12 min或在 350℃熱處理30 min,均可得到較低的比接觸電阻,這表明界面處的互擴(kuò)散程度是決定比接觸電阻的重要因素。Au-Zn合金在蒸發(fā)和熱處理的過程中,Zn趨向于凝集在最表面層,而不能充分發(fā)揮它在InP中的受主作用,這是該體系的c值偏高的原因之一。
本文用俄歇電子能譜和掃描電子顯微鏡等方法研究了p-InP與Au-Zn,Ti/Au,Pd/Au和Ti/Pd/Au接觸在熱處理過程中的互擴(kuò)散現(xiàn)象.結(jié)果表明:Au較Ti、Pd易向p-InP內(nèi)擴(kuò)散。研究了 p-InP/Au-Zn體系的合金化條件對(duì)比接觸電阻(c)的影響。在 450℃熱處理12 min或在 350℃熱處理30 min,均可得到較低的比接觸電阻,這表明界面處的互擴(kuò)散程度是決定比接觸電阻的重要因素。Au-Zn合金在蒸發(fā)和熱處理的過程中,Zn趨向于凝集在最表面層,而不能充分發(fā)揮它在InP中的受主作用,這是該體系的c值偏高的原因之一。
1986, 8(4): 272-278.
摘要:
本文提出了用MOS恒流準(zhǔn)靜態(tài)小信號(hào)技術(shù)同時(shí)測(cè)量MOS的準(zhǔn)靜態(tài)電容、高頻電容和半導(dǎo)體表面勢(shì)的新方法。用此方法可以快速、準(zhǔn)確地確定Si/SiO2系統(tǒng)的低界面態(tài)密度分布。采用同步限幅差放技術(shù),使界面態(tài)密度的測(cè)量靈敏度提高了一個(gè)量級(jí)。
本文提出了用MOS恒流準(zhǔn)靜態(tài)小信號(hào)技術(shù)同時(shí)測(cè)量MOS的準(zhǔn)靜態(tài)電容、高頻電容和半導(dǎo)體表面勢(shì)的新方法。用此方法可以快速、準(zhǔn)確地確定Si/SiO2系統(tǒng)的低界面態(tài)密度分布。采用同步限幅差放技術(shù),使界面態(tài)密度的測(cè)量靈敏度提高了一個(gè)量級(jí)。
1986, 8(4): 279-286.
摘要:
本文介紹一種隨線式微波測(cè)濕系統(tǒng)。本系統(tǒng)所用傳感器靈敏度較高,線性較好,適合于在傳送帶上測(cè)量碎屑伏電介質(zhì)的含水量。由于采用了可編程計(jì)算器采集和處理數(shù)據(jù),提高了測(cè)量準(zhǔn)確度。本系統(tǒng)已在上海焦化廠精煤傳送帶上做了動(dòng)態(tài)實(shí)驗(yàn),所得結(jié)果與實(shí)際含水量基本相符。
本文介紹一種隨線式微波測(cè)濕系統(tǒng)。本系統(tǒng)所用傳感器靈敏度較高,線性較好,適合于在傳送帶上測(cè)量碎屑伏電介質(zhì)的含水量。由于采用了可編程計(jì)算器采集和處理數(shù)據(jù),提高了測(cè)量準(zhǔn)確度。本系統(tǒng)已在上海焦化廠精煤傳送帶上做了動(dòng)態(tài)實(shí)驗(yàn),所得結(jié)果與實(shí)際含水量基本相符。
1986, 8(4): 287-292.
摘要:
本文提出了解釋鑭-碳化鎢(La-WC)陰極發(fā)射大和抗油蒸汽中毒能力強(qiáng)的一些設(shè)想,并通過實(shí)驗(yàn),驗(yàn)證了所提出的設(shè)想。在La-WC陰極的工作溫度范圍內(nèi),La和 WC發(fā)生化學(xué)反應(yīng),生成La2C3。La2C3也是一種良好的發(fā)射材料,它具有與鑭相近的逸出功。La2C3能與鑭形成共熔體,對(duì)鎢基底浸潤(rùn)良好,易形成較好的發(fā)射層,而使發(fā)射顯著增大。La-WC陰極抗油蒸汽中毒是由于污染的碳與共熔體中的鑭形成La2C3,而La2C3也是良好的發(fā)射物質(zhì)的緣故。
本文提出了解釋鑭-碳化鎢(La-WC)陰極發(fā)射大和抗油蒸汽中毒能力強(qiáng)的一些設(shè)想,并通過實(shí)驗(yàn),驗(yàn)證了所提出的設(shè)想。在La-WC陰極的工作溫度范圍內(nèi),La和 WC發(fā)生化學(xué)反應(yīng),生成La2C3。La2C3也是一種良好的發(fā)射材料,它具有與鑭相近的逸出功。La2C3能與鑭形成共熔體,對(duì)鎢基底浸潤(rùn)良好,易形成較好的發(fā)射層,而使發(fā)射顯著增大。La-WC陰極抗油蒸汽中毒是由于污染的碳與共熔體中的鑭形成La2C3,而La2C3也是良好的發(fā)射物質(zhì)的緣故。
1986, 8(4): 293-302.
摘要:
本文討論了應(yīng)用頻域遠(yuǎn)區(qū)近似夫累涅爾-基爾霍夫公式計(jì)算瞬態(tài)輻射場(chǎng)的局限性。指出在瞬態(tài)信號(hào)激勵(lì)下,必須用嚴(yán)格的夫累涅爾-基爾霍夫公式來計(jì)算輻射場(chǎng),否則將丟失許多重要的瞬態(tài)特性。
本文討論了應(yīng)用頻域遠(yuǎn)區(qū)近似夫累涅爾-基爾霍夫公式計(jì)算瞬態(tài)輻射場(chǎng)的局限性。指出在瞬態(tài)信號(hào)激勵(lì)下,必須用嚴(yán)格的夫累涅爾-基爾霍夫公式來計(jì)算輻射場(chǎng),否則將丟失許多重要的瞬態(tài)特性。
1986, 8(4): 303-308.
摘要:
本文闡明了在使用口徑天線在遠(yuǎn)場(chǎng)區(qū)的沖激響應(yīng)的概念時(shí),遠(yuǎn)場(chǎng)區(qū)是對(duì)激勵(lì)天線的實(shí)際信號(hào)而言,并非對(duì)為求沖激響應(yīng)而施加在天線上的函數(shù)而言;遠(yuǎn)場(chǎng)區(qū)的沖激響應(yīng)在距離上的適用范圍決定于激勵(lì)信號(hào)的頻率范圍。
本文闡明了在使用口徑天線在遠(yuǎn)場(chǎng)區(qū)的沖激響應(yīng)的概念時(shí),遠(yuǎn)場(chǎng)區(qū)是對(duì)激勵(lì)天線的實(shí)際信號(hào)而言,并非對(duì)為求沖激響應(yīng)而施加在天線上的函數(shù)而言;遠(yuǎn)場(chǎng)區(qū)的沖激響應(yīng)在距離上的適用范圍決定于激勵(lì)信號(hào)的頻率范圍。
1986, 8(4): 309-315.
摘要:
正 一、引言 計(jì)算矩形同軸帶狀線的電容是相當(dāng)困難的,迄今只見到尺寸滿足一定條件時(shí)的近似解,尚未見到一般情況下的準(zhǔn)確解。有關(guān)計(jì)算電容的已有近似公式大多是基于保角變換法導(dǎo)得的,例如,Tippet和Chang應(yīng)用變換式t=sn2(mz,k)將Z平面上的O
正 一、引言 計(jì)算矩形同軸帶狀線的電容是相當(dāng)困難的,迄今只見到尺寸滿足一定條件時(shí)的近似解,尚未見到一般情況下的準(zhǔn)確解。有關(guān)計(jì)算電容的已有近似公式大多是基于保角變換法導(dǎo)得的,例如,Tippet和Chang應(yīng)用變換式t=sn2(mz,k)將Z平面上的O
1986, 8(4): 316-320.
摘要:
正 1.引言 一般文獻(xiàn)在討論如脈沖壓縮、合成孔徑等數(shù)字信號(hào)處理技術(shù)時(shí),都假定系統(tǒng)中的振蕩源是理想的,即認(rèn)為它不存在相位噪聲,因此不會(huì)對(duì)信號(hào)處理產(chǎn)生不良影響。這個(gè)假定當(dāng)然與實(shí)際情況有出入,因此有必要加以研究和修正。但振蕩起伏對(duì)信號(hào)處理的影響相當(dāng)復(fù)雜,很多情況難以利用經(jīng)典理論來解決。本文提出用蒙特卡羅計(jì)算機(jī)模擬法來估算這種影響,并以脈沖壓縮為例來闡述這一思想。振蕩源的相位噪聲譜密度則以常用
正 1.引言 一般文獻(xiàn)在討論如脈沖壓縮、合成孔徑等數(shù)字信號(hào)處理技術(shù)時(shí),都假定系統(tǒng)中的振蕩源是理想的,即認(rèn)為它不存在相位噪聲,因此不會(huì)對(duì)信號(hào)處理產(chǎn)生不良影響。這個(gè)假定當(dāng)然與實(shí)際情況有出入,因此有必要加以研究和修正。但振蕩起伏對(duì)信號(hào)處理的影響相當(dāng)復(fù)雜,很多情況難以利用經(jīng)典理論來解決。本文提出用蒙特卡羅計(jì)算機(jī)模擬法來估算這種影響,并以脈沖壓縮為例來闡述這一思想。振蕩源的相位噪聲譜密度則以常用
