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正 (一)引言 除金(Au)以外,作者們還曾詳細(xì)地介紹過稀有金屬鈀(Pd)、釓(Gd)、銠(Rh)等在si/SiO2界面呈現(xiàn)的類似的負(fù)電效應(yīng)。并且討論過該效應(yīng)的普遍性及其改善器件表面性質(zhì)的可能性。近來我們?cè)趯?shí)驗(yàn)中,又觀察到鑭(La)也是具有負(fù)電效應(yīng)的雜質(zhì),同樣能引起MOS結(jié)構(gòu)C-V曲線,包括高頻和準(zhǔn)靜態(tài)曲線,沿正柵壓方向明顯移動(dòng)。本文介紹的是摻La界面電特性的主要結(jié)果。 (二)實(shí)驗(yàn) MOS樣品是在電阻率為812cm的111P型Si單晶片上制成的。Si片是經(jīng)研磨、SiO2膠體拋光和化學(xué)拋光制成的,厚度約為300m。在1150℃下HC1和干氧的混合氣流中氧化30min,使Si片表面生成厚度約為1200的SiO2薄膜。去除Si片背面的SiO2后,在干氮下,從背面擴(kuò)入La,進(jìn)而在不同條件(溫度、時(shí)間、氣氛等)下,對(duì)

本文提出了解釋鑭-碳化鎢(La-WC)陰極發(fā)射大和抗油蒸汽中毒能力強(qiáng)的一些設(shè)想,并通過實(shí)驗(yàn),驗(yàn)證了所提出的設(shè)想。在La-WC陰極的工作溫度范圍內(nèi),La和 WC發(fā)生化學(xué)反應(yīng),生成La2C3。La2C3也是一種良好的發(fā)射材料,它具有與鑭相近的逸出功。La2C3能與鑭形成共熔體,對(duì)鎢基底浸潤(rùn)良好,易形成較好的發(fā)射層,而使發(fā)射顯著增大。La-WC陰極抗油蒸汽中毒是由于污染的碳與共熔體中的鑭形成La2C3,而La2C3也是良好的發(fā)射物質(zhì)的緣故。

本文提出一種求解閉凸集上非線性規(guī)劃問題的神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)模型,給出了它的Liapunov函數(shù),在適當(dāng)?shù)募僭O(shè)下,運(yùn)用La Salle不變性原理證明了它的大范圍漸近穩(wěn)定性,并給出了計(jì)算機(jī)模擬。

通過對(duì)Xu(2004)和Zhang(2004)提出的兩種環(huán)簽名方案進(jìn)行分析，指出了這兩種環(huán)簽名方案都容易受到群成員改變攻擊(group-changing attack)，并給出了攻擊方法；另外，Zhang的方案還容易受到多已知簽名存在偽造(multiple-known-signature existential forgery)攻擊。為防范這兩種攻擊，對(duì)這兩種環(huán)簽名方案進(jìn)行了改進(jìn)，改進(jìn)后的方案在最強(qiáng)的安全模型(Joseph, 2004提出)中仍是安全的。

通過對(duì)Zhang-Liu-He (2006)，Gan-Chen (2004)和Wang-Zhang-Ma (2007)提出的可轉(zhuǎn)換環(huán)簽名方案進(jìn)行分析，指出了這幾個(gè)可轉(zhuǎn)換環(huán)簽名方案存在可轉(zhuǎn)換性攻擊或不可否認(rèn)性攻擊，即，環(huán)中的任何成員都能宣稱自己是實(shí)際簽名者或冒充別的成員進(jìn)行環(huán)簽名。為防范這兩種攻擊，對(duì)這幾個(gè)可轉(zhuǎn)換環(huán)簽名方案進(jìn)行了改進(jìn)，改進(jìn)后的方案滿足可轉(zhuǎn)換環(huán)簽名的安全性要求。

本文計(jì)算了天然放射性同位素產(chǎn)生的MCP噪聲(以A/cm2表示)。計(jì)算結(jié)果給出:Rb87產(chǎn)生的噪聲最大,K40次之;最小為La138和V50。這表明:某些應(yīng)用領(lǐng)域要求低噪聲或超低噪聲的MCP時(shí),則該MCP的皮料中不能含有天然放射性同位素Rb87或K40。

正 隨著各種特殊電真空器件和電子束設(shè)備的發(fā)展,要求陰極能適應(yīng)相應(yīng)的環(huán)境。如密封油膜光閥管,就需要能抵抗油蒸汽中毒的陰極。國外使用一種含釷的儲(chǔ)備式陰極,但釷有放射性污染。我們研制了一種沒有放射性污染的鑭鎢陰極。Albert等人曾發(fā)表過這類陰極的發(fā)射數(shù)據(jù)。Gallagher報(bào)道過這類陰極抗氧中毒的性能。但迄今,尚未見到這類陰極的其他性能和運(yùn)用情況的報(bào)道。 幾年來,我們對(duì)鑭鎢陰極進(jìn)行了研究,選擇了一種新配方,做出了以WC,La,Pt三

由于基于最壞情況困難假設(shè)等優(yōu)點(diǎn)，基于格的密碼被認(rèn)為是最具前景的抗量子密碼研究方向。作為格密碼的常用的兩個(gè)主要困難問題之一，含錯(cuò)學(xué)習(xí)(LWE)問題被廣泛用于密碼算法的設(shè)計(jì)。為了提高格密碼算法的性能，Zhang等人(2019)提出了非對(duì)稱含錯(cuò)學(xué)習(xí)問題，該文將從理論上詳細(xì)研究非對(duì)稱含錯(cuò)學(xué)習(xí)問題和標(biāo)準(zhǔn)含錯(cuò)學(xué)習(xí)問題關(guān)系，并證明在特定錯(cuò)誤分布下非對(duì)稱含錯(cuò)學(xué)習(xí)問題和含錯(cuò)學(xué)習(xí)問題是多項(xiàng)式時(shí)間等價(jià)的，從而為基于非對(duì)稱含錯(cuò)學(xué)習(xí)問題設(shè)計(jì)安全的格密碼算法奠定了理論基礎(chǔ)。

本文介紹了一種用于研究砷化鎵材料中的缺陷(比如EL2吸收特性等)的新方法:將一束波長(zhǎng)為1.11.5m的近紅外光穿過一塊厚度為48mm,直徑為50mm的砷化鎵材料,用紅外攝象機(jī)TOSHIBA 8844攝取圖象,并直接送入計(jì)算機(jī)圖象處理系統(tǒng)DATASUD,材料中的非均勻性缺陷圖象,即材料中的缺陷(EL2,位錯(cuò)等)在截面上的分布結(jié)構(gòu)形狀(十字形,網(wǎng)狀,球粒形等)就可從屏幕上觀察到。本文給出了為研究這類材料設(shè)計(jì)的ZHIMAG(ZHang IMAGe)圖象處理軟件包和應(yīng)用ZHIMAG所獲得的一些結(jié)果。ZHIMAG也適用于其它類型的圖象處理。

環(huán)簽名是提供匿名發(fā)布信息的巧妙方法，該文首次給出了基于身份的可鏈接環(huán)簽名和可鏈接可轉(zhuǎn)換環(huán)簽名的概念與安全的形式化定義。以Zhang和Kim的環(huán)簽名方案為例，給出了為某些基于身份環(huán)簽名添加可鏈接性的方法。并分別提出了高效的基于身份的可鏈接環(huán)簽名和可鏈接可轉(zhuǎn)換環(huán)簽名方案，方案除滿足完備匿名性和適應(yīng)性選擇消息攻擊下的不可偽造性外，還分別滿足可鏈接性和對(duì)非簽名者的不可轉(zhuǎn)換性。