La在Si/SiO2界面的電效應
ELECTRIC EFFECTS OF La AT THE Si/SiO2 INTERFACE
-
摘要: 正 (一)引言 除金(Au)以外,作者們還曾詳細地介紹過稀有金屬鈀(Pd)、釓(Gd)、銠(Rh)等在si/SiO2界面呈現(xiàn)的類似的負電效應。并且討論過該效應的普遍性及其改善器件表面性質的可能性。近來我們在實驗中,又觀察到鑭(La)也是具有負電效應的雜質,同樣能引起MOS結構C-V曲線,包括高頻和準靜態(tài)曲線,沿正柵壓方向明顯移動。本文介紹的是摻La界面電特性的主要結果。 (二)實驗 MOS樣品是在電阻率為812cm的111P型Si單晶片上制成的。Si片是經(jīng)研磨、SiO2膠體拋光和化學拋光制成的,厚度約為300m。在1150℃下HC1和干氧的混合氣流中氧化30min,使Si片表面生成厚度約為1200的SiO2薄膜。去除Si片背面的SiO2后,在干氮下,從背面擴入La,進而在不同條件(溫度、時間、氣氛等)下,對
-
關鍵詞:
Abstract: The negative electric effects of La metai at the Si/SiO2 interface and the heat treatment behaviour of these effects are studied experimentally. In addition, the results of electron spectroscopy analysis of the La-doped interface are also presented. -
李思淵,李壽嵩等,半導體技術,1981年,第2期,第1頁.[2]李思淵,張同軍,李壽嵩,蘭州大學學報,18(1982), 125.[3]李思淵,張同軍,李壽嵩,半導體學報,4(1983), 606.[4]李思淵,張同軍,李壽嵩,王毓珍,蘭州大學學報,19(1983), 125.[5]S. D. Brotherton,J.Appl. Phys., 42(1971), 2085.[6]R. Holm and S. Store, Appl. Phys., 12(1977), 101.[7]K. S. Kim et al., Surface Science, 43(1974), 625.[8]Y. C. Cheng, Progress in Surface, 18 (1977), 181.[9]李思淵,張同軍,李壽嵩,王毓珍,蘭州大學學報,19(1983), 156.[10]E. Kooi, Philips. Res. Repts., 21 (1966), 477. -
計量
- 文章訪問數(shù): 1856
- HTML全文瀏覽量: 165
- PDF下載量: 307
- 被引次數(shù): 0
下載:
