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該文提出了一種新的基于矩陣LU分解的數(shù)字水印算法。該方法首先將數(shù)字圖像的非負(fù)矩陣表示轉(zhuǎn)化為G-對(duì)角占優(yōu)矩陣，再進(jìn)行LU分解，通過(guò)量化函數(shù)進(jìn)行數(shù)字水印的嵌入，恢復(fù)水印時(shí)不需要原始圖像。將矩陣的LU分解數(shù)字水印算法與DCT的中頻系數(shù)比較法進(jìn)行了對(duì)比實(shí)驗(yàn)。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明這種方法運(yùn)算速度快并且具有很好的魯棒性。

針對(duì)基于orth的稀疏目標(biāo)定位算法中orth預(yù)處理會(huì)影響原信號(hào)的稀疏性的問(wèn)題，該文提出一種基于LU分解的稀疏目標(biāo)定位算法。該算法通過(guò)網(wǎng)格化感知區(qū)域把目標(biāo)定位問(wèn)題轉(zhuǎn)化為壓縮感知問(wèn)題，并利用LU分解法對(duì)觀測(cè)字典進(jìn)行分解得到新的觀測(cè)字典。該觀測(cè)字典有效地滿足了約束等距性條件，同時(shí)對(duì)觀測(cè)值的預(yù)處理過(guò)程不影響原信號(hào)的稀疏性，從而有效地保證了算法的重建性能，提升了算法的定位精度。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，基于LU分解的稀疏目標(biāo)定位算法的性能遠(yuǎn)優(yōu)于基于orth的稀疏目標(biāo)定位算法，目標(biāo)的定位精度得到了較大地提升。

矩陣方程的快速求解是矩量法計(jì)算電大問(wèn)題的關(guān)鍵，LU分解是求解線性方程組的有效方法。該文詳細(xì)地分析了Doolittle LU分解過(guò)程，基于分解過(guò)程的特點(diǎn)，在MPI(Message-Passing interface) 并行環(huán)境下，提出了按直角式循環(huán)對(duì)進(jìn)程進(jìn)行任務(wù)分配的并行求解方法。實(shí)驗(yàn)證明該方法可以有效地減少進(jìn)程間數(shù)據(jù)通信量，從而加快計(jì)算速度。

本文分析了擴(kuò)散型或漂移型或具有電荷放大效應(yīng)的光陰極的量子效率。提出了具有內(nèi)場(chǎng)或外場(chǎng)的-Si∶H光電發(fā)射模型。其結(jié)構(gòu)是p-i-n -Si∶H/Bi2S3或SnO2--Si∶H-Al∶Cs∶O。估算了它們的量子效率和積分靈敏度。二者的量子效率為1-10,靈敏度為103-105A/lm。外場(chǎng)模型的實(shí)驗(yàn)表明,結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)是正確的。

本文研究了大通量輻照(1018n/cm2)的NTD CZ在750-1200℃范圍內(nèi)退火的行為。發(fā)現(xiàn)在該溫度區(qū)間內(nèi)會(huì)產(chǎn)生高濃度的中照施主,最高可達(dá)到1016cm-3。只有在高于1100℃退火才能獲得準(zhǔn)確的目標(biāo)電阻率.探討了大通量輻照NTD CZ Si的退火工藝,中照施主的形成及其消除條件。

測(cè)量夾心結(jié)構(gòu)-Si∶H膜的瞬態(tài)響應(yīng)譜時(shí),發(fā)現(xiàn)無(wú)論是在低的正向偏壓還是在低的反向偏壓下,起始部分都出現(xiàn)不正常的尖形脈沖,它的幅度隨光波長(zhǎng)的增長(zhǎng)而減小。零場(chǎng)瞬態(tài)譜的研究表明,這種不正常的非傳輸部分來(lái)源于結(jié)區(qū),它的升降特點(diǎn)決定于光照時(shí)的空間電荷限制光電流。從光電流幅值與光吸收系數(shù)的關(guān)系式,我們發(fā)展了一種確定光學(xué)隙的方法。

測(cè)量了縫電極和梳形電極a-Si:H樣品的光伏安特性和光電靈敏度,提出了由光電靈敏度計(jì)算電荷放大增益的方法。由此法測(cè)出的a-Si:H的電荷放大增益,在105V/cm電場(chǎng)下,高達(dá)4.3103。本文從能態(tài)圖討論了a-Si:H中電荷放大效應(yīng)的產(chǎn)生過(guò)程。由測(cè)量的增益值計(jì)算了電子遷移率與壽命之積。

正 (一)引言 除金(Au)以外,作者們還曾詳細(xì)地介紹過(guò)稀有金屬鈀(Pd)、釓(Gd)、銠(Rh)等在si/SiO2界面呈現(xiàn)的類(lèi)似的負(fù)電效應(yīng)。并且討論過(guò)該效應(yīng)的普遍性及其改善器件表面性質(zhì)的可能性。近來(lái)我們?cè)趯?shí)驗(yàn)中,又觀察到鑭(La)也是具有負(fù)電效應(yīng)的雜質(zhì),同樣能引起MOS結(jié)構(gòu)C-V曲線,包括高頻和準(zhǔn)靜態(tài)曲線,沿正柵壓方向明顯移動(dòng)。本文介紹的是摻La界面電特性的主要結(jié)果。 (二)實(shí)驗(yàn) MOS樣品是在電阻率為812cm的111P型Si單晶片上制成的。Si片是經(jīng)研磨、SiO2膠體拋光和化學(xué)拋光制成的,厚度約為300m。在1150℃下HC1和干氧的混合氣流中氧化30min,使Si片表面生成厚度約為1200的SiO2薄膜。去除Si片背面的SiO2后,在干氮下,從背面擴(kuò)入La,進(jìn)而在不同條件(溫度、時(shí)間、氣氛等)下,對(duì)

以反射高能電子衍射的方法研究了用Ar+離子轟擊和高溫處理技術(shù)獲得的潔凈的Si(100)和(111)面,以及在室溫下這些表面上分子束外延生長(zhǎng)鎳硅化物。實(shí)驗(yàn)獲得了Si(111)77以及它的負(fù)區(qū)衍射圖,Si(100)21,Si(111)1919Ni和Si(100)42Ni的表面結(jié)構(gòu)。實(shí)驗(yàn)同時(shí)表明,在低外延生長(zhǎng)速率下(0.150.5/min)生成的鎳硅化物的晶格結(jié)構(gòu)與硅基底的一樣。

用差分SPV法測(cè)量a-Si:H材料的少子擴(kuò)散長(zhǎng)度,可以消除被測(cè)樣品背面結(jié)的影響.本文討論了這種測(cè)量方法的數(shù)學(xué)模型,導(dǎo)出了測(cè)量公式,分析了影響測(cè)量結(jié)果的各種因素.