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差分SPV法測(cè)量a-Si:H材料少子擴(kuò)散長(zhǎng)度的數(shù)學(xué)模型

張治國(guó) 宿昌厚

張治國(guó), 宿昌厚. 差分SPV法測(cè)量a-Si:H材料少子擴(kuò)散長(zhǎng)度的數(shù)學(xué)模型[J]. 電子與信息學(xué)報(bào), 1993, 15(5): 487-492.
引用本文: 張治國(guó), 宿昌厚. 差分SPV法測(cè)量a-Si:H材料少子擴(kuò)散長(zhǎng)度的數(shù)學(xué)模型[J]. 電子與信息學(xué)報(bào), 1993, 15(5): 487-492.
Zhang Zhiguo, Su Changhou. THE MATHEMATICAL MODEL OF THE DIFFERENTIAL SPV TECHNIQUE FOR MEASURING MINORITY CARRIER DIFFUSION LENGTH OF a-Si:H FILM[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1993, 15(5): 487-492.
Citation: Zhang Zhiguo, Su Changhou. THE MATHEMATICAL MODEL OF THE DIFFERENTIAL SPV TECHNIQUE FOR MEASURING MINORITY CARRIER DIFFUSION LENGTH OF a-Si:H FILM[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1993, 15(5): 487-492.

差分SPV法測(cè)量a-Si:H材料少子擴(kuò)散長(zhǎng)度的數(shù)學(xué)模型

THE MATHEMATICAL MODEL OF THE DIFFERENTIAL SPV TECHNIQUE FOR MEASURING MINORITY CARRIER DIFFUSION LENGTH OF a-Si:H FILM

  • 摘要: 用差分SPV法測(cè)量a-Si:H材料的少子擴(kuò)散長(zhǎng)度,可以消除被測(cè)樣品背面結(jié)的影響.本文討論了這種測(cè)量方法的數(shù)學(xué)模型,導(dǎo)出了測(cè)量公式,分析了影響測(cè)量結(jié)果的各種因素.
  • A.R. Moore, J. Appl. Phys. 56(1984)10, 2796-2802.[2]A.R. Moore.[J].J. Appl. Phys.1983,54:1-[3]L. Sakata, J. Appl. Phys. 61 (1987)5, 1916-1927.[4]R. Sohwarz, D. Slobodin, Appl. Phys. Less., 47 (1985)7, 740-747.[5]張治國(guó),金屬-非晶硅Schottky結(jié)的形成及其用于SPV法少子擴(kuò)散長(zhǎng)度的測(cè)量暨非晶硅中電于態(tài)的研究,京北工業(yè)大學(xué)電子工程學(xué)系碩士論文,北京,1991年.
  • 加載中
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出版歷程
  • 收稿日期:  1992-04-13
  • 修回日期:  1992-10-24
  • 刊出日期:  1993-09-19

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