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本文用俄歇電子能譜和掃描電子顯微鏡等方法研究了p-InP與Au-Zn,Ti/Au,Pd/Au和Ti/Pd/Au接觸在熱處理過程中的互擴(kuò)散現(xiàn)象.結(jié)果表明:Au較Ti、Pd易向p-InP內(nèi)擴(kuò)散。研究了 p-InP/Au-Zn體系的合金化條件對(duì)比接觸電阻(c)的影響。在 450℃熱處理12 min或在 350℃熱處理30 min,均可得到較低的比接觸電阻,這表明界面處的互擴(kuò)散程度是決定比接觸電阻的重要因素。Au-Zn合金在蒸發(fā)和熱處理的過程中,Zn趨向于凝集在最表面層,而不能充分發(fā)揮它在InP中的受主作用,這是該體系的c值偏高的原因之一。

本文分析了當(dāng)電極傳輸線與終端負(fù)載阻抗不匹配時(shí),Ti:LiNbO3行波調(diào)制器的調(diào)制特性.主要討論了反射系數(shù)對(duì)調(diào)制器半波電壓、帶寬以及對(duì)時(shí)域波形的影響。

本文報(bào)道研究擴(kuò)散摻鈦的硅中深能級(jí)的結(jié)果。用DLTS法觀測(cè)到三個(gè)與鈦有關(guān)的深能級(jí),即在n-Si(Ti)中有二個(gè)電子陷阱,能級(jí)位置分別為Ec0.23eV和Ec0.53eV,在p-Si(Ti)中有一個(gè)空穴陷阱,能級(jí)位置為Ev+0.32eV。詳細(xì)的電容瞬態(tài)研究得到了這些能級(jí)在一定測(cè)試溫度范圍內(nèi)的熱激活能和俘獲截面以及其它有關(guān)參量。本文還就測(cè)量結(jié)果對(duì)能級(jí)的鍵合性質(zhì)和釘扎于那一能帶做了討論。

聯(lián)想記憶是一種描述生物學(xué)習(xí)和遺忘過程的重要機(jī)制，對(duì)構(gòu)建神經(jīng)形態(tài)計(jì)算系統(tǒng)和模擬類腦功能有重要的意義，設(shè)計(jì)并實(shí)現(xiàn)聯(lián)想記憶電路成為人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)領(lǐng)域內(nèi)的研究熱點(diǎn)。巴甫洛夫條件反射實(shí)驗(yàn)作為聯(lián)想記憶的經(jīng)典案例之一，其硬件電路的實(shí)現(xiàn)方案仍然存在電路設(shè)計(jì)復(fù)雜、功能不完善以及過程描述不清晰等問題?；诖耍撐娜诤辖?jīng)典的條件反射理論和納米科學(xué)技術(shù)，提出一種基于憶阻的全功能巴甫洛夫聯(lián)想記憶電路。首先，基于水熱合成法和磁控濺射法制備了Ag/TiO_x nanobelt/Ti結(jié)構(gòu)的憶阻器，通過電化學(xué)工作站、四探針測(cè)試臺(tái)和透射電子顯微鏡聯(lián)合完成相應(yīng)的性能測(cè)試；接著，利用測(cè)試得到的電化學(xué)數(shù)據(jù)，構(gòu)建了Ag/TiO_x nanobelt/Ti憶阻器的數(shù)學(xué)模型和SPICE電路模型，并通過客觀評(píng)價(jià)驗(yàn)證模型的精確度；進(jìn)一步，基于提出的Ag/TiO_x nanobelt/Ti憶阻器模型，設(shè)計(jì)了一種全功能巴甫洛夫聯(lián)想記憶電路，通過電路描述和功能分析，論述了該電路能夠正確模擬巴甫洛夫?qū)嶒?yàn)中2類學(xué)習(xí)過程和3類遺忘過程；最后，通過一系列計(jì)算機(jī)仿真和分析，驗(yàn)證了所提方案的正確性和有效性。

正 慢波組件的散熱能力是螺旋線行波管向高頻、大功率、寬頻帶發(fā)展的主要障礙之一。本文就此問題提出了一種能獲得散熱能力高、高頻損耗小的、簡(jiǎn)單可靠的工藝方法。還提出了散熱能力的測(cè)量方法,并給出了測(cè)量結(jié)果。 (一)焊接工藝 1.慢波組件裝配 試驗(yàn)慢波組件的尺寸如圖1所示。首先將螺旋線鍍上2025m厚的銅層。然后用真空蒸涂的方法在瓷桿上蒸涂一條鈦層,并再在Ti層上蒸涂一層Ag-Cu合金

正 (一) 前言 幾十年來電真空器件一直采用鉬錳金屬化或涂鈦粉的陶瓷金屬封接工藝。該工藝比較復(fù)雜,同時(shí)封接質(zhì)量又不易保證。我們研究了用鈦銀銅(Ti-Ag-Cu)活性合金焊料直接封接的工藝;試驗(yàn)了合金焊料中活性元素鈦含量和封接溫度等參量對(duì)封接質(zhì)量的影響;給出了合金焊料的合適合鈦量和封接的工藝規(guī)范。實(shí)驗(yàn)表明,鈦銀銅合金焊料直接封接工藝,方法簡(jiǎn)單,質(zhì)量穩(wěn)定,是值得推廣應(yīng)用的

該文介紹采用一片TI公司的數(shù)字信號(hào)處理芯片TMS320C31實(shí)現(xiàn)了MPEG-2音頻Layer-1,2實(shí)時(shí)壓縮編解碼器。為了達(dá)到實(shí)時(shí)的目的,對(duì)MPEG建議的子帶分析和子帶合成方案分別提出了一種新的快速算法,采用該算法的運(yùn)算量分別是MPEG標(biāo)準(zhǔn)建議算法運(yùn)算量的1/5和1/10。所有算法都經(jīng)過了軟件模擬和硬件實(shí)時(shí)仿真,通過仿真器裝載到一片TMS320C31上實(shí)現(xiàn)了實(shí)時(shí)編解碼運(yùn)算。

該文以TI公司TMS320DM642 DSP為核心處理器設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)了一個(gè)符合MPEG標(biāo)準(zhǔn)的低碼率實(shí)時(shí)視頻編碼器。主要特色是：提出并實(shí)現(xiàn)了中心三步搜索和菱形搜索相結(jié)合的方法進(jìn)行快速運(yùn)動(dòng)搜索；提出并實(shí)現(xiàn)了一種新的全零塊預(yù)先判別方法；針對(duì)DSP系統(tǒng)結(jié)構(gòu)以及指令特點(diǎn)對(duì)編碼過程中的運(yùn)算密集部分進(jìn)行專門優(yōu)化。實(shí)驗(yàn)表明，該文提出的快速運(yùn)動(dòng)搜索算法性能優(yōu)于中心三步搜索算法。全零塊預(yù)先判別機(jī)制在保證圖像質(zhì)量的同時(shí)能有效減小運(yùn)算量并降低碼率。

為了適應(yīng)無線通信等甚低速語音通信應(yīng)用,文中提出一種基于子幀聯(lián)合編碼的600b/s語音編碼算法。該算法的激勵(lì)源采用混合激勵(lì)模型,聲道參數(shù)使用幀內(nèi)預(yù)測(cè)多級(jí)矢量量化進(jìn)行高效量化,在參數(shù)編解碼時(shí)提出了子幀分類聯(lián)合的思想,并在編碼端使用語音增強(qiáng)仰制背景噪聲,解碼端使用后濾波處理來改善語音質(zhì)量,這些方面較傳統(tǒng)LPC算法有了明顯改進(jìn)。同時(shí),選用TI公司的TMS320VC5416DSP芯片實(shí)時(shí)實(shí)現(xiàn)了該算法。非正式主觀試聽結(jié)果表明,該算法在可懂度、消晰度等方面與傳統(tǒng)的2.4kb/sLPC自法相當(dāng),而速率僅為LPC算法的1/4,是甚低速率的一種良好的編碼方案。

磁電(ME)天線具有高能量轉(zhuǎn)換效率、小尺寸和輕量化的優(yōu)勢(shì)，在便攜式跨介質(zhì)通信系統(tǒng)中具有良好的應(yīng)用前景。目前，ME天線存在輻射強(qiáng)度較低的問題，限制了系統(tǒng)的通信距離。為解決這一問題，該文設(shè)計(jì)了一種基于ME天線陣列的甚低頻(VLF)通信系統(tǒng)。該系統(tǒng)的發(fā)射天線是由7個(gè)ME天線單元串聯(lián)組成的發(fā)射陣列，有效提升了輻射強(qiáng)度。ME天線單元采用經(jīng)過表面改性的Fe₈₀Si₉B₁₁層壓材料作為磁致伸縮單元，并結(jié)合Pb(Zr,Ti)O₃(PZT)壓電陶瓷構(gòu)成三明治結(jié)構(gòu)，增強(qiáng)了磁電耦合效率。對(duì)天線陣列施加高驅(qū)動(dòng)電壓，可在1 m距離處產(chǎn)生165 nT的磁場(chǎng)強(qiáng)度?；谠撎炀€陣列的便攜式磁通信系統(tǒng)采用二進(jìn)制振幅鍵控(BASK)調(diào)制技術(shù)，在高背景噪聲的實(shí)驗(yàn)室環(huán)境中成功實(shí)現(xiàn)了11.4 m的無線通信，碼速率為50 bit/s。理論分析表明，該系統(tǒng)的最大誤碼率為0.12%，證明了其良好的抗噪能力。研究結(jié)果表明，基于串聯(lián)陣列型磁電(ME)天線的通信系統(tǒng)在提升通信距離具有顯著優(yōu)勢(shì)，為低頻通信技術(shù)的發(fā)展提供了新的思路。