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1987, 9(3): 264-268.
刊出日期：1987-05-19
用Zn作擴散源在封閉的真空石英管中,研究了Zn在Ge中的擴散問題,給出了xj-t1/2關系和C-1/T關系,比較了擴散源溫度對樣品表面形貌的影響。采用雙溫區(qū)擴散工藝可獲得表面光亮的樣品。采用真空退火工藝可使擴散樣品表面漏電流降低。
2015, 37(8): 1994-1999.
doi: 10.11999/JEIT141635
刊出日期：2015-08-19
該文分析了He等人(2014)提出的無證書簽名方案和Ming等人(2014)提出的無證書聚合簽名方案的安全性，指出Ming方案存在密鑰生成中心(KGC)被動攻擊，He方案存在KGC被動攻擊和KGC主動攻擊。該文描述了KGC對兩個方案的攻擊過程，分析了兩個方案存在KGC攻擊的原因，最后對Ming方案提出了兩類改進。改進方案不僅克服了原方案的安全性問題，同時也保持了原方案聚合簽名長度固定的優(yōu)勢。
1996, 18(6): 638-643.
刊出日期：1996-11-19
關鍵詞:
鍺硅合金; 應變; 重摻雜; 能帶結構
針對應變Si1-xGex的應變致價帶分裂和重摻雜對裂值的影響,提出了該合金價帶結構的等價有效簡并度模型。模型中考慮了非拋物線價帶結構。應用這個模型,計算了贗晶生長在100Si襯底上的p型Si_(1-x)Ge_x應變層的重摻雜禁帶窄變,發(fā)現(xiàn)當雜質濃度超過約2～31019cm-3后,它在某一Ge組分下得到極大值,而當摻雜低于此濃度時,它則隨Ge組分的增加單調(diào)下降。與實驗報道的對比證實了本模型的有效性。
1989, 11(4): 410-415.
刊出日期：1989-07-19
關鍵詞:
天線; 覆介質導體圓柱; 縫隙; 耦合
本文研究覆介質導體圓柱面上軸向窄縫間的耦合,討論了耦合系數(shù)譜展開式中無窮積分的收斂性態(tài),利用輔助函數(shù)Ge得出了耦合系數(shù)的計算公式,給出了部分數(shù)值計算結果。
2009, 31(5): 1233-1236.
doi: 10.3724/SP.J.1146.2008.00108
刊出日期：2009-05-19
該文采用通用流封裝GSE來完成地面數(shù)字多媒體廣播(T-DMB)系統(tǒng)的IP業(yè)務的傳輸，提出了一種改進的GSE-FEC方案。其中設計了一種可提供幀重構信息以及錯誤位置信息的改進的GSE封裝(IGSE)，進一步提出了基于IGSE的帶擦除譯碼方案IGE，用于GSE-FEC方案的譯碼部分, 較好地提高了GSE-FEC的性能。仿真結果表明，IGE與基于非帶擦除(NE)以及基于現(xiàn)有GSE封裝的帶擦除(GE)RS譯碼方案相比，均表現(xiàn)出更強的糾錯能力，另外，與GE方案相比，IGE可以更好的保護正確字節(jié)，有效的減少信息浪費。
2015, 37(8): 1971-1977.
doi: 10.11999/JEIT141604
刊出日期：2015-08-19
為了分析ZUC序列密碼算法在相關性能量分析攻擊方面的免疫能力，該文進行了相關研究。為了提高攻擊的針對性，該文提出了攻擊方案的快速評估方法，并據(jù)此給出了ZUC相關性能量分析攻擊方案。最后基于ASIC開發(fā)環(huán)境構建仿真驗證平臺，對攻擊方案進行了驗證。實驗結果表明該方案可成功恢復48 bit密鑰，說明ZUC并不具備相關性能量分析攻擊的免疫力，同時也證實了攻擊方案快速評估方法的有效性。相比Tang Ming等采用隨機初始向量進行差分能量攻擊，初始向量樣本數(shù)達到5000時才能觀察到明顯的差分功耗尖峰，該文的攻擊方案只需256個初始向量，且攻擊效果更為顯著。
1990, 12(2): 169-178.
刊出日期：1990-03-19
關鍵詞:
電子光學; 磁偏轉器; 任意形狀繞組
本文將文獻[1]的分析方法推廣到帶鐵心的偏轉器,繞組形狀可以是任意的,如子午繞組、非子午繞組、鞍形、環(huán)形或扇形等。對鐵心與繞組之間有一定間隙的情況,提出了計算偏轉場的一種新的表示式,并用高斯-切比雪夫積分式對積分方程離散求解。最后用COTY GE-14''彩顯管偏轉器的解剖數(shù)據(jù)驗證。
1989, 11(3): 333-336.
刊出日期：1989-05-19
本文用DLTS譜儀和單脈沖瞬態(tài)電容技術測量了光通信用GaAlAs/GaAs雙異質結發(fā)光管中的深能級,對有源區(qū)摻Si和摻Ge的相同結構器件,均測得有多子陷阱存在,其能級位置分別為EC-ED0.29eV和ET-EV0.42eV。比較了外延系統(tǒng)中氧含量變化對有源區(qū)摻Si器件深能級的影響,以及有源區(qū)EL圖象中的DSD與深能級關系,結果表明外延系統(tǒng)中氧含量對深能級有明顯影響,而EL圖象中DSD的出現(xiàn)率與深能級無明顯關系。
2021, 43(12): 3749-3757.
doi: 10.11999/JEIT200740
刊出日期：2021-12-21
在分布式存儲系統(tǒng)中，當節(jié)點發(fā)生故障時局部修復碼(LRC)可以通過訪問少量其他節(jié)點來恢復數(shù)據(jù)，然而LRC的局部度不盡相同，該文構造了短碼長且局部度較小的四元LRC。當碼長不超過20，最小距離大于2時，若四元距離最優(yōu)線性碼的生成陣維數(shù)不超過校驗陣維數(shù)，可利用其生成陣給出LRC，否則利用其校驗陣給出LRC。對已構造的LRC的生成陣或校驗陣，利用刪除、并置等方法得到新矩陣，從而構造出190個碼長$n \le 20$ ，最小距離$d \ge 2$ 的LRC。除12個LRC外，其他LRC是局部度最優(yōu)的。
2018, 40(12): 2986-2991.
doi: 10.11999/JEIT180196
刊出日期：2018-12-01
Lai-Massey結構是由IDEA算法發(fā)展而來的一個分組密碼結構，F(xiàn)OX系列密碼算法是該密碼結構的代表。該文從差分概率關于獨立等概輪密鑰的平均概率上界和給定起點和終點的線性鏈的平均概率上界兩個角度出發(fā)，研究Lai-Massey 結構的差分和線性可證明安全性。該文證明了2輪Lai-Massey結構的非平凡差分對應關于獨立等概的輪密鑰的平均概率 $ \le p{}_{\max }$ ；證明了當Lai-Massey 結構的F函數(shù)是正型置換時，輪數(shù) $r \ge 3$ 的非平凡差分對應關于獨立等概的輪密鑰的平均概率 $ \le p_{\max }^2$ 。針對給定起點和終點的線性鏈的平均概率上界，該文也獲得了類似的結論。
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