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1994年 第16卷 第1期
1994, 16(1): 1-7.
摘要:
本文討論了一類聯(lián)想神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)在學習過程中結(jié)構(gòu)變化引起網(wǎng)絡(luò)平衡點狀態(tài)變化的動態(tài)特性;研究了網(wǎng)絡(luò)的指數(shù)穩(wěn)定性質(zhì);分析了聯(lián)想過程中輸入激勵在噪聲干擾情況下,網(wǎng)絡(luò)的濾波能力;得到了一些對于研究聯(lián)想神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)學習性質(zhì)有用的結(jié)論。
本文討論了一類聯(lián)想神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)在學習過程中結(jié)構(gòu)變化引起網(wǎng)絡(luò)平衡點狀態(tài)變化的動態(tài)特性;研究了網(wǎng)絡(luò)的指數(shù)穩(wěn)定性質(zhì);分析了聯(lián)想過程中輸入激勵在噪聲干擾情況下,網(wǎng)絡(luò)的濾波能力;得到了一些對于研究聯(lián)想神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)學習性質(zhì)有用的結(jié)論。
1994, 16(1): 8-17.
摘要:
本文分析了高溫CMOS倒相器和門電路的瞬態(tài)特性,建立了它們的上升時間,下降時間和延遲時間的計算公式。根據(jù)本文分析的結(jié)果,高溫CMOS倒相器和門電路瞬態(tài)特性變差的原因是由于MOST閾值電壓和載流子遷移率降低,以及MOST漏端pn結(jié)反向泄漏電流增大的緣故。本文給出的計算結(jié)果能較好地解釋實驗現(xiàn)象。
本文分析了高溫CMOS倒相器和門電路的瞬態(tài)特性,建立了它們的上升時間,下降時間和延遲時間的計算公式。根據(jù)本文分析的結(jié)果,高溫CMOS倒相器和門電路瞬態(tài)特性變差的原因是由于MOST閾值電壓和載流子遷移率降低,以及MOST漏端pn結(jié)反向泄漏電流增大的緣故。本文給出的計算結(jié)果能較好地解釋實驗現(xiàn)象。
1994, 16(1): 18-25.
摘要:
本文在理論上揭示了偏差-故障電路可及點電壓變化陣方向能量與故障信息陣、偏差干擾陣方向能量間的定量關(guān)系,分離出最大方向能量子空間,并提出了該子空間與故障信息子空間的最大接近度概念。技術(shù)上,本文給出了定位準確度與當今最精良的非線性最小二乘法相當,而定位速度快300～500倍的多故障定位新方法廣義反投影法。
本文在理論上揭示了偏差-故障電路可及點電壓變化陣方向能量與故障信息陣、偏差干擾陣方向能量間的定量關(guān)系,分離出最大方向能量子空間,并提出了該子空間與故障信息子空間的最大接近度概念。技術(shù)上,本文給出了定位準確度與當今最精良的非線性最小二乘法相當,而定位速度快300～500倍的多故障定位新方法廣義反投影法。
1994, 16(1): 26-30.
摘要:
本文給出沿軸線方向測量非線性電路和系統(tǒng)Volterra前三階核的快速有效方法。這是作者們以前工作(1990)的續(xù)篇。引用以前工作的結(jié)果,并在輸入信號中加入直流項,可以得到非線性系統(tǒng)在軸線上的高階核H2(j,0),H3(j,0,0),H3(j1,j2,0)等。
本文給出沿軸線方向測量非線性電路和系統(tǒng)Volterra前三階核的快速有效方法。這是作者們以前工作(1990)的續(xù)篇。引用以前工作的結(jié)果,并在輸入信號中加入直流項,可以得到非線性系統(tǒng)在軸線上的高階核H2(j,0),H3(j,0,0),H3(j1,j2,0)等。
1994, 16(1): 31-39.
摘要:
抑制雜波一直為機載預(yù)警(AEW)雷達信號處理的關(guān)鍵技術(shù)。本文根據(jù)機載相控陣雷達側(cè)面陣的雜波譜特點,提出了一種用時空二維配對濾波處理來抑制AEW雷達雜波的準最優(yōu)方法,該方法的特點是運算量小,能實現(xiàn)實時處理,且對低速目標的檢測性能較常規(guī)的空時級聯(lián)處理有較大程度的改善。另外,該方法還可以推廣到其它非側(cè)面陣的情形。
抑制雜波一直為機載預(yù)警(AEW)雷達信號處理的關(guān)鍵技術(shù)。本文根據(jù)機載相控陣雷達側(cè)面陣的雜波譜特點,提出了一種用時空二維配對濾波處理來抑制AEW雷達雜波的準最優(yōu)方法,該方法的特點是運算量小,能實現(xiàn)實時處理,且對低速目標的檢測性能較常規(guī)的空時級聯(lián)處理有較大程度的改善。另外,該方法還可以推廣到其它非側(cè)面陣的情形。
1994, 16(1): 40-47.
摘要:
本文研究了脈壓碼時間旁瓣的特性。證明了幾個定理。并利用時間旁瓣自身互補定理對63位PN碼的時間旁瓣作了相消仿真研究。用這種方法僅需要作很少的加法運算。文中還對優(yōu)選碼的問題舉出實例以說明如何應(yīng)用文中的定理來減少優(yōu)選低旁瓣碼的搜索時間。
本文研究了脈壓碼時間旁瓣的特性。證明了幾個定理。并利用時間旁瓣自身互補定理對63位PN碼的時間旁瓣作了相消仿真研究。用這種方法僅需要作很少的加法運算。文中還對優(yōu)選碼的問題舉出實例以說明如何應(yīng)用文中的定理來減少優(yōu)選低旁瓣碼的搜索時間。
1994, 16(1): 48-52.
摘要:
用惰性小而廉價的a-Si:H膜作液晶光閥的光導層是一種理想選擇。采用阻抗匹配的方法,設(shè)計和制作了a-Si:H液晶光閥。在大屏幕投影系統(tǒng)上獲得了清晰的投影圖象,分辨率為201p/mm。光閥感光度測量表明,寫入光在100w,cm2以下,讀出光隨寫入光線性變化。在寫入光為100w/cm2時,瞬態(tài)響應(yīng)測量結(jié)果為:上升時間60ms,下降時間80ms。
用惰性小而廉價的a-Si:H膜作液晶光閥的光導層是一種理想選擇。采用阻抗匹配的方法,設(shè)計和制作了a-Si:H液晶光閥。在大屏幕投影系統(tǒng)上獲得了清晰的投影圖象,分辨率為201p/mm。光閥感光度測量表明,寫入光在100w,cm2以下,讀出光隨寫入光線性變化。在寫入光為100w/cm2時,瞬態(tài)響應(yīng)測量結(jié)果為:上升時間60ms,下降時間80ms。
1994, 16(1): 53-60.
摘要:
本文研究了厚金屬柵加載介質(zhì)插入波導漏波天線的輻射特性,運用電磁場的網(wǎng)絡(luò)解析法的推廣模型建立起本征值方程。數(shù)值結(jié)果表明,金屬柵厚度對漏波天線波求方向影響較小,但對漏波天線的輻射效率和波束寬度有明顯的影響。
本文研究了厚金屬柵加載介質(zhì)插入波導漏波天線的輻射特性,運用電磁場的網(wǎng)絡(luò)解析法的推廣模型建立起本征值方程。數(shù)值結(jié)果表明,金屬柵厚度對漏波天線波求方向影響較小,但對漏波天線的輻射效率和波束寬度有明顯的影響。
1994, 16(1): 61-66.
摘要:
本文研究了半導體表面空間電荷區(qū)中的深能級中心的電場增強載流子產(chǎn)生效應(yīng);指出應(yīng)全面考慮庫侖發(fā)射和非庫侖發(fā)射對載流于產(chǎn)生率的影響;給出了相應(yīng)的產(chǎn)生率計算公式。對計算機計算結(jié)果的分析表明,以往的只考慮庫侖發(fā)射的模型過于簡單,本文理論可以較滿意地解釋有關(guān)的實驗結(jié)果。
本文研究了半導體表面空間電荷區(qū)中的深能級中心的電場增強載流子產(chǎn)生效應(yīng);指出應(yīng)全面考慮庫侖發(fā)射和非庫侖發(fā)射對載流于產(chǎn)生率的影響;給出了相應(yīng)的產(chǎn)生率計算公式。對計算機計算結(jié)果的分析表明,以往的只考慮庫侖發(fā)射的模型過于簡單,本文理論可以較滿意地解釋有關(guān)的實驗結(jié)果。
1994, 16(1): 67-71.
摘要:
本文分析了星載合成孔徑雷達(SAR)多普勒質(zhì)心與距離走動之間的線性關(guān)系,提出了一種估計多普勒質(zhì)心的新方法幅度相關(guān)法。利用星載SEASAT-A SAR原始數(shù)據(jù),討論了該方法與目前最常用的雜波鎖定法的差別。結(jié)果表明,采用幅度相關(guān)法具有運算量小和在準均勻或非均勻場景下估計精度高的優(yōu)越性。
本文分析了星載合成孔徑雷達(SAR)多普勒質(zhì)心與距離走動之間的線性關(guān)系,提出了一種估計多普勒質(zhì)心的新方法幅度相關(guān)法。利用星載SEASAT-A SAR原始數(shù)據(jù),討論了該方法與目前最常用的雜波鎖定法的差別。結(jié)果表明,采用幅度相關(guān)法具有運算量小和在準均勻或非均勻場景下估計精度高的優(yōu)越性。
1994, 16(1): 72-75.
摘要:
本文在高頻漸近意義下,導出了平面波的復(fù)射線束展開系數(shù)公式,從而為已得到成功應(yīng)用的平面波復(fù)射線束擬合展開提供了理論依據(jù)。
本文在高頻漸近意義下,導出了平面波的復(fù)射線束展開系數(shù)公式,從而為已得到成功應(yīng)用的平面波復(fù)射線束擬合展開提供了理論依據(jù)。
1994, 16(1): 76-80.
摘要:
本文對介質(zhì)板上的直線振子天線作了理論和實驗研究。首先用極化電流法準導了天線電流和介質(zhì)中場的積分方程組,然后用矩量法對該方程組數(shù)值求解,最后給出理論計算和實驗結(jié)果,并對此作了比較和討論。
本文對介質(zhì)板上的直線振子天線作了理論和實驗研究。首先用極化電流法準導了天線電流和介質(zhì)中場的積分方程組,然后用矩量法對該方程組數(shù)值求解,最后給出理論計算和實驗結(jié)果,并對此作了比較和討論。
1994, 16(1): 86-90.
摘要:
本文報道了關(guān)于光控介質(zhì)諧振器振蕩器的實驗結(jié)果。對一只9.5GHz的介質(zhì)諧振器振蕩器進行實驗,用硅半導體光敏材料,入射15mW紅光,光控頻率調(diào)諧達17.5MHz,紅光功率的平均頻率調(diào)諧率為1.17MHz/mW。入射5.5mW紫光,光控頻率調(diào)諧達到12.3MHz,紫光功率的平均頻率調(diào)諧率為2.24MHz/mW。在整個調(diào)諧范圍內(nèi)振蕩器的微波輸出功率隨光功率增加而略有上升。
本文報道了關(guān)于光控介質(zhì)諧振器振蕩器的實驗結(jié)果。對一只9.5GHz的介質(zhì)諧振器振蕩器進行實驗,用硅半導體光敏材料,入射15mW紅光,光控頻率調(diào)諧達17.5MHz,紅光功率的平均頻率調(diào)諧率為1.17MHz/mW。入射5.5mW紫光,光控頻率調(diào)諧達到12.3MHz,紫光功率的平均頻率調(diào)諧率為2.24MHz/mW。在整個調(diào)諧范圍內(nèi)振蕩器的微波輸出功率隨光功率增加而略有上升。
1994, 16(1): 91-95.
摘要:
在分析以往高值觸發(fā)器困難的基礎(chǔ)上本文提出了雙端予置的邏輯設(shè)計方案。應(yīng)用傳輸函數(shù)理論對四值CMOS觸發(fā)器進行了電路設(shè)計。結(jié)果表明,與存貯相同信息量的二個二值觸發(fā)器相比,它有較簡單的結(jié)構(gòu)與較快的工作速度。
在分析以往高值觸發(fā)器困難的基礎(chǔ)上本文提出了雙端予置的邏輯設(shè)計方案。應(yīng)用傳輸函數(shù)理論對四值CMOS觸發(fā)器進行了電路設(shè)計。結(jié)果表明,與存貯相同信息量的二個二值觸發(fā)器相比,它有較簡單的結(jié)構(gòu)與較快的工作速度。
1994, 16(1): 96-101.
摘要:
本文導出了一般開關(guān)電容支路的Z域電荷耦合模型,提出一種適用于多相開關(guān)電容網(wǎng)絡(luò)Z域分析的回路電荷法。
本文導出了一般開關(guān)電容支路的Z域電荷耦合模型,提出一種適用于多相開關(guān)電容網(wǎng)絡(luò)Z域分析的回路電荷法。
1994, 16(1): 102-106.
摘要:
本文提出了幾種用單塊電流傳輸器(CCII)實現(xiàn)的Q增強二階帶通濾波電路。這些電路使用的元件較已見報道的同類電路和用運算放大器(OA)實現(xiàn)的同類電路少;適當選擇元件參數(shù),還可實現(xiàn)RCD串聯(lián)諧振器。
本文提出了幾種用單塊電流傳輸器(CCII)實現(xiàn)的Q增強二階帶通濾波電路。這些電路使用的元件較已見報道的同類電路和用運算放大器(OA)實現(xiàn)的同類電路少;適當選擇元件參數(shù),還可實現(xiàn)RCD串聯(lián)諧振器。
1994, 16(1): 107-112.
摘要:
本文討論了微機在微波輻射計中應(yīng)用的發(fā)展情況,并以周期定標全功率輻射計為例,敘述了其技術(shù)優(yōu)勢,工作原理,分析方法以及實驗結(jié)果。
本文討論了微機在微波輻射計中應(yīng)用的發(fā)展情況,并以周期定標全功率輻射計為例,敘述了其技術(shù)優(yōu)勢,工作原理,分析方法以及實驗結(jié)果。
