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1987年 第9卷 第2期
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1987, 9(2): 97-106.
摘要:
本文論述了瞬態(tài)電磁場(chǎng)用于目標(biāo)識(shí)別的一種新方法,給出了激勵(lì)目標(biāo)的單模散射場(chǎng)的基本理論及其數(shù)學(xué)推導(dǎo)過程。把這一理論用于線性目標(biāo)和導(dǎo)電球體,已獲得了較為滿意的結(jié)果,給出了計(jì)算目標(biāo)沖擊響應(yīng)得到的有用的結(jié)論。最后提出了一個(gè)實(shí)際可行的,在時(shí)域中測(cè)試目標(biāo)沖擊響應(yīng)的方案。實(shí)驗(yàn)證明這一方案是可行的。
本文論述了瞬態(tài)電磁場(chǎng)用于目標(biāo)識(shí)別的一種新方法,給出了激勵(lì)目標(biāo)的單模散射場(chǎng)的基本理論及其數(shù)學(xué)推導(dǎo)過程。把這一理論用于線性目標(biāo)和導(dǎo)電球體,已獲得了較為滿意的結(jié)果,給出了計(jì)算目標(biāo)沖擊響應(yīng)得到的有用的結(jié)論。最后提出了一個(gè)實(shí)際可行的,在時(shí)域中測(cè)試目標(biāo)沖擊響應(yīng)的方案。實(shí)驗(yàn)證明這一方案是可行的。
1987, 9(2): 107-115.
摘要:
本文研究了在確定的觀察時(shí)間內(nèi),在有色高斯噪聲中離散時(shí)間檢測(cè)和估計(jì)的性能與樣本數(shù)之間的關(guān)系。指出相鄰樣本之間相關(guān)系數(shù)在0.10.2范圍內(nèi),廣義信噪比就能相當(dāng)接近極限值S2(T)。在討論二階相關(guān)噪聲時(shí)指出,由二階微分方程描寫的高斯過程的樣本序列一般不是AR(2)模型,但是當(dāng)樣本間隔△0時(shí),卻可用AR(2)模型近似描寫序列,因此求極限信噪比時(shí),可以較簡(jiǎn)便地采用AR(2)模型。最后指出最大似然估計(jì)與似然比檢驗(yàn)之間和兩者的性能測(cè)度之間的聯(lián)系。
本文研究了在確定的觀察時(shí)間內(nèi),在有色高斯噪聲中離散時(shí)間檢測(cè)和估計(jì)的性能與樣本數(shù)之間的關(guān)系。指出相鄰樣本之間相關(guān)系數(shù)在0.10.2范圍內(nèi),廣義信噪比就能相當(dāng)接近極限值S2(T)。在討論二階相關(guān)噪聲時(shí)指出,由二階微分方程描寫的高斯過程的樣本序列一般不是AR(2)模型,但是當(dāng)樣本間隔△0時(shí),卻可用AR(2)模型近似描寫序列,因此求極限信噪比時(shí),可以較簡(jiǎn)便地采用AR(2)模型。最后指出最大似然估計(jì)與似然比檢驗(yàn)之間和兩者的性能測(cè)度之間的聯(lián)系。
1987, 9(2): 116-124.
摘要:
本文討論E/D NMOS斬波穩(wěn)零運(yùn)算放大器的設(shè)計(jì)方法,著重分析了斬波穩(wěn)零運(yùn)算放大器的失調(diào)因素,并導(dǎo)出了計(jì)算公式。 電路設(shè)計(jì)利用SPICE-Ⅱ程序進(jìn)行了計(jì)算機(jī)模擬,樣片的測(cè)試結(jié)果與分析結(jié)果一致。
本文討論E/D NMOS斬波穩(wěn)零運(yùn)算放大器的設(shè)計(jì)方法,著重分析了斬波穩(wěn)零運(yùn)算放大器的失調(diào)因素,并導(dǎo)出了計(jì)算公式。 電路設(shè)計(jì)利用SPICE-Ⅱ程序進(jìn)行了計(jì)算機(jī)模擬,樣片的測(cè)試結(jié)果與分析結(jié)果一致。
1987, 9(2): 125-134.
摘要:
開關(guān)電容濾波器(SCF)在集成電路中占有極為重要的地位,它具有集成度高,設(shè)計(jì)精度高,溫度穩(wěn)定性好,并可采用成熟的MOS工藝實(shí)現(xiàn)等優(yōu)點(diǎn),為了提高電路設(shè)計(jì)的效率和準(zhǔn)確性,計(jì)算機(jī)輔助分析受到越來越多的重視。 本文采用SPICE電路模擬程序和等效電路變換方法,討論了對(duì)SCF電路進(jìn)行計(jì)算機(jī)輔助分析的步驟和方法,并用此方法設(shè)計(jì)了一個(gè)用于脈碼調(diào)制(PCM)電話系統(tǒng)的D3通道的五階橢圓低通濾波器,所得結(jié)果與傳輸函數(shù)結(jié)果一致。
開關(guān)電容濾波器(SCF)在集成電路中占有極為重要的地位,它具有集成度高,設(shè)計(jì)精度高,溫度穩(wěn)定性好,并可采用成熟的MOS工藝實(shí)現(xiàn)等優(yōu)點(diǎn),為了提高電路設(shè)計(jì)的效率和準(zhǔn)確性,計(jì)算機(jī)輔助分析受到越來越多的重視。 本文采用SPICE電路模擬程序和等效電路變換方法,討論了對(duì)SCF電路進(jìn)行計(jì)算機(jī)輔助分析的步驟和方法,并用此方法設(shè)計(jì)了一個(gè)用于脈碼調(diào)制(PCM)電話系統(tǒng)的D3通道的五階橢圓低通濾波器,所得結(jié)果與傳輸函數(shù)結(jié)果一致。
1987, 9(2): 135-139.
摘要:
本文提出了一種測(cè)定放電消電離時(shí)間以確定等離子體電子溫度的方法。給出了實(shí)驗(yàn)裝置簡(jiǎn)圖和實(shí)驗(yàn)結(jié)果。所得結(jié)果的數(shù)值與探針測(cè)量結(jié)果比較一致,表明這種方法是簡(jiǎn)易可行的。
本文提出了一種測(cè)定放電消電離時(shí)間以確定等離子體電子溫度的方法。給出了實(shí)驗(yàn)裝置簡(jiǎn)圖和實(shí)驗(yàn)結(jié)果。所得結(jié)果的數(shù)值與探針測(cè)量結(jié)果比較一致,表明這種方法是簡(jiǎn)易可行的。
1987, 9(2): 140-148.
摘要:
本文推導(dǎo)了兩種類型的多極靜電偏轉(zhuǎn)器在無窮長(zhǎng)情況下場(chǎng)分布的普遍解;提供了多極靜電偏轉(zhuǎn)器在光軸附近獲得均勻偏轉(zhuǎn)場(chǎng)的方法;計(jì)算了六種實(shí)用的多極靜偏器,給出了有關(guān)公式和數(shù)據(jù),分析了兩種多極靜偏器之間的聯(lián)系和區(qū)別。
本文推導(dǎo)了兩種類型的多極靜電偏轉(zhuǎn)器在無窮長(zhǎng)情況下場(chǎng)分布的普遍解;提供了多極靜電偏轉(zhuǎn)器在光軸附近獲得均勻偏轉(zhuǎn)場(chǎng)的方法;計(jì)算了六種實(shí)用的多極靜偏器,給出了有關(guān)公式和數(shù)據(jù),分析了兩種多極靜偏器之間的聯(lián)系和區(qū)別。
1987, 9(2): 149-155.
摘要:
本文報(bào)道研究擴(kuò)散摻鈦的硅中深能級(jí)的結(jié)果。用DLTS法觀測(cè)到三個(gè)與鈦有關(guān)的深能級(jí),即在n-Si(Ti)中有二個(gè)電子陷阱,能級(jí)位置分別為Ec0.23eV和Ec0.53eV,在p-Si(Ti)中有一個(gè)空穴陷阱,能級(jí)位置為Ev+0.32eV。詳細(xì)的電容瞬態(tài)研究得到了這些能級(jí)在一定測(cè)試溫度范圍內(nèi)的熱激活能和俘獲截面以及其它有關(guān)參量。本文還就測(cè)量結(jié)果對(duì)能級(jí)的鍵合性質(zhì)和釘扎于那一能帶做了討論。
本文報(bào)道研究擴(kuò)散摻鈦的硅中深能級(jí)的結(jié)果。用DLTS法觀測(cè)到三個(gè)與鈦有關(guān)的深能級(jí),即在n-Si(Ti)中有二個(gè)電子陷阱,能級(jí)位置分別為Ec0.23eV和Ec0.53eV,在p-Si(Ti)中有一個(gè)空穴陷阱,能級(jí)位置為Ev+0.32eV。詳細(xì)的電容瞬態(tài)研究得到了這些能級(jí)在一定測(cè)試溫度范圍內(nèi)的熱激活能和俘獲截面以及其它有關(guān)參量。本文還就測(cè)量結(jié)果對(duì)能級(jí)的鍵合性質(zhì)和釘扎于那一能帶做了討論。
1987, 9(2): 156-160.
摘要:
本文利用ZnAs2、ZnAs2+Cd作擴(kuò)散源,研究了Zn、Zn-Cd在InxGa1-xAs中的擴(kuò)散。給出了擴(kuò)散溫度和擴(kuò)散時(shí)間,擴(kuò)散源的種類和材料的組份對(duì)xj-t1/2關(guān)系的影響,Zn在InxGa1-xAs中的擴(kuò)散速度(xj2/t)較Zn-Cd在InxGa1-xAs中的快。在500600℃,Zn在InxGa1-xAs的表面濃度為1101921020cm-3。Zn在InxGa1-xAs中的表面濃度較在InP中的高。利用InxGa1-xAs作1.3m發(fā)光管的接觸層可使接觸電阻降低。
本文利用ZnAs2、ZnAs2+Cd作擴(kuò)散源,研究了Zn、Zn-Cd在InxGa1-xAs中的擴(kuò)散。給出了擴(kuò)散溫度和擴(kuò)散時(shí)間,擴(kuò)散源的種類和材料的組份對(duì)xj-t1/2關(guān)系的影響,Zn在InxGa1-xAs中的擴(kuò)散速度(xj2/t)較Zn-Cd在InxGa1-xAs中的快。在500600℃,Zn在InxGa1-xAs的表面濃度為1101921020cm-3。Zn在InxGa1-xAs中的表面濃度較在InP中的高。利用InxGa1-xAs作1.3m發(fā)光管的接觸層可使接觸電阻降低。
1987, 9(2): 161-164.
摘要:
一個(gè)穩(wěn)定的光陰極表面層是獲得一個(gè)穩(wěn)定的長(zhǎng)壽命光陰極的必不可少的條件。由于反射式GaAs(Cs,F)光陰極用氟代替氧進(jìn)行表面激活,氟的強(qiáng)烈的電負(fù)性使得表面層的穩(wěn)定性得到改善。反射式GaAs(Cs,F)光陰極的壽命達(dá)到8500小時(shí)。除此之外,它的工藝重復(fù)性和抗污染能力也比GaAs(Cs,O2)光陰極的好。
一個(gè)穩(wěn)定的光陰極表面層是獲得一個(gè)穩(wěn)定的長(zhǎng)壽命光陰極的必不可少的條件。由于反射式GaAs(Cs,F)光陰極用氟代替氧進(jìn)行表面激活,氟的強(qiáng)烈的電負(fù)性使得表面層的穩(wěn)定性得到改善。反射式GaAs(Cs,F)光陰極的壽命達(dá)到8500小時(shí)。除此之外,它的工藝重復(fù)性和抗污染能力也比GaAs(Cs,O2)光陰極的好。
1987, 9(2): 165-171.
摘要:
赫芝(Hertz)于1887年發(fā)現(xiàn)光電發(fā)射效應(yīng),為了紀(jì)念光電發(fā)射效應(yīng)發(fā)現(xiàn)100周年,本文對(duì)實(shí)用光陰極的發(fā)展歷史作一簡(jiǎn)單的回顧,并對(duì)其現(xiàn)況作扼要的評(píng)述。
赫芝(Hertz)于1887年發(fā)現(xiàn)光電發(fā)射效應(yīng),為了紀(jì)念光電發(fā)射效應(yīng)發(fā)現(xiàn)100周年,本文對(duì)實(shí)用光陰極的發(fā)展歷史作一簡(jiǎn)單的回顧,并對(duì)其現(xiàn)況作扼要的評(píng)述。
1987, 9(2): 172-175.
摘要:
本文進(jìn)一步討論了作者(1986)提出的雙△函數(shù)逆問題,并提出了剔除卷積核譜零點(diǎn)的具體做法。
本文進(jìn)一步討論了作者(1986)提出的雙△函數(shù)逆問題,并提出了剔除卷積核譜零點(diǎn)的具體做法。
1987, 9(2): 176-180.
摘要:
本文研究了雙向負(fù)阻晶體管(BNRT)張弛振蕩器的分段線性(具有四段折線和三段折線)動(dòng)力學(xué)模型。給出了電路和動(dòng)態(tài)方程。討論了張弛振蕩器的一些性質(zhì)。實(shí)驗(yàn)結(jié)果與計(jì)算結(jié)果一致,表明這種動(dòng)力學(xué)模型是適當(dāng)而有效的。
本文研究了雙向負(fù)阻晶體管(BNRT)張弛振蕩器的分段線性(具有四段折線和三段折線)動(dòng)力學(xué)模型。給出了電路和動(dòng)態(tài)方程。討論了張弛振蕩器的一些性質(zhì)。實(shí)驗(yàn)結(jié)果與計(jì)算結(jié)果一致,表明這種動(dòng)力學(xué)模型是適當(dāng)而有效的。
1987, 9(2): 181-187.
摘要:
本文介紹了一種根據(jù)狀態(tài)轉(zhuǎn)換圖直接設(shè)計(jì)時(shí)序電路的實(shí)用方法。此方法具有許多優(yōu)點(diǎn),特別適用于多個(gè)輸入和多個(gè)狀態(tài)的情況。
本文介紹了一種根據(jù)狀態(tài)轉(zhuǎn)換圖直接設(shè)計(jì)時(shí)序電路的實(shí)用方法。此方法具有許多優(yōu)點(diǎn),特別適用于多個(gè)輸入和多個(gè)狀態(tài)的情況。
1987, 9(2): 188-192.
摘要:
本文闡述了波紋圓錐喇叭的多頻段工作原理,并介紹了一個(gè)至少能在4,6和11 GHz三個(gè)頻段共用的波紋圓錐喇叭。此喇叭在4,6 GHz頻段的交叉極化峰值優(yōu)于-25dB,在11GHz頻段的幅度方向圖性能優(yōu)良。理論和實(shí)踐表明,使用不止在一個(gè)工作區(qū)工作的波紋圓錐喇叭可以實(shí)現(xiàn)多頻段共用的饋源喇叭。
本文闡述了波紋圓錐喇叭的多頻段工作原理,并介紹了一個(gè)至少能在4,6和11 GHz三個(gè)頻段共用的波紋圓錐喇叭。此喇叭在4,6 GHz頻段的交叉極化峰值優(yōu)于-25dB,在11GHz頻段的幅度方向圖性能優(yōu)良。理論和實(shí)踐表明,使用不止在一個(gè)工作區(qū)工作的波紋圓錐喇叭可以實(shí)現(xiàn)多頻段共用的饋源喇叭。
