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1983年 第5卷 第6期
1983, 5(6): 333-342.
摘要:
本文簡要回顧了合成孔徑側(cè)視雷達(dá)系統(tǒng)和它的天線坐標(biāo)系之間的幾何關(guān)系,探討了合成孔徑側(cè)視雷達(dá)天線的孔徑電流分布的理論要求。在R.C.Heimiller(1962)和R.W.Bayma(1975)等人工作的基礎(chǔ)上,進(jìn)一步論證了當(dāng)天線孔徑電流分布不是同相時(shí),它對合成孔徑側(cè)視雷達(dá)的綜合陣列方向圖和多普勒-時(shí)延響應(yīng)的影響,并在平方律和立方律相位分布條件下,對這些影響作了計(jì)算。計(jì)算表明,它不僅會使綜合陣列增益降低,而且會使多普勒-時(shí)延響應(yīng)的信號-模糊比下降?？紤]到這些影響,本文對R.W.Bayma等人(1975)提出的重復(fù)頻率的取值范圍提出了補(bǔ)充意見。
本文簡要回顧了合成孔徑側(cè)視雷達(dá)系統(tǒng)和它的天線坐標(biāo)系之間的幾何關(guān)系,探討了合成孔徑側(cè)視雷達(dá)天線的孔徑電流分布的理論要求。在R.C.Heimiller(1962)和R.W.Bayma(1975)等人工作的基礎(chǔ)上,進(jìn)一步論證了當(dāng)天線孔徑電流分布不是同相時(shí),它對合成孔徑側(cè)視雷達(dá)的綜合陣列方向圖和多普勒-時(shí)延響應(yīng)的影響,并在平方律和立方律相位分布條件下,對這些影響作了計(jì)算。計(jì)算表明,它不僅會使綜合陣列增益降低,而且會使多普勒-時(shí)延響應(yīng)的信號-模糊比下降?？紤]到這些影響,本文對R.W.Bayma等人(1975)提出的重復(fù)頻率的取值范圍提出了補(bǔ)充意見。
1983, 5(6): 343-349.
摘要:
本文提出糾兩個(gè)錯(cuò)的二元BCH碼的代數(shù)完全譯碼方法。它實(shí)現(xiàn)起來比Hartmann的一步一步譯碼方法速度快,并且當(dāng)對應(yīng)校驗(yàn)子S1、S3的錯(cuò)誤圖樣重量為3時(shí),能找出所有對應(yīng)同樣校驗(yàn)子的重量為3的錯(cuò)誤圖樣。同時(shí),本文也建立了GF(2m)上三次方程在GF(2m)上有三個(gè)不同根的判別式,這在糾三個(gè)錯(cuò)的二元BCH碼的完全譯碼中十分重要。
本文提出糾兩個(gè)錯(cuò)的二元BCH碼的代數(shù)完全譯碼方法。它實(shí)現(xiàn)起來比Hartmann的一步一步譯碼方法速度快,并且當(dāng)對應(yīng)校驗(yàn)子S1、S3的錯(cuò)誤圖樣重量為3時(shí),能找出所有對應(yīng)同樣校驗(yàn)子的重量為3的錯(cuò)誤圖樣。同時(shí),本文也建立了GF(2m)上三次方程在GF(2m)上有三個(gè)不同根的判別式,這在糾三個(gè)錯(cuò)的二元BCH碼的完全譯碼中十分重要。
1983, 5(6): 350-359.
摘要:
本文淪述用于話音頻帶電話線路高速數(shù)據(jù)傳輸?shù)恼徽{(diào)幅系統(tǒng)(QAM),分?jǐn)?shù)間隔均衡器(FSE)和三種最小二乘算法:卡爾曼(Kalman)算法、快速卡爾曼算法和自適應(yīng)網(wǎng)格式(adaptive lattice)算法用于上述系統(tǒng)的系數(shù)更新調(diào)整。最后簡要介紹實(shí)現(xiàn)的方法。
本文淪述用于話音頻帶電話線路高速數(shù)據(jù)傳輸?shù)恼徽{(diào)幅系統(tǒng)(QAM),分?jǐn)?shù)間隔均衡器(FSE)和三種最小二乘算法:卡爾曼(Kalman)算法、快速卡爾曼算法和自適應(yīng)網(wǎng)格式(adaptive lattice)算法用于上述系統(tǒng)的系數(shù)更新調(diào)整。最后簡要介紹實(shí)現(xiàn)的方法。
1983, 5(6): 360-364.
摘要:
正 一種常用的典型檢波器電路如圖1所示。該電路的電壓響應(yīng)特性曲線底部有彎曲見圖2。若用這種檢波器來檢測高頻脈沖信號,有可能嚴(yán)重地影響測量脈沖包絡(luò)各參量的精度。圖3示出了輸入高頻信號為鐘形調(diào)制時(shí)的失真情況
正 一種常用的典型檢波器電路如圖1所示。該電路的電壓響應(yīng)特性曲線底部有彎曲見圖2。若用這種檢波器來檢測高頻脈沖信號,有可能嚴(yán)重地影響測量脈沖包絡(luò)各參量的精度。圖3示出了輸入高頻信號為鐘形調(diào)制時(shí)的失真情況
1983, 5(6): 365-374.
摘要:
本文從準(zhǔn)正弦的方法導(dǎo)出了變?nèi)荻O管調(diào)諧的耿氏二極管壓控振蕩器的電路方程。對非線性元件作了專門的處理,得到了一個(gè)通用的計(jì)算機(jī)程序,這個(gè)程序可以計(jì)算小信號和大信號的靜態(tài)調(diào)制特性,也可以計(jì)算動(dòng)態(tài)特性和各參量對過渡過程的影響。
本文從準(zhǔn)正弦的方法導(dǎo)出了變?nèi)荻O管調(diào)諧的耿氏二極管壓控振蕩器的電路方程。對非線性元件作了專門的處理,得到了一個(gè)通用的計(jì)算機(jī)程序,這個(gè)程序可以計(jì)算小信號和大信號的靜態(tài)調(diào)制特性,也可以計(jì)算動(dòng)態(tài)特性和各參量對過渡過程的影響。
1983, 5(6): 375-381.
摘要:
基片磁化狀態(tài)是影響非互易閉鎖式鐵氧體微帶移相器性能的主要因素之一。提高基片剩余磁化強(qiáng)度,增大器件閉鎖態(tài)的磁化強(qiáng)度4M與基片飽和磁化強(qiáng)度4Ms的比值R(=4M/4Ms),對于降低器件插入損耗、提高相移效率、擴(kuò)展頻寬、減小驅(qū)動(dòng)功率等均是有利的。文中還分析比較了不同的磁化方式,并給出了單位和多位器件的主要性能。
基片磁化狀態(tài)是影響非互易閉鎖式鐵氧體微帶移相器性能的主要因素之一。提高基片剩余磁化強(qiáng)度,增大器件閉鎖態(tài)的磁化強(qiáng)度4M與基片飽和磁化強(qiáng)度4Ms的比值R(=4M/4Ms),對于降低器件插入損耗、提高相移效率、擴(kuò)展頻寬、減小驅(qū)動(dòng)功率等均是有利的。文中還分析比較了不同的磁化方式,并給出了單位和多位器件的主要性能。
1983, 5(6): 382-387.
摘要:
在不同場強(qiáng)和照度下,測量了一系列夾心結(jié)構(gòu)-Si∶H膜的光電導(dǎo)響應(yīng)曲線,發(fā)現(xiàn)在較弱場強(qiáng)下,上升曲線和下降曲線有反?，F(xiàn)象。作者分析了光電導(dǎo)響應(yīng)曲線,指出無論是上升曲線還是下降曲線,都可以分解為由兩個(gè)變化過程組成:一個(gè)尖形和一個(gè)類指數(shù)形。通過對零場和極弱場強(qiáng)響應(yīng)的研究,表明上述現(xiàn)象可用光照或停止光照后空間電荷分布的變化來解釋。本文對具有低遷移率和高電阻率的光敏材料具有普遍的意義。
在不同場強(qiáng)和照度下,測量了一系列夾心結(jié)構(gòu)-Si∶H膜的光電導(dǎo)響應(yīng)曲線,發(fā)現(xiàn)在較弱場強(qiáng)下,上升曲線和下降曲線有反?，F(xiàn)象。作者分析了光電導(dǎo)響應(yīng)曲線,指出無論是上升曲線還是下降曲線,都可以分解為由兩個(gè)變化過程組成:一個(gè)尖形和一個(gè)類指數(shù)形。通過對零場和極弱場強(qiáng)響應(yīng)的研究,表明上述現(xiàn)象可用光照或停止光照后空間電荷分布的變化來解釋。本文對具有低遷移率和高電阻率的光敏材料具有普遍的意義。
1983, 5(6): 388-395.
摘要:
本工作研究了在H02模二次回旋諧波工作的8mm單腔回旋管中,電子回旋頻率磁場對振蕩幅值、輸出功率、工作頻率、頻譜、工作電壓和振蕩區(qū)等主要參數(shù)的影響。利用高穩(wěn)定的電子回旋頻率可使該類器件的頻率穩(wěn)定度達(dá)10-5量級,頻譜寬度和頻譜漂移小于1.5MHz。還為實(shí)際應(yīng)用該類器件提供了有用的數(shù)據(jù)。
本工作研究了在H02模二次回旋諧波工作的8mm單腔回旋管中,電子回旋頻率磁場對振蕩幅值、輸出功率、工作頻率、頻譜、工作電壓和振蕩區(qū)等主要參數(shù)的影響。利用高穩(wěn)定的電子回旋頻率可使該類器件的頻率穩(wěn)定度達(dá)10-5量級,頻譜寬度和頻譜漂移小于1.5MHz。還為實(shí)際應(yīng)用該類器件提供了有用的數(shù)據(jù)。
1983, 5(6): 396-400.
摘要:
本文介紹了進(jìn)行高鉛玻璃通道電子倍增器(CEM)穩(wěn)定性試驗(yàn)的方法與結(jié)果,得到了總累計(jì)計(jì)數(shù)約1011的壽命數(shù)據(jù)。用俄歇電子能譜儀分析了疲勞的CEM的活性表面結(jié)構(gòu)與成份,發(fā)現(xiàn)了壽命試驗(yàn)過程中活性表面上碳的增加是CEM增益下降的主要原因,碳層的厚度約為50左右。為了提高CEM的耐烘烤性能,我們還研究了烘烤溫度對增益和分辨率的影響,以及烘烤溫度與還原溫度的某些關(guān)系,發(fā)現(xiàn)在保持一定電阻率的條件下,還原溫度越高,CEM的耐烘烤溫度也越高。
本文介紹了進(jìn)行高鉛玻璃通道電子倍增器(CEM)穩(wěn)定性試驗(yàn)的方法與結(jié)果,得到了總累計(jì)計(jì)數(shù)約1011的壽命數(shù)據(jù)。用俄歇電子能譜儀分析了疲勞的CEM的活性表面結(jié)構(gòu)與成份,發(fā)現(xiàn)了壽命試驗(yàn)過程中活性表面上碳的增加是CEM增益下降的主要原因,碳層的厚度約為50左右。為了提高CEM的耐烘烤性能,我們還研究了烘烤溫度對增益和分辨率的影響,以及烘烤溫度與還原溫度的某些關(guān)系,發(fā)現(xiàn)在保持一定電阻率的條件下,還原溫度越高,CEM的耐烘烤溫度也越高。
1983, 5(6): 401-406.
摘要:
正 (一) 前言 幾十年來電真空器件一直采用鉬錳金屬化或涂鈦粉的陶瓷金屬封接工藝。該工藝比較復(fù)雜,同時(shí)封接質(zhì)量又不易保證。我們研究了用鈦銀銅(Ti-Ag-Cu)活性合金焊料直接封接的工藝;試驗(yàn)了合金焊料中活性元素鈦含量和封接溫度等參量對封接質(zhì)量的影響;給出了合金焊料的合適合鈦量和封接的工藝規(guī)范。實(shí)驗(yàn)表明,鈦銀銅合金焊料直接封接工藝,方法簡單,質(zhì)量穩(wěn)定,是值得推廣應(yīng)用的
正 (一) 前言 幾十年來電真空器件一直采用鉬錳金屬化或涂鈦粉的陶瓷金屬封接工藝。該工藝比較復(fù)雜,同時(shí)封接質(zhì)量又不易保證。我們研究了用鈦銀銅(Ti-Ag-Cu)活性合金焊料直接封接的工藝;試驗(yàn)了合金焊料中活性元素鈦含量和封接溫度等參量對封接質(zhì)量的影響;給出了合金焊料的合適合鈦量和封接的工藝規(guī)范。實(shí)驗(yàn)表明,鈦銀銅合金焊料直接封接工藝,方法簡單,質(zhì)量穩(wěn)定,是值得推廣應(yīng)用的
1983, 5(6): 407-408.
摘要:
正 大電流電子源是高功率氬離子激光器、離子鍍膜裝置、真空冶煉設(shè)備等的關(guān)鍵部件。目前多數(shù)是采用熱陰極,現(xiàn)在介紹一種水冷杯狀空腔電弧陰極。 設(shè)計(jì)空腔電弧陰極主要考慮:散熱、絕緣、防止燒蝕、消除污染、限制弧斑運(yùn)動(dòng)、穩(wěn)定電弧、啟動(dòng)電弧等因素。 本文設(shè)計(jì)的陰極如圖1所示。圖中1是水冷杯狀金屬空腔,其內(nèi)壁面是陰極的發(fā)射面。在陰極出口孔內(nèi),裝有自加熱襯套2,用它來把陰極斑約束在空腔內(nèi)。3是絕緣墊
正 大電流電子源是高功率氬離子激光器、離子鍍膜裝置、真空冶煉設(shè)備等的關(guān)鍵部件。目前多數(shù)是采用熱陰極,現(xiàn)在介紹一種水冷杯狀空腔電弧陰極。 設(shè)計(jì)空腔電弧陰極主要考慮:散熱、絕緣、防止燒蝕、消除污染、限制弧斑運(yùn)動(dòng)、穩(wěn)定電弧、啟動(dòng)電弧等因素。 本文設(shè)計(jì)的陰極如圖1所示。圖中1是水冷杯狀金屬空腔,其內(nèi)壁面是陰極的發(fā)射面。在陰極出口孔內(nèi),裝有自加熱襯套2,用它來把陰極斑約束在空腔內(nèi)。3是絕緣墊
