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1979年 第1卷 第4期
1979, 1(4): 147-162.
摘要:
計算機對于求解復雜的、非線性的正交場互作用問題,看來是必不可少的工具。本文介紹了用M型器件暫態(tài)特性的大信號理論,計算分布發(fā)射式和注入式前向波放大器所取得的結果。本計算具有方法簡單,物理概念清晰的優(yōu)點,并且用于預言一個M型前向波放大器的特性也有足夠的精度。 文中給出了計算公式和計算方法,著重討論了M型器件的物理模型以及主要的計算結果,并與實際工作的M型前向波放大器作了比較,結果基本上是令人滿意的。
計算機對于求解復雜的、非線性的正交場互作用問題,看來是必不可少的工具。本文介紹了用M型器件暫態(tài)特性的大信號理論,計算分布發(fā)射式和注入式前向波放大器所取得的結果。本計算具有方法簡單,物理概念清晰的優(yōu)點,并且用于預言一個M型前向波放大器的特性也有足夠的精度。 文中給出了計算公式和計算方法,著重討論了M型器件的物理模型以及主要的計算結果,并與實際工作的M型前向波放大器作了比較,結果基本上是令人滿意的。
1979, 1(4): 163-170.
摘要:
本文對M個正交振子元相控圓陣天線方向增益指標最佳化進行了研究。通過徑切正交振子元加權因子輻射場型方向可控性質,把只適用于同樣排列方向的相同有向元組成的陣用埃米特型比的形式表示方向增益最佳化理論擴展到M個正交振于元相控圓陣天線課題。 本文包括:陣遠區(qū)輻射場公式;徑切正交振子元加權場型方向可控因子的導出;調整激勵(含幅度與相位在內)以及僅調整相位激勵方向增益指標最佳化公式的推求。
本文對M個正交振子元相控圓陣天線方向增益指標最佳化進行了研究。通過徑切正交振子元加權因子輻射場型方向可控性質,把只適用于同樣排列方向的相同有向元組成的陣用埃米特型比的形式表示方向增益最佳化理論擴展到M個正交振于元相控圓陣天線課題。 本文包括:陣遠區(qū)輻射場公式;徑切正交振子元加權場型方向可控因子的導出;調整激勵(含幅度與相位在內)以及僅調整相位激勵方向增益指標最佳化公式的推求。
1979, 1(4): 171-175.
摘要:
輸入輸出特性是行波管的基本特性,是用戶正確設計整機系統(tǒng)所需要的資料;如用逐點測試法來測取,既費時又易遺漏特性的異常部分。本文提出的行波管輸入輸出特性曲線族的測試方法,能同時顯示行波管在各極電壓適當搭配下的特性曲線族,并能便捷地確定出每一行波管的工作點。
輸入輸出特性是行波管的基本特性,是用戶正確設計整機系統(tǒng)所需要的資料;如用逐點測試法來測取,既費時又易遺漏特性的異常部分。本文提出的行波管輸入輸出特性曲線族的測試方法,能同時顯示行波管在各極電壓適當搭配下的特性曲線族,并能便捷地確定出每一行波管的工作點。
1979, 1(4): 176-183.
摘要:
介紹了便于推廣使用具有小型化結構特色的卷筒式氟化氙(XeF)準分子激光器。在Xe、NF3和He的混合氣體中,得到了XeF的3531、3510和3488埃的三條激光譜線振蕩。在改變XeF體系的工作氣壓時,首先發(fā)現(xiàn)了氟原子的6346埃這條新激光譜線。給出了不同的工作氣體組份、工作氣壓對激光波形和激光強度影響的實驗曲線。拍攝了激光脈沖波形。激光脈沖寬度約為20毫微秒。還對實驗結果作了初步的分析討論。
介紹了便于推廣使用具有小型化結構特色的卷筒式氟化氙(XeF)準分子激光器。在Xe、NF3和He的混合氣體中,得到了XeF的3531、3510和3488埃的三條激光譜線振蕩。在改變XeF體系的工作氣壓時,首先發(fā)現(xiàn)了氟原子的6346埃這條新激光譜線。給出了不同的工作氣體組份、工作氣壓對激光波形和激光強度影響的實驗曲線。拍攝了激光脈沖波形。激光脈沖寬度約為20毫微秒。還對實驗結果作了初步的分析討論。
1979, 1(4): 184-186.
摘要:
正 光陰極必須有一個窗口,讓入射光透過它,然后投射到光陰極表面上;此外,由于光陰極很薄(厚度約幾百埃到一千多埃),不能自支持,因此,必須有一個支持它的基底。在反射式光陰極的器件內,光陰極的窗口與基底是分開的;而在透射式光陰極的器件內,光陰極的窗口同時也是光陰極的基底。 光陰極的窗口(基底)材料通常都采用玻璃(包括普通玻璃,透紫外玻璃,纖維光學玻
正 光陰極必須有一個窗口,讓入射光透過它,然后投射到光陰極表面上;此外,由于光陰極很薄(厚度約幾百埃到一千多埃),不能自支持,因此,必須有一個支持它的基底。在反射式光陰極的器件內,光陰極的窗口與基底是分開的;而在透射式光陰極的器件內,光陰極的窗口同時也是光陰極的基底。 光陰極的窗口(基底)材料通常都采用玻璃(包括普通玻璃,透紫外玻璃,纖維光學玻
1979, 1(4): 187-189.
摘要:
本文主要介紹窄邊縫隙波導陣列天線的設計方法,最重要的是確定所需孔徑分布(它決定副瓣電平)的縫隙電導。然后由實驗得到縫隙的實際參數(shù)。為了驗證設計方法,在X波段加工了70個縫隙的波導陣列,同時設計了一個二維波導平板陣,作了較全面的試驗,獲得了比較滿意的結果。
本文主要介紹窄邊縫隙波導陣列天線的設計方法,最重要的是確定所需孔徑分布(它決定副瓣電平)的縫隙電導。然后由實驗得到縫隙的實際參數(shù)。為了驗證設計方法,在X波段加工了70個縫隙的波導陣列,同時設計了一個二維波導平板陣,作了較全面的試驗,獲得了比較滿意的結果。
1979, 1(4): 190-190.
摘要:
正 (一)引言 在連續(xù)波大功率環(huán)桿型行波管的研制工作中,要解決的最關鍵問題是提高環(huán)桿慢波線的散熱性能。解決的辦法是改善銅環(huán)桿與氧化鈹夾持桿之間,夾持桿與管殼之間的熱接觸,以提高熱傳導能力,盡可能地把產生的熱量傳出管外。在國外,焊接慢波線的工藝多半采用鍍膜金屬化法或鉬銅擴散法。我們采用的則是活性焊接法。我們用這種方法焊接的環(huán)桿慢波組件在行波管中應用得到了比較好的效果
正 (一)引言 在連續(xù)波大功率環(huán)桿型行波管的研制工作中,要解決的最關鍵問題是提高環(huán)桿慢波線的散熱性能。解決的辦法是改善銅環(huán)桿與氧化鈹夾持桿之間,夾持桿與管殼之間的熱接觸,以提高熱傳導能力,盡可能地把產生的熱量傳出管外。在國外,焊接慢波線的工藝多半采用鍍膜金屬化法或鉬銅擴散法。我們采用的則是活性焊接法。我們用這種方法焊接的環(huán)桿慢波組件在行波管中應用得到了比較好的效果
1979, 1(4): 191-194.
摘要:
正 一、前言 特殊形狀的氧化物陰極基底用市場供應的鎳材加工成形比較困難,有時甚至不可能。我們利用電成型工藝解決了這個難題。我們曾用電成型工藝成功地制成旋束管用的螺旋形陰極基底(圖1)、10cm返波管用的環(huán)形束陰極基底(圖2)、大功率速調管用的空心束陰極基底(圖3)和行波管用的貯備式陰極基底(圖4)等。而用電成型鎳陰極基底制成的長壽命貯存式氧化物陰極,經(jīng)幾萬小時后陰極性能仍保持良好。說明電成型陰極基底金屬符合制作長壽命高性能陰極的要求。實踐證明電成型工藝具有工藝簡單、可制成形狀復雜、精度高、性能好的陰極基底,為設計微波電子器件提供了方便,是一種值得推廣的
正 一、前言 特殊形狀的氧化物陰極基底用市場供應的鎳材加工成形比較困難,有時甚至不可能。我們利用電成型工藝解決了這個難題。我們曾用電成型工藝成功地制成旋束管用的螺旋形陰極基底(圖1)、10cm返波管用的環(huán)形束陰極基底(圖2)、大功率速調管用的空心束陰極基底(圖3)和行波管用的貯備式陰極基底(圖4)等。而用電成型鎳陰極基底制成的長壽命貯存式氧化物陰極,經(jīng)幾萬小時后陰極性能仍保持良好。說明電成型陰極基底金屬符合制作長壽命高性能陰極的要求。實踐證明電成型工藝具有工藝簡單、可制成形狀復雜、精度高、性能好的陰極基底,為設計微波電子器件提供了方便,是一種值得推廣的
