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正 PAL制電視信號編碼采用的是頻譜交熾原理,如果仍利用以往的Y-C分離方法就難以達(dá)到完善的分離,會在圖像上形成Y、C成分間的相互串?dāng)_,造成失真以及亮度和色度細(xì)節(jié)的損失。為了充分挖掘PAL制的潛力,獲得高質(zhì)量的重顯圖像,研究適合于此制式的、行之有效并易于實現(xiàn)的、新的Y-C分離方式是有實際意義的

為了提高Y-Gd-Hf-O陰極耐電子轟擊能力，該文通過高能球磨、壓制和高溫氫氣燒結(jié)，制備了一種Sc₂O₃摻雜Y-Gd-Hf-O壓制式直熱式陰極。該陰極在1550 °C工作溫度下，經(jīng)過10 W電子連續(xù)轟擊480 h后，發(fā)射電流密度下降至初始值的87.5%，表現(xiàn)出良好的耐電子轟擊能力。陰極表面的微觀形貌、成分組成分析表明，經(jīng)壓制后氫氣氣氛燒結(jié)，陰極表面呈陶瓷狀結(jié)構(gòu)形態(tài)，有利于提高陰極的耐電子轟擊能力；經(jīng)高溫?zé)Y(jié)、激活后表面形成了n型半導(dǎo)體Y₂O_3-x層，對改善陰極表面導(dǎo)電性、降低逸出功和提高熱發(fā)射有促進(jìn)作用。

正 大功率磁控管用的高溫陰極一般都含有放射性元素釷。但是文獻(xiàn)[7]談到了應(yīng)用其他發(fā)射材料(主要是稀土氧化物)的可能性。 我們用氧化釔為發(fā)射物質(zhì)研制成功了一種可用于大功率磁控管中的高溫陰極

正 (一)引言 GaxIn1-xAsyP1-y四元合金材料在很寬的組分變化范圍內(nèi)

引入了k階變形雙圖Gij和k階變形矩陣Yij的概念。應(yīng)用它們導(dǎo)出了圖行列式C(Y)和k階余因式Y(ij)的兩個新表達(dá)式,從而提出了求符號k階余因式Y(ij)的變形雙圖法。應(yīng)用它可直接且高效地求得Y(ij)的一個多層展開式(沒有專門的符號計算問題),而且不產(chǎn)生對消項,所以它優(yōu)于以前的方法。

該文采用MEMS工藝制備可集成安培酶免疫傳感器，用于人免疫球蛋白IgG的檢測。該傳感器以硅作為基底，鉑作為電極，工作電極敏感面積1mm2。SU-8膠形成的微反應(yīng)池結(jié)構(gòu)使該傳感器試劑用量僅為l量級。聚吡咯作為酶與電極之間的電子轉(zhuǎn)移基體聚合于工作電極敏感表面，戊二醛作為交聯(lián)劑進(jìn)行抗體(羊抗人IgG)的固定?？贵w與酶標(biāo)抗體(辣根過氧化物酶HRP標(biāo)羊抗人IgG)對人IgG進(jìn)行特異性夾心識別，通過檢測酶標(biāo)HRP對底物H2O2催化產(chǎn)生的電流信號實現(xiàn)免疫檢測。該傳感器工作電壓-0.3V，檢測下限5ng/ml，線性范圍5～255ng/ml，響應(yīng)時間3min，具有響應(yīng)快、下限低、試劑用量少、微型化、便于集成等優(yōu)點(diǎn)。

該文研究了形如f(x,y)的n+1變元bent函數(shù)和半bent函數(shù)的二階非線性度，其中xGF(2n), yGF(2)。首先給出了f(x,y)的2n-1個導(dǎo)數(shù)非線性度的精確值；然后推導(dǎo)出了函數(shù)f(x,y)的其余2n個導(dǎo)數(shù)的非線性度緊下界。進(jìn)而給出了f(x,y)的二階非線性度的緊下界。通過比較可知所得下界要優(yōu)于現(xiàn)有的一般結(jié)論。結(jié)果表明f(x,y)具有較高的二階非線性度，可以抵抗二次函數(shù)逼近和仿射逼近攻擊。

為了加強(qiáng)ElGamal型數(shù)字簽名方案的安全性,最近祁明等人對兩類ElGamal型數(shù)字簽名方案的安全性和基于兩類簽名方案的通行字認(rèn)證方案進(jìn)行了分析和討論,并且提出了兩類改進(jìn)型的方案。本文首先指出了他們提出的第一個p型方案是不安全的,攻擊者可以偽造任意消息的數(shù)字簽名。本文證明了廣義ElGamal型數(shù)字簽名方案都不能抵御代換攻擊。本文最后還證明了他們提出的兩類改進(jìn)型方案也不能抵御同態(tài)攻擊,因而并不具有所說的安全性。

本文介紹了用雙線圈測量偏轉(zhuǎn)磁場的方法。文中首先導(dǎo)出雙線圈處于x(或y)軸任意兩個位置求算場參數(shù)H0、H2、H4的普遍公式。當(dāng)兩個小線圈的靈敏度稍有差異時,該公式仍然有效。利用沿x(或y)軸測得的一系列數(shù)據(jù)進(jìn)行回歸分析,求得場參數(shù)的最佳擬合值,可適用于離軸較遠(yuǎn)的距離。