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利用反向補償原理控制硅CVD外延層中的金屬雜質(zhì)和微缺陷

劉玉嶺,  王桂珍,  徐曉輝,  李湘都,  張志花

劉玉嶺, 王桂珍, 徐曉輝, 李湘都, 張志花. 利用反向補償原理控制硅CVD外延層中的金屬雜質(zhì)和微缺陷[J]. 電子與信息學(xué)報, 1996, 18(1): 109-112.
引用本文: 劉玉嶺, 王桂珍, 徐曉輝, 李湘都, 張志花. 利用反向補償原理控制硅CVD外延層中的金屬雜質(zhì)和微缺陷[J]. 電子與信息學(xué)報, 1996, 18(1): 109-112.
Liu Yuling, Wang Guizhen, Xu Xiaohui, Li Xiangdu, Zhang Zhihua. CONTROLLING METALLIC IMPURITY AND MICRODEFECT IN SILICON CVD EPITAXY LAYER USING CONTRARY COMPENSATION[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1996, 18(1): 109-112.
Citation: Liu Yuling, Wang Guizhen, Xu Xiaohui, Li Xiangdu, Zhang Zhihua. CONTROLLING METALLIC IMPURITY AND MICRODEFECT IN SILICON CVD EPITAXY LAYER USING CONTRARY COMPENSATION[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1996, 18(1): 109-112.

利用反向補償原理控制硅CVD外延層中的金屬雜質(zhì)和微缺陷

CONTROLLING METALLIC IMPURITY AND MICRODEFECT IN SILICON CVD EPITAXY LAYER USING CONTRARY COMPENSATION

  • 摘要: 本文分析了硅CVD外延生長中金屬雜質(zhì)沾污、吸附-解吸機理模型和微缺分布規(guī)律,提出了用反向補償原理優(yōu)化外延工藝,有效地解決了硅外延層的金屬雜質(zhì)和微缺陷。
    Abstract: This paper analyzes the mechanism models of metallic impurity infection and adsorption-desorption, and the distribution law of microdefect in growing of silicon CVD epitaxy, and then a new epitaxy technology is proposed, which is optimized by using contrary compensation, and by which the metallic impurity and microdefect in silicon epitaxy layer are reduced effectively.
    • HTML全文
  • 黃漢堯,等.半導(dǎo)體器件工藝原理.上海:上?？萍汲霭嫔?1985, 46-93.[2]劉玉玲,等實用發(fā)明創(chuàng)造工程學(xué).石家莊:河北科學(xué)技術(shù)出版社,1993, 9, 269-274.[3]Srinvasan G R. Solid State Tech., 1981, 124(11): 101-104.[4]胡國仁,等.P/P+外延工藝技術(shù)的操作.第八屆全國半導(dǎo)體集成電路硅材料學(xué)術(shù)會議論文集,杭州:1993,43.[5]Zhou Z H. J. Vac. Sci. Tech., 1991, B9(2): 374-376.[6]劉玉玲.半導(dǎo)體技術(shù),1981, (1): 1-9.[7]Sator S, et al., Jpn J. Appl. Phys., 1981, 20(1): 143-145.
  • 加載中
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  • 被引次數(shù): 0
出版歷程
  • 收稿日期:  1994-09-12
  • 修回日期:  1994-10-13
  • 刊出日期:  1996-01-19

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