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合成孔徑雷達(dá)實(shí)時(shí)轉(zhuǎn)置存儲(chǔ)的實(shí)現(xiàn)

劉宇 楊汝良

劉宇, 楊汝良. 合成孔徑雷達(dá)實(shí)時(shí)轉(zhuǎn)置存儲(chǔ)的實(shí)現(xiàn)[J]. 電子與信息學(xué)報(bào), 2003, 25(8): 1135-1138.
引用本文: 劉宇, 楊汝良. 合成孔徑雷達(dá)實(shí)時(shí)轉(zhuǎn)置存儲(chǔ)的實(shí)現(xiàn)[J]. 電子與信息學(xué)報(bào), 2003, 25(8): 1135-1138.
Liu Yu, Yang Ruliang. Real-time solution of corner turn memory in SAR[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 2003, 25(8): 1135-1138.
Citation: Liu Yu, Yang Ruliang. Real-time solution of corner turn memory in SAR[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 2003, 25(8): 1135-1138.

合成孔徑雷達(dá)實(shí)時(shí)轉(zhuǎn)置存儲(chǔ)的實(shí)現(xiàn)

Real-time solution of corner turn memory in SAR

  • 摘要: 本文介紹了如何利用同步動(dòng)態(tài)內(nèi)存(SDRAM)實(shí)現(xiàn)合成孔徑雷達(dá)實(shí)時(shí)成像處理器轉(zhuǎn)置存儲(chǔ)中數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)置的功能,重點(diǎn)論述了帶有自動(dòng)預(yù)充電功能的SDRAM控制器的設(shè)計(jì)以及刷新控制電路、地址產(chǎn)生電路的實(shí)現(xiàn)過程。
  • 張澄波,綜合孔徑雷達(dá)原理、系統(tǒng)分析與應(yīng)用,北京,科學(xué)出版社,1989年,229-232.[2]Christian Green, Analyzing and implementing SDRAM and SGRAM controllers, EDN, 1998,43(3), 155-166.[3]64M BIT SDRAM Data Sheet, Samsung Incorporated, 1999, 1-6.
  • 加載中
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  • 被引次數(shù): 0
出版歷程
  • 收稿日期:  2002-08-30
  • 修回日期:  2003-01-08
  • 刊出日期:  2003-08-19

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