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2013, 35(7): 1677-1681.
doi: 10.3724/SP.J.1146.2012.01634
刊出日期:2013-07-19
該文在現有譯碼算法的基礎上提出一種高效的非二進制低密度奇偶校驗碼(NB-LDPC)譯碼方法,充分利用了分層譯碼算法與Min-max算法的優(yōu)點,不但譯碼復雜度低、需要的存儲空間小,而且可將譯碼速度提高一倍。應用該算法,對一種定義在GF(25)上的(620,509)碼進行了仿真。該碼的仿真結果表明:在相同誤碼率下,該文譯碼算法所需最大迭代次數僅為Zhang的算法(2011)的45%。
2023, 45(7): 2358-2365.
doi: 10.11999/JEIT221210
刊出日期:2023-07-10
無人機(UAV)、非正交多址(NOMA)和反向散射通信(BC)相結合,可以滿足熱點地區(qū)高容量需求,提高通信質量。該文提出一種無人機輔助的NOMA反向散射通信系統最小速率最大化資源分配算法。考慮無人機發(fā)射功率、能量收集、反射系數、傳輸速率以及連續(xù)干擾消除(SIC)解碼順序約束,建立基于系統最小速率最大化的資源分配模型。首先利用塊坐標下降將原問題分解為無人機發(fā)射功率優(yōu)化、反射系數優(yōu)化和無人機位置與SIC解碼順序聯合優(yōu)化3個子問題,然后使用反證法給出無人機最優(yōu)發(fā)射功率,再用變量替換法和連續(xù)凸逼近將剩余子問題進一步轉化為凸優(yōu)化問題進行求解。仿真結果表明,所提算法在系統和速率與用戶公平性之間具有較好折中。
1979, 1(1): 48-50.
刊出日期:1979-03-19
正 一、鹼金屬元素(Li、Na、K、Rb、Cs)的性能 元素周期表中第一主族元素鹼金屬的性能有它的規(guī)律性。例如:按Li、Na、K、Rb、Cs的順序,由于原子半徑逐漸增大,原子最外層電子與核之間的吸引力逐漸減小,因此,最外層電子則按Cs、Rb、K、Na、Li的順序比較易于脫離原子。它們表現出來的效果就是按Li、Na、K、Rb、Cs的順序,金屬性逐漸增強,化學性逐漸活潑,逸出功逐漸變小,光電發(fā)射靈敏度逐漸增大,光譜響應的峰值(峰)與閾值(閾)逐漸移向長波。鹼金屬元素的這些性能如表1所列
2019, 41(5): 1202-1209.
doi: 10.11999/JEIT180580
刊出日期:2019-05-01
針對彈性光網絡中物理損傷導致業(yè)務頻譜利用率低和傳輸能耗高問題,該文提出一種面向業(yè)務的鏈路損傷感知頻譜分區(qū)(LI-ASP)能效路由策略。在LI-ASP策略中,為降低不同信道間非線性損傷,基于負載均衡設計一個綜合考慮鏈路頻譜狀態(tài)和傳輸損傷的路徑權重公式,根據調制方式的頻譜效率和最大傳輸距離構造分層輔助圖,從最高調制等級開始,為高質量業(yè)務選擇K條邊分離的最大權重傳輸路徑;為低質量業(yè)務選擇K條邊分離的最短能效路徑。然后,LI-ASP策略根據業(yè)務速率比值對頻譜分區(qū),采用首次命中(FF)和尾端命中(LF)聯合頻譜分配方式,減少不同傳輸速率業(yè)務間的交叉相位調制。仿真結果表明,該文所提LI-ASP策略在有效降低帶寬阻塞率的同時,減少了業(yè)務傳輸能耗。
1999, 21(6): 797-805.
刊出日期:1999-11-19
本文在W.Li(1991)循環(huán)斜卷積算法和分布式算法的基礎上,通過軟件模擬和具體硬件設計,利用FPGA完成了可用于高清晰度電視核心解碼器及其它信號與信息處理系統的88二維DCT/IDCT處理器的全部電路設計工作。它采用一根信號線控制計算DCT/IDCT,其輸入、輸出為12位,內部數據線及內部參數均為16位。
2003, 25(5): 657-663.
刊出日期:2003-05-19
對Tseng-Jan(1999)的群簽名方案提出了一種新的偽造攻擊,任何人利用這種攻擊都能偽造出有效的群簽名。針對該文提出的偽造攻擊和Z.C.Li等人(2000)提出的偽造攻擊,對 Tseng-Jan的群簽名方案進行了改進,提出了一種新的安全群簽名方案。新方案不僅能抵抗各種偽造攻擊,而且保留了Tseng-Jan方案的主要優(yōu)點,并且增加了群成員可注銷的特性。
2006, 28(6): 1031-1035.
刊出日期:2006-06-19
該文提出一組基于廣義局部沃爾什變換(GLWT)的紋理特征。首先給出局部沃爾什變換(LWT)的定義,并在空域中對其加以推廣,用以提取圖像的局部紋理信息;然后在一個宏窗口中估計12個GLWT系數的二階矩作為圖像的紋理特征。對這組紋理特征的鑒別性能進行了分析,并與Haralick(1973),Wang Li(1990),以及Yu Hui提出的紋理特征進行了比較。實驗結果表明,該文提出的紋理特征具有更好的鑒別性能和分類能力。
1986, 8(6): 408-415.
刊出日期:1986-11-19
堿或堿土金屬的原子吸附于過渡金屬表面時,會使后者的逸出功急劇下降。作者提出了膠體-原子薄片模型來研究這一現象。過渡金屬基底用薄膜線性級加平面波(LAPW)法精確處理,而簡單金屬覆層則用膠體(jellium)模擬。此模型可在充分考慮構成基底的過渡金屬特點的情況下,研究單原子層覆蓋度以下的吸附系統的電子性質。 文中給出了計算所得W(100)面吸附Cs后的-曲線。所得逸出功極小值min=1.441.48eV與實驗結果(min=1.351.55eV)吻合較好,文中還討論了Ev參量的選擇等問題。
1987, 9(6): 571-576.
刊出日期:1987-11-19
為了在InP/InGaAs(P)材料中進行精確的選擇擴散,同時又要保證外延生長的多層異質結構不被破壞,提出了一種新的低溫開管Zn擴散方法。該法直至在T=500℃,t=5min的條件下,重復性仍很好。應用該法研究了低溫條件下Zn在InP,InGaAs(P)材料中的擴散行為。實驗首次發(fā)現,Zn在InGaAsP材料中的擴散速率與材料中P含量的平方成正比。
1987, 9(5): 420-427.
刊出日期:1987-09-19
以反射高能電子衍射的方法研究了用Ar+離子轟擊和高溫處理技術獲得的潔凈的Si(100)和(111)面,以及在室溫下這些表面上分子束外延生長鎳硅化物。實驗獲得了Si(111)77以及它的負區(qū)衍射圖,Si(100)21,Si(111)1919Ni和Si(100)42Ni的表面結構。實驗同時表明,在低外延生長速率下(0.150.5/min)生成的鎳硅化物的晶格結構與硅基底的一樣。
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