GaAs,GaP,InP,GaInAs,GaInPAs晶體表面碳污染的去除

陶兆民; 夏長虹; 潘曉丹; 潘峽

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GaAs,GaP,InP,GaInAs,GaInPAs晶體表面碳污染的去除

陶兆民, 夏長虹, 潘曉丹, 潘峽

文章導(dǎo)航 > 電子與信息學(xué)報 > 1989 > 11(1): 107-112

陶兆民, 夏長虹, 潘曉丹, 潘峽. GaAs,GaP,InP,GaInAs,GaInPAs晶體表面碳污染的去除[J]. 電子與信息學(xué)報, 1989, 11(1): 107-112.

引用本文:

陶兆民, 夏長虹, 潘曉丹, 潘峽. GaAs,GaP,InP,GaInAs,GaInPAs晶體表面碳污染的去除[J]. 電子與信息學(xué)報, 1989, 11(1): 107-112.

Tao Zhaomin, Xia Changhong, Pan Xiaodan, Pan Xia. REMOVING OF THE CARBON CONTAMINATION FROM GaAs, GaP, InP, GaInAs AND GaInPAs SURFACES[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1989, 11(1): 107-112.

Citation:

Tao Zhaomin, Xia Changhong, Pan Xiaodan, Pan Xia. REMOVING OF THE CARBON CONTAMINATION FROM GaAs, GaP, InP, GaInAs AND GaInPAs SURFACES[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1989, 11(1): 107-112.

陶兆民, 夏長虹, 潘曉丹, 潘峽. GaAs,GaP,InP,GaInAs,GaInPAs晶體表面碳污染的去除[J]. 電子與信息學(xué)報, 1989, 11(1): 107-112.

引用本文:

陶兆民, 夏長虹, 潘曉丹, 潘峽. GaAs,GaP,InP,GaInAs,GaInPAs晶體表面碳污染的去除[J]. 電子與信息學(xué)報, 1989, 11(1): 107-112.

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GaAs,GaP,InP,GaInAs,GaInPAs晶體表面碳污染的去除

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出版歷程
- 收稿日期: 1987-09-02
- 修回日期: 1988-03-26
- 刊出日期: 1989-01-19

REMOVING OF THE CARBON CONTAMINATION FROM GaAs, GaP, InP, GaInAs AND GaInPAs SURFACES

摘要

摘要: 本文以UV/O3法去除GaAs,GaP,InP,GaInAs,GaInPAs晶體表面碳的污染,實驗給出不同的結(jié)果并給予解釋。
- 光電發(fā)射材料; UV/O3法; AES表面分析
Abstract: The different results of removing the carbon contamination with UV/O3from the GaAs, GaP, InP, GaInAs and GaInPAs surfaces are given.