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-Si∶H攝象管靶的光譜響應(yīng)和最佳靶厚

海宇涵

海宇涵. -Si∶H攝象管靶的光譜響應(yīng)和最佳靶厚[J]. 電子與信息學(xué)報(bào), 1991, 13(2): 169-176.
引用本文: 海宇涵. -Si∶H攝象管靶的光譜響應(yīng)和最佳靶厚[J]. 電子與信息學(xué)報(bào), 1991, 13(2): 169-176.
Hai Yuhan. PHOTORESPONSE AND OPTIMAL THICKNESS OF -Si:H TARGET FOR VIDICON[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1991, 13(2): 169-176.
Citation: Hai Yuhan. PHOTORESPONSE AND OPTIMAL THICKNESS OF -Si:H TARGET FOR VIDICON[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1991, 13(2): 169-176.

-Si∶H攝象管靶的光譜響應(yīng)和最佳靶厚

PHOTORESPONSE AND OPTIMAL THICKNESS OF -Si:H TARGET FOR VIDICON

  • 摘要: 用動(dòng)態(tài)系統(tǒng)測(cè)量了-Si∶H靶電壓對(duì)光譜響應(yīng)的影響,發(fā)現(xiàn)對(duì)短波響應(yīng)影響較大。推導(dǎo)了靶光電流is和飽和電壓Vs的計(jì)算公式,發(fā)現(xiàn)Vs[(p,p)-1,2]。從測(cè)量的Vs值,計(jì)算了pp值。發(fā)現(xiàn)它隨入照光波長(zhǎng)的縮短而減小。估算了對(duì)單色光和對(duì)白光的最佳靶厚。
  • I. Imamura, et al., Appl. Phys. Lett., 35(1979), 349.[2]海宇涵等,關(guān)于開(kāi)展非晶硅靶攝象管的探索性研究的報(bào)告,中國(guó)科學(xué)院電子學(xué)研究所內(nèi)部資料,北京,1979年.[3]劉亞坤,科學(xué)報(bào),1985年3月17日,第1版.[4]海宇涵等,高靈敏度-Si: H靶攝象管的研制,中國(guó)電于學(xué)會(huì)第四屆年會(huì)論文集,北京,1987年,p.77.[5]海宇涵等,電子科學(xué)學(xué)刊,10(1988),528-535.[6]S. Oda, et al., Amorphous Semiconductor Technologies and Devices, edited by Y. Hamakawa, Ohmsha, Tokyo,(1983), p.113.[7]S. Ishioka, et al., Jpn. J. Appl. Phys.,22(1983),Suppl., 22-1,461.[8]D. Carlson, Advances in Amorphous Silicon Solar Cells, Proc. 14th IEEE-Photovoltaic Specia lists Conf., San Diego,(1980), p.291.[9]P. Zanzucchi, et al., J. Appl. Phys., 48(1977), 5227.[10]R. LLoveland, et al., J.Non-Cryst. Solids, 13(1973/74), 55.[11]D. Carlson, C. Wranski, Amorphous Semiconductors, ed. M. Brodsky, Spring-Verlag, Berlin (1979), p.302.[12]D. Staebler, C. Wranski, Appl. Phys. Lett., 31(1977),292.[13]S. Oda, et al., J. Appl. Phys., 52(1981), 7275.[14]應(yīng)根裕等,非晶硅攝象管靶面研究,北京電子學(xué)會(huì)年會(huì)報(bào)告,北京1985年.
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出版歷程
  • 收稿日期:  1989-10-20
  • 修回日期:  1990-06-25
  • 刊出日期:  1991-03-19

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