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用掃描電鏡觀察氧化鉛靶層P-I-N結(jié)

孔光臨 鄧禮生 馮紫英 陸穎 郁春英

孔光臨, 鄧禮生, 馮紫英, 陸穎, 郁春英. 用掃描電鏡觀察氧化鉛靶層P-I-N結(jié)[J]. 電子與信息學(xué)報, 1979, 1(3): 141-143.
引用本文: 孔光臨, 鄧禮生, 馮紫英, 陸穎, 郁春英. 用掃描電鏡觀察氧化鉛靶層P-I-N結(jié)[J]. 電子與信息學(xué)報, 1979, 1(3): 141-143.

用掃描電鏡觀察氧化鉛靶層P-I-N結(jié)

  • 摘要: 正 氧化鉛攝象管靶是一種有結(jié)光電導(dǎo)靶。為了保證靶的暗電流、靈敏度、分辨力等性能,這種靶應(yīng)具有P-I-N結(jié)構(gòu)。在靠近透明電極一面應(yīng)為很薄的N型區(qū);靶的主要部分應(yīng)為電阻率較高的本征層(Ⅰ層);而在鄰近自由表面處則應(yīng)該是很薄的P層。為了充分發(fā)揮有結(jié)光電導(dǎo)靶的性能,有必要直接觀察判斷P-I-N結(jié)。但是由于氧化鉛靶實際上是一個微晶組成的疏松層,所以觀察單晶半導(dǎo)體結(jié)的通常方法在這里已不適用。多年來未見有報道這方面的觀察結(jié)果,其原因或許就是直接觀察不容易。近年來,我們試用掃描電子顯
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出版歷程
  • 刊出日期:  1979-07-19

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