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硅CVD外延自摻雜效應(yīng)的分析研究

劉玉嶺 金杰 徐曉輝 張德臣

劉玉嶺, 金杰, 徐曉輝, 張德臣. 硅CVD外延自摻雜效應(yīng)的分析研究[J]. 電子與信息學(xué)報(bào), 1996, 18(3): 332-336.
引用本文: 劉玉嶺, 金杰, 徐曉輝, 張德臣. 硅CVD外延自摻雜效應(yīng)的分析研究[J]. 電子與信息學(xué)報(bào), 1996, 18(3): 332-336.
Liu Yuling, Jin Jie, Xu Xiaohui, Zhang Dechen. RESEARCH ON REDUCING THE SELF-DOPING DURING SILICON CVD EPITAXY[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1996, 18(3): 332-336.
Citation: Liu Yuling, Jin Jie, Xu Xiaohui, Zhang Dechen. RESEARCH ON REDUCING THE SELF-DOPING DURING SILICON CVD EPITAXY[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1996, 18(3): 332-336.

硅CVD外延自摻雜效應(yīng)的分析研究

RESEARCH ON REDUCING THE SELF-DOPING DURING SILICON CVD EPITAXY

  • 摘要: 本文首先對(duì)自摻雜機(jī)理進(jìn)行了分析。并采用反向補(bǔ)償原理,吸附-解吸、滯流層靜態(tài)-動(dòng)態(tài)轉(zhuǎn)換等,對(duì)工藝進(jìn)行優(yōu)化,在通常條件下有效地控制了自摻雜。
  • 鄧志杰.稀有金屬,1994, 18(2): 143-149.[2]劉玉嶺.半導(dǎo)體技術(shù),1993, (3): 21-27.[3]Meyerson B S. Appl. Phy.,Lett., 1986, 48(12): 797-799.[4]Sinvan G R. J. Electrochem. Soc., 1980, 127(6): 1344-1346.[5]Zhou Z H. J. Vac. Sci. Technology, 1991, B9(2): 374-376.[6]Srinvasan S R. Slid State Tech., 1981, 124(1):101-104.[7]黃漢堯,李乃平.半導(dǎo)體器件工藝原理.上海:上??萍汲霭嫔?1985,45-54.[8]劉玉嶺,等.實(shí)用發(fā)明創(chuàng)造工程學(xué).石家莊:河北科技出版社,1993,269-274.
  • 加載中
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出版歷程
  • 收稿日期:  1994-05-13
  • 修回日期:  1995-06-12
  • 刊出日期:  1996-05-19

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