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逸出功的某些特性

張恩虬

張恩虬. 逸出功的某些特性[J]. 電子與信息學報, 1989, 11(3): 244-249.
引用本文: 張恩虬. 逸出功的某些特性[J]. 電子與信息學報, 1989, 11(3): 244-249.
Zhang Enqiu. SOME PROPERTIES OFTHE WORK FUNCTION[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1989, 11(3): 244-249.
Citation: Zhang Enqiu. SOME PROPERTIES OFTHE WORK FUNCTION[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1989, 11(3): 244-249.

逸出功的某些特性

SOME PROPERTIES OFTHE WORK FUNCTION

  • 摘要: 在實用熱陰極中,測量得的發(fā)射常數(shù)值經(jīng)常小于120A/cm2T2。這是由于逸出功有一分布所致,而不是由于電子遇到表面勢壘時的反射。用單晶面測量時,理論和實驗值便相符了。事實上發(fā)射來源于已穿透進勢壘的表面電子。這些電子既不能進入真空,也不能在金屬導帶中自由運動,否則不同晶面便不可能有不同的逸出功。異族元素的吸附增加表面電子的數(shù)目和能量,因而使逸出功下降。
  • В.С.Фоменко,эмиссионные свойства ма териалов,Справочник,Киев,Наукова Думка,1981.[2]D. Jones, D.Mcneely, L. W. Swanson, Applications of Surf. Sci., 2 (1979), 232.[3]劉學愨,陰極電子學,科學出版社,1980.[4]G. A. Hass, R. E. Thomas, Surf Sci., 4 (1966), 64.[5]卞彭,電子學通訊,1977年,總39期,第10頁.[6]曾海山,楊凌云,葉毓林,電子科學學刊,10(1988)2, 167-175.[7]王寧,王鼎蓋,電子科學學刊,8(1986)6, 408-415.
  • 加載中
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  • 被引次數(shù): 0
出版歷程
  • 收稿日期:  1988-04-13
  • 修回日期:  1988-08-02
  • 刊出日期:  1989-05-19

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