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MCP中單通道電子倍增參數(shù)的Monte Carlo模擬計算

韋亞一

韋亞一. MCP中單通道電子倍增參數(shù)的Monte Carlo模擬計算[J]. 電子與信息學報, 1992, 14(1): 76-80.
引用本文: 韋亞一. MCP中單通道電子倍增參數(shù)的Monte Carlo模擬計算[J]. 電子與信息學報, 1992, 14(1): 76-80.
Wei Yayi. MONTE CARLO SIMULATION AND COMPUTATION OF SINGLE CHANNEL MULTIPLYING PARAMETERS IN MCP[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1992, 14(1): 76-80.
Citation: Wei Yayi. MONTE CARLO SIMULATION AND COMPUTATION OF SINGLE CHANNEL MULTIPLYING PARAMETERS IN MCP[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1992, 14(1): 76-80.

MCP中單通道電子倍增參數(shù)的Monte Carlo模擬計算

MONTE CARLO SIMULATION AND COMPUTATION OF SINGLE CHANNEL MULTIPLYING PARAMETERS IN MCP

  • 摘要: 本文用Monte Carlo方法對電子在MCP單通道中傳輸,碰撞和次級發(fā)射的整個過程進行了模擬。給出了MCP中次級電子能量分布表達式。計算了MCP中單通道電子倍增的有關(guān)參數(shù),并對比實驗數(shù)據(jù)討論了模型及其結(jié)果的合理性。
    Abstract: Monte Carlo method is used to simulate the whole courses of electronictransportation, collision and secondary emission in a single channel of MCP. The energy distribution formula of secondary electron of MCP is derived. Each parameter of a single channel in MCP is calculated and discussed.
    • HTML全文
  • G.E. Hill, Advanced Electronics ancl Electronic Physics, 140A, (1976), pp. 153-165.[2]汪金祥,特種坡璃,3(1986)3,20-25.[3]國營旭光儀器廠,旭光情報,1984年,第1期,第100-140頁.[4]汪金祥,高速攝影與光子學,1986年,第4期,第29-33頁.[5]A.J. Guest, Acta Etectronica, 14(1972)1, 99-110.[6]鄒異松,電真空成像器件及理論分析,國防工業(yè)出版社,北京,1990.[7]胡漢泉等,真空物理與技術(shù)及其在電子器件中的應用〔下冊),第12章,國防工業(yè)出版社,北京,1985年.[8]M. Brown et al., Vacuum. 25(1975)2, 61-63.[9]劉德貴等,Fortran算法匯編,第二分冊,國防工業(yè)出版社,北京,1983年.
  • 加載中
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出版歷程
  • 收稿日期:  1990-11-08
  • 修回日期:  1991-02-26
  • 刊出日期:  1992-01-19

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