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氧分壓影響SnO2氣敏傳感器響應(yīng)的機理

林海安 吳沖若 邱潔真

林海安, 吳沖若, 邱潔真. 氧分壓影響SnO2氣敏傳感器響應(yīng)的機理[J]. 電子與信息學(xué)報, 1993, 15(6): 659-662.
引用本文: 林海安, 吳沖若, 邱潔真. 氧分壓影響SnO2氣敏傳感器響應(yīng)的機理[J]. 電子與信息學(xué)報, 1993, 15(6): 659-662.
Lin Haian, Wu Chongruo, Qiu Jiezhen. THE MECHANISM FOR THE EFFECT OF OXYGEN PARTIAL PRESSURE ON THE RESPONSE OF GAS SENSORS BASED ON SnO2[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1993, 15(6): 659-662.
Citation: Lin Haian, Wu Chongruo, Qiu Jiezhen. THE MECHANISM FOR THE EFFECT OF OXYGEN PARTIAL PRESSURE ON THE RESPONSE OF GAS SENSORS BASED ON SnO2[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1993, 15(6): 659-662.

氧分壓影響SnO2氣敏傳感器響應(yīng)的機理

THE MECHANISM FOR THE EFFECT OF OXYGEN PARTIAL PRESSURE ON THE RESPONSE OF GAS SENSORS BASED ON SnO2

  • 摘要: 本文報道了一種SnO2氣敏傳感器敏感機理的新模型。SnO2晶粒表面勢壘由3個過程控制:(1)氧吸附(作電子受主)和脫附,(2)還原性氣體吸附(作電子施主)和脫附,(3)表面氧化還原反應(yīng)。據(jù)此可以很好地解釋實驗中發(fā)現(xiàn)的氧分壓對氣敏傳感器響應(yīng)的影響。
  • G. Coles et al.. Sensors and Actuarors, B4 (1991)3-4, 485-491.[2]G. Coles et al., J. Phys. D, Appl. Phys., 24(1991)4, 633-641.[3]P. Clifford et al, Proc. Int. Meet, on Chemical Sensors, Fukuoka, Japan, (1983), 135-146.[4]吉林大學(xué)化學(xué)系,催化作用基礎(chǔ),科學(xué)出版社,1980年,第1-30頁.[5]S. Morrison 著,趙壁英等譯,表面化學(xué)物理,北京大學(xué)出版社,北京,1984年,第36頁.[6]S. Morrison, Surface Science, 27(1971)3, 586-604.
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出版歷程
  • 收稿日期:  1992-05-20
  • 修回日期:  1992-10-12
  • 刊出日期:  1993-11-19

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